Реферат Курсовая Конспект
Локальная глубинная модификация поверхности - раздел Философия, Нанотехнологии на основе полупроводниковых Материалов Локальная Глубинная Модификация Поверхности Представляет Собой Технологически...
|
Локальная глубинная модификация поверхности представляет собой технологический процесс создания элементов наноэлектроники в полупроводнике под поверхностью оксидного слоя путем локального изменения физико-химических свойств материала. Для реализации этого процесса наиболее подходящим является контактный метод атомно-силовой микроскопии.
Локальная глубинная модификация проводится с помощью проводящего зонда по следующей технологической схеме. К поверхности полупроводниковой подложки, защищённой окисным слоем, подводится острие зонда. Между зондом и подложкой приложено напряжение. Электрическое поле локально проникает в подложку на глубину десятки и сотни нанометров в зависимости от приложенного напряжения. В этой области происходит локальная глубинная модификация полупроводника, при этом рельеф поверхности может практически оставаться без изменения. Процесс локальной модификации полупроводников должен проходить так, чтобы исключить эмиссию электронов с зонда. В противном случае возможен локальный разогрев поверхности и её повреждение.
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
профессионального образования... Южно Российский государственный технический университет... Новочеркасский политехнический институт...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Локальная глубинная модификация поверхности
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов