Проверку исправности конденсаторов (отсутствие обрывов, наличие емкости, наличие К.З) можно определить омметром на пределах и . Для этого подключают конденсатор щупами к омметру. При этом стрелка омметра должна от бесконечности резко переместиться вправо на расстояние, зависящее от емкости конденсатора (чем больше емкость, тем больше отклонение стрелки). Если конденсатор имеет К.З, то стрелка останется в этом положении, если конденсатор в обрыве, то стрелка останется на бесконечности. После этого начинается зарядка конденсатора и стрелка начнет передвигаться обратно к бесконечности. Чем больше емкость конденсатора, тем дольше будет происходить этот процесс. В результате исправный конденсатор должен иметь сопротивление – бесконечность (для бумажных, слюдяных и полупроводниковых конденсаторов) и сопротивление более для электролитических конденсаторов.
Измерение индуктивности и емкости.
К приборам непосредственной оценки значения измеряемой емкости относятся микрофарадметры, действие которых базируется на зависимости тока или напряжения в цепи переменного тока от значения, включенной в неё измеряемой емкости. Значение емкости определяют по шкале стрелочного измерителя.
Более широко для измерения параметров конденсаторов и индуктивностей применяют уравновешенные мосты переменного тока, позволяющие получить малую погрешность измерения (до 1%). Питание моста осуществляется от генераторов, работающих на фиксированной частоте 400-1000 Гц. В качестве индикаторов применяют выпрямительные или электронные милливольтметры, а так же осциллографические индикаторы.
Измерение производят балансированием моста в результате переменной подстройки двух его плеч. Отсчет показаний берется по лимбам рукояток тех плеч, которыми сбалансирован мост. В качестве примера рассмотрим измерительные мосты, являющиеся основой измерителя индуктивности Е3-3(рис.3.21) и измерителя емкости Е8-3 (рис.3.22).
При балансе моста (рис.3.21) индуктивность катушки и её добротность определяют по формулам:
;
При балансе мостов (рис.3.22) измеряемая емкость и сопротивление потерь определяют по формулам:
;
Для измерения малых емкостей (не более 0,01-0,05 мкФ) и высокочастотных катушек индуктивности в диапазоне их рабочих частот широко используют резонансные методы. Резонансная схема обычно включает в себя генератор высокой частоты, индуктивно или через емкость связанный с измерительным LC-контуром. В качестве индикаторов резонанса применяют чувствительные высокочастотные приборы, реагирующие на ток или напряжение.
Методом амперметра-вольтметра измеряют сравнительно большие емкости и индуктивности при питании низкой частоты 50-1000 Гц.
По показаниям приборов полное сопротивление: ,
где ; ; ; из этих выражений можно определить
; ;
Когда можно пренебречь активными потерями в конденсаторе или катушке индуктивности, используют следующую схему
В этом случае: ; ; ;
Тема 6. Проверка исправности полупроводниковых диодов, транзисторов и тиристоров омметром (тестером)
Этот метод основывается на свойстве p-n перехода обладать малым сопротивлением при прямом включении и большим сопротивлением при обратном включении.
Проверка диода на пробой
p-n переход диода включается в обратном направлении. При исправном диоде сопротивление перехода
Проверка на обрыв p-n переход включается в прямом направлении и при исправном диоде сопротивление перехода в зависимости от мощности и материала кристалла.
В большинстве случаев этих двух проверок хватает, чтобы определить исправность диода.
Измерение обратного тока диода,
В этом случае p-n переход включается в обратном направлении и измеряется ток, который обусловлен неосновными носителями заряда.
При исправном диоде обратный ток будет равен: не более 1мкА (для кремниевых диодов) и не более 1мкА (германиевых диодов). Превышение этих значений означает, что он не исправен.
Определение неисправности транзисторов.
Проверка исправности транзисторов на пробой и обрыв производится поочередным подключением щупов омметра к эммиторному и коллекторному переходам в прямом и обратном направлениях.
Для проверки необходимо по справочнику выяснить цоколевку транзистора (расположение базы, коллектора и эммитера), а также материал кристалла Ge или Si.
При подключении p-n переходов в прямом направлении их сопротивление должно быть в пределах . При обратном включении p-n переходов их сопротивлении должно быть не менее
для Ge
для Si
Если в результате измерений обнаружится, что хотя бы один из переходов имеет одинаковое сопротивлении при прямом и обратном включении или сопротивление переходов равно 0, то переход пробит.
Если переход в обоих направлениях обладает бесконечно большим сопротивлением, то он в обрыве (или полностью выгорел или отгорел контактный проводник внутри корпуса).
Кроме цоколевки и материала кристалла необходимо также знать структуру транзисторов (p-n-p; n-p-n).
Проверка тиристоров
Тиристоры проверяются омметром аналогично диодам и транзисторам, т.е. проверкой целостности p-n переходов:
Проверка на пробой участка анод-катод
Сопротивление участка анод-катод при смене полярности подключаемого омметра должно быть одинаковым и равным
Проверка участка Катод-УЭ на обрыв
При смене полярности, подаваемого на этот участок напряжения его сопротивление должно быть одинаковым и равным в зависимости от мощности тиристора.
Проверка способности тиристора к включению
Для того, чтобы включить (открыть) тиристор необходимо на управляющий электрод подать короткий положительный импульс относительно катода. В результате средний p-n переход также открывается и сопротивление участка анод-катод резко уменьшается до , т.е. тиристор включается.
Этот процесс осуществляется при условии, что обеспечивается необходимый для данного тиристора ток включения. После этого тиристор должен оставаться открытым сколь угодно долго при условии, что ток удержания для данного тиристора соответствует справочному.
Иногда при наладке электрооборудования необходимо знать напряжение включения и ток включения конкретного тиристора
Для этого на выходе источника питания ИП1 устанавливают напряжение 12В, а выходное напряжение источника ИП2 увеличивают постепенно от нуля до момента включения тиристора. Момент открывания тиристора фиксируется измерительным прибором PA (ток включения) и измерительным прибором PV1 (напряжение включения). Кроме этого можно определить еще один параметр- прямое падение напряжения на тиристоре PV2.