Участок 3 Реальный обратный ток в диоде превышает тепловой ток.
Участок 4 Участок электрического пробоя, который наблюдается при больших Uобр . Различают туннельный и лавинный пробои. Электрический пробой является обратимым процессом.
Участок 5 Участок теплового пробоя. Тепловой пробой является необратимым процессом, р-п переход при тепловом пробое разрушается.
Дифференциальные параметры диодов
1. Крутизна ВАХ диода:
[мА/В] , где Т – температура окружающей среды.
(Примерные значения: S =10…100 мА/В).
2. Дифференциальное (внутреннее) сопротивление диода:
[Ом].
(Примерные значения: при U >0 ® Ri = 10..100 Ом, при U< 0 ® Ri = 105..108 Ом)
Кроме дифференциальных параметров диод характеризуется статическим сопротивлением Rcт (сопротивление диода по постоянному току).
В зависимости от участка ВАХ значения параметров существенно различаются.