Различных режимах работы транзистора

 

Активный режим

1. U_ЭБ = 0 ; U_КБ = 0 - равновесное состояние.

2. U_ЭБ > 0 ; U_КБ = 0 – граничный режим работы между АР и РН.

3..5 U_ЭБ > 0 ; U_КБ < 0 – АР, причем при больших |U_КБ | - АР с эффектом Эрли (5)

 

Сущность эффекта: при больших |U_КБ | ® l_КП = .

 

Таким образом – при ­ |U_КБ | ® ­ l_КП (в сторону базы) ® ¯ l_Б ®­ grad р_э ® ­I_э.

 

Режим насыщения

 

1. U_ЭБ > U_КБ ® DР_э > DР_к ® I_Э и I_К протекают в том же направлении, что и в АР, но меньше по величине.

2. U_ЭБ = U_КБ ® DР_э = DР_к ® I_{Э диф} = I_{Э др} и I_{К др} = I_{К диф} ® I_Э = 0 и I_К = 0.

3. U_КБ > U_ЭБ ® DР_к > DР_э ® I_{к диф} > I_{к др} и I_{э др} > I_{э диф} ® I_Э и I_к – меняют направление (инверсия токов I_Э и I_К).

 

В РН I_Б – большой, т.к. в ходе двойной инжекции база насыщена НПНЗ (площадь под прямой Р_å больше, чем под прямой в АР).

 

Режим отсечки

 

Суммарное значение тока базы в РО равно - I_Б » I_{э БО} + I_{к БО}

(знак «-» означает, что I_Б направлен в обратную сторону по сравнению с АР).

В РО - I_Б очень мал (площадь по кривой Р(х) – мала).

Распределение НПНЗ в базе при различных режимах работы БТ используется для анализа статических характеристик транзистора.