ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Тамбовский государственный технический университет

УТВЕРЖДАЮ

 

Зав. Кафедрой Э и А

 

В. Ф. Калинин

« » 20 г.

 

 

«Информационно – измерительная техника и электроника»

 

 

Тема №1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

 

Лекция №4

Тема лекции:

 

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

 

 

Цель лекции: ознакомиться с особенностями конструкции и принципом действия полупроводниковых биполярных транзисторов, их характеристиками и стандартными схемами включения.

 

В результате проведения лекции и лабораторной работы слушатель должен знать конструктивные особенности, основные характеристики и принцип действия биполярного и полевых транзисторов, и схемы включения: с общим эмиттером, общим коллектором, общей базой – для биполярных транзисторов; с общим истоком и общим стоком – для полевых транзисторов.

 

Содержание

(Программные вопросы лекции)

Введение.

1. Устройство, схемы включения и принцип действия полевых транзисторов с р-n затвором.

2. Выходные и передаточные характеристики полевых транзисторов с р-n затвором.

3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.

4. Принцип действия и статические характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом.

5. Принцип действия и статические характеристики МОП-транзистора с встроенным каналом.

6. Дифференциальные параметры полевых транзисторов.

 

Заключение.

 

Учебно-материальное обеспечение

 

Литература для самостоятельной работы: ???

1. В.П.Попов Основы теории цепей. –М.: Высшая школа.2000, (с.6-7).

2. Г.И. Атабеков. Теоретические основы электротехники. Ч.1. – М.: Энергия, 1978, (с.14-18).

 

 

Тема лекции: ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

 

Введение.

На предыдущей лекции мы рассмотрели конструкцию и принцип действия биполярных транзисторов, их схемы включения и основные характеристики.

На сегодня мы познакомимся с другими видами транзисторов - полевыми. Как и биполярные, они служат для усиления сигнала, но имеют совершенно другое конструктивное исполнение.

 

Устройство, схемы включения и принцип действия полевых

Полевым транзистором (ПТ) называется полупроводниковый прибор, в котором протекание тока обеспечивается за счет дрейфа носителей одной полярности… ПТ относится к классу приборов, управляемых напряжением (как электронные… Различают 3 основных типа полевых транзисторов:

Выходные и передаточные характеристики полевых транзисторов с р-n затвором

Выходная характеристика ПТ в схеме с ОИ представляет собой зависимость выходного тока IС от величины выходного напряжения UСИ при фиксированном…     Физические процессы

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Различают 2 типа МОП-транзисторов: - с индивидуальным каналом (n-типа или р-типа); - с встроенным каналом (n-типа или р-типа).

Принцип действия и статические характеристики

МОП-транзистора с индуцированным каналом

Для работы МОП-транзистора с индуцированным каналом n-типа на сток на затвор необходимо подать «+» источников UСИ и UЗИ.     3. При UЗИ = Uпор (Uпор – пороговое напряжение) ® инверсия типа проводимости с «+» на «-» (концентрация электронов под…

Принцип действия и статические характеристики

МОП-транзистора с встроенным каналом

Передаточные характеристики               … Выходные характеристики

Дифференциальные параметры полевых транзисторов

1. Крутизна стоко-затворной (передаточной) характеристики S.

, [мА/В] (S = 1…10 мА/В)

2. Внутреннее (выходное) сопротивление Ri .

, [Ом] (Ri = 10…100 кОм)

3. Входное сопротивление Rвх

, [Ом] (Rвх = 10…100 МОм)

4. Коэффициент усиления m m = S ·Ri (для ОРН - m = 100…1000)