Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное агентство по образованию
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Тамбовский государственный технический университет
УТВЕРЖДАЮ
Зав. Кафедрой Э и А
В. Ф. Калинин
« » 20 г.
«Информационно – измерительная техника и электроника»
Тема №1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Лекция №4
Тема лекции:
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Цель лекции: ознакомиться с особенностями конструкции и принципом действия полупроводниковых биполярных транзисторов, их характеристиками и стандартными схемами включения.
В результате проведения лекции и лабораторной работы слушатель должен знать конструктивные особенности, основные характеристики и принцип действия биполярного и полевых транзисторов, и схемы включения: с общим эмиттером, общим коллектором, общей базой – для биполярных транзисторов; с общим истоком и общим стоком – для полевых транзисторов.
Содержание
(Программные вопросы лекции)
Введение.
1. Устройство, схемы включения и принцип действия полевых транзисторов с р-n затвором.
2. Выходные и передаточные характеристики полевых транзисторов с р-n затвором.
3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
4. Принцип действия и статические характеристики МОП-транзистора с индуцированным каналом.
5. Принцип действия и статические характеристики МОП-транзистора с встроенным каналом.
6. Дифференциальные параметры полевых транзисторов.
Заключение.
Учебно-материальное обеспечение
Литература для самостоятельной работы: ???
1. В.П.Попов Основы теории цепей. –М.: Высшая школа.2000, (с.6-7).
2. Г.И. Атабеков. Теоретические основы электротехники. Ч.1. – М.: Энергия, 1978, (с.14-18).
Тема лекции: ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Введение.
На предыдущей лекции мы рассмотрели конструкцию и принцип действия биполярных транзисторов, их схемы включения и основные характеристики.
На сегодня мы познакомимся с другими видами транзисторов - полевыми. Как и биполярные, они служат для усиления сигнала, но имеют совершенно другое конструктивное исполнение.
Принцип действия и статические характеристики
Принцип действия и статические характеристики
Дифференциальные параметры полевых транзисторов
1. Крутизна стоко-затворной (передаточной) характеристики S.
, [мА/В] (S = 1…10 мА/В)
2. Внутреннее (выходное) сопротивление Ri .
, [Ом] (Ri = 10…100 кОм)
3. Входное сопротивление Rвх
, [Ом] (Rвх = 10…100 МОм)
4. Коэффициент усиления m m = S ·Ri (для ОРН - m = 100…1000)