Полевые транзисторы с изолированным затвором

Полевые транзисторы с изолированным затвором имеют трехслойную структуру: металл – диэлектрик - полупроводник. В качестве диэлектрика, как правило, используется двуокись кремния SiО₂, что определило их название: МОП-транзистор (металл-окисел-полупроводник).

Различают 2 типа МОП-транзисторов:

- с индивидуальным каналом (n-типа или р-типа);

- с встроенным каналом (n-типа или р-типа).

МОП - транзисторы широко применяются в качестве структурных элементов ИМС (благодаря простой технологии изготовления и миниатюрности).

Устройство МОП-транзисторов

 

1. У МОП-транзистора с индуцированным каналом в исходном состоянии (U_ЗИ = 0) проводящий канал между И и С отсутствует (I_с = 0).

2. У МОП-транзистора с встроенным каналом (который формируется технологическим путем при изготовлении транзистора) при U_ЗИ = 0 между И и С протекает начальный ток стока I_С0.

 

Схемы включения МОП – транзисторов с каналом п-типа

В схемах включения МОП-транзисторов с каналом р-типа полярности источников напряжения (U_СИ и U_ЗИ) меняются на противоположные.