Реферат Курсовая Конспект
Основы технологии и базовые элементы полупроводниковых ИМС - раздел Философия, ЦИФРОВЫЕ МИКРОСХЕМЫ. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВЫХ МИКРОСХЕМ Полупроводниковые Имс (Пп Имс) Представляют Собой Кристалл Полупроводника Пря...
|
Полупроводниковые ИМС (ПП ИМС) представляют собой кристалл полупроводника прямоугольной формы, в приповерхностном слое которого сосредоточены изолированные друг от друга элементы.
Основными элементами ПП ИМС являются:
- активные элементы (транзисторы и диоды);
- пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и др.);
- соединительные элементы (металлизированные полоски).
Активные и пассивные элементы могут быть реализованы как на биполярных, так и на МОП-транзисторах.
В ПП ИМС применяются следующие способы изоляции:
- изоляция обратно смещенными р-n переходами;
- полная диэлектрическая изоляция;
- комбинированная изоляция.
Базовым элементом ПП ИМС является планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор. Все остальные элементы ИМС изготавливаются на основе этого транзистора или формируются таким образом, чтобы технологически и структурно быть совмещенными с этим транзистором.
Структура планарно-эпитаксиального транзистора
Планарно-эпитаксиальный транзистор (как, правило, n-р-n структуры) формируется методом двойной диффузии: базовая и эмиттерная области изготавливаются путем локальной диффузии примесей в эпитаксиальный слой n-типа (коллекторную область).
Особенности структуры:
1. Рабочими (активными) областями являются горизонтальный участок ЭП и расположенная под ним часть КП.
2. В коллекторной области (около подложки р-типа) формируется n+ слой с высокой проводимостью.
3. Толщина базы между рабочими областями ЭП и КП очень мала (0,1…0,5мкм), что позволяет получить достаточно высокие значения коэффициентов a и b (a = 0,99… 0,995 и b = 100…200).
Транзистор с барьером Шоттки
Транзистор с барьером Шоттки представляет собой транзистор, у которого КП шунтирован диодом Шоттки. В интегральном исполнении это достигается очень просто – путем продления алюминиевого вывода Б в область К. Данный транзистор используется при создании быстродействующих ИМС.
Многоэмиттерный транзистор (МЭТ)
Структуру МЭТ можно рассматривать как несколько транзисторов с параллельно включенными Б и К. Количество Э в МЭТ составляет от 2 до 8. Такие транзисторы применяются в логических элементах цифровых ИМС, в частности являются основой логики ТТЛ (транзисторно-транзисторой логики).
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
Федеральное агентство по образованию... Государственное образовательное учреждение высшего профессионального... Тамбовский государственный технический университет...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Основы технологии и базовые элементы полупроводниковых ИМС
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов