Режим, который редко используется в ключевых устройствах. В этом случае переход база - эмиттер включен прямо ; а коллектор- база обратно . Режим используется для линейного усиления сигналов. При переключении ключа транзистор очень быстро из состояния отсечки через активный режим входит в насыщение и наоборот.
Ключ замкнут (транзистор открыт, режим насыщения). Оба p-n перехода транзистора смещены прямо
На границе насыщения (как в активном режиме) справедливо , где Iбн –ток базы насыщения (при вхождении в насыщение). С дальнейшим ростом тока базы получим , а ток не изменяется. При этом происходит накопление избыточного заряда в базе.
Отношение называют степенью насыщения транзистора. Сопротивление транзистора (сопротивление между коллектором и эмиттером) в режиме насыщения мало и составляет единицы - десятки Ом:
, где .
Режим насыщения реализует функцию замыкания. В соответствии с условием насыщения
; обычно S = 1,5…3.