Реферат Курсовая Конспект
Полупроводниковые индикаторы - раздел Философия, ИНДИКАТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА Элементами Отображения В Полупроводниковых Знакосинтезирующих...
|
Элементами отображения в полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторах являются светодиоды. Физический принцип действия светодиодов основан на инжекции неосновных носителей заряда через p-n-переход с их последующей излучательной рекомбинацией.
Для производства индикаторов наибольшее распространение получили эпитаксиальные структуры непрямозонного соединения фосфида галлия (GaP). На их основе удаётся получить эффективную люминесценцию в красной, жёлтой и зелёной областях спектра.
Из всего многообразия конструктивных решений полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов наиболее применяемыми на практике являются пять базовых конструкций: бескорпусные монолитные многоэлементные, монолитные многоразрядные, гибридные, гибридные с рассеянием света, многоэлементные со встроенными схемами управления.
Для монолитной одно- и многоразрядной конструкции прибора характерно расположение светоизлучающих элементов на одной общей полупроводниковой пластине, а для гибридной – светоизлучающие элементы устанавливаются по одному на определённых участках и по определённой структурной схеме на кристаллодержателе.
Преимущество монолитных индикаторов в том, что они дают возможность создавать большое число светящихся элементов любой конфигурации с любым взаимным расположением элементов. Их недостаток –
высокий расход полупроводникового материала.
Среди монолитных индикаторов с высотой знака от 2,5 до 5,0 мм наибольшее
распространение получили конструкции, изображённые на рис. 10. Для гибридных индикаторов с высотой знака от 7 до 12 мм характерна конструкция с полым керамико-стеклянным корпусом, изображённая на рис.11. Для гибридных индикаторов, основанных на принципе рассеяния света с высотой знака от 7 до 25 мм, чаще всего применяются конструкции, изображённые на рис.12.
Управление полупроводниковыми индикаторами осуществляется подачей на элементы отображения напряжения в статическом или динамическом режимах. При этом один элемент при номинальной яркости свечения в среднем потребляет ток порядка 10 мА. Быстродействие при номинальном напряжении питания 2¸5 В составляет порядка 10 нс.
Для управления единичными светодиодами обычно применяют статический способ управления с использованием транзисторных ключей или простых ключевых микросхем.
Для управления цифровыми сегментными индикаторами обычно используют двоично-десятичные дешифраторы.
Промышленностью разработаны специальные микросхемы, содержащие подобные устройства. Это микросхемы серии К514 (К514ИД1, К514ИД2, К514ПР1 и др.)
К достоинствам полупроводниковых индикаторов можно отнести их полную совместимость с микросхемами, возможность достижения свечения любого цвета, высокое быстродействие, надежность и долговечность, высокая механическая стойкость, возможность электрической регулировки яркости, малые габариты и масса. Однако полупроводниковые индикаторы остаются пока приборами индивидуального пользования. Для расширения областей их применения необходимо добиться снижения потребляемой мощности как минимум на порядок.
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
Федеральное агентство по образованию... Государственное образовательное учреждение высшего профессионального... Тамбовский государственный технический университет...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Полупроводниковые индикаторы
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов