Реферат Курсовая Конспект
Механизм работы и классификация МДП - транзисторов - раздел Философия, Механизм Работы И Классификация Мдп - Транзисторов....
|
Механизм работы и классификация МДП - транзисторов.
МДП - транзисторы отличаются от биполярных транзисторов, поскольку механизм их работы основан на перемещении только основных носителей заряда. В связи с этим их называют униполярными. Эти транзисторы имеют следующие преимущества перед биполярными: малый уровень шумов, большая стойкость к радиационным излучениям, устойчивость от перегрузок по току, высокое входное сопротивление. К недостаткам следует отнести меньшее быстродействие, худшую технологическую воспроизводимость параметров и большую временную нестабильность.
МДП - транзистор имеет четыре электрода, которые называют истоком, стоком, затвором и подложкой (рис. 1, а).
Рис.1. МДП - транзистор с индуцированным каналом p-типа:
а – упрощенная конструкция; б – условное обозначение.
Принцип действия МДП-транзистора основан на эффекте изменения электропроводности поверхностного слоя полупроводника между стоком и истоком под действием напряжения, приложенного к управляющему электроду (затвору), отделенному от поверхности полупроводника тонким слоем диэлектрика. Участок полупроводника с изменяющейся электропроводностью называют каналом и изображают на чертежах в виде скрещенных тонких линий.
Существуют две разновидности МДП - транзисторов: с встроенным каналом и с индуцированным каналом. В МДП - транзисторе с индуцированным каналом (рис. 1, а и рис. 2, а) при нулевом напряжении на затворе канал отсутствует.
Рис. 2. МДП - транзистор с индуцированным каналом n-типа:
а – упрощенная конструкция; б – условное обозначение.
Если увеличивать напряжение на затворе (по модулю), то при некотором значении напряжения затвор — исток U0,называемом пороговым напряжением, на поверхности полупроводника будет индуцироваться инверсный слой, электропроводность которого совпадает с электропроводностью истока и стока. В результате образования этого слоя, области стока и истока оказываются соединенными тонким токопроводящим каналом, и во внешней цепи возникает ток.
Структура МДП - транзистора с встроенным каналом такова, что создание канала в тонком приповерхностном слое полупроводника предусматривается самой технологией производства. Поэтому конструкция такого транзистора будет отличаться от конструкций, представленных на рис. 1, а и рис. 2, а, изображением нижней границы канала сплошной линией. Электропроводность канала обязательно совпадает с электропроводностью стока и истока. Поскольку электропроводность подложки обратна электропроводности канала, области стока, истока и канала отделены от подложки p-n-переходом. Ток в канале такого транзистора может возникать и при нулевом смещении на затворе.
Исток и сток в принципе обратимы, и их можно менять местами при включении транзистора в схему. В этом случае при симметричной структуре транзистора его параметры сохраняются, а при несимметричной структуре (сток и исток могут различаться формой, площадями) они будут отличаться.
В связи с тем, что до последнего времени наибольшее применение в цифровых ИМС получили МДП - транзисторы с индуцированным каналом, дальнейшее изложение будет относиться к транзисторам этого типа.
По электропроводности канала различают p-канальные и n-канальные МДП - транзисторы. Упрощенная конструкция этих приборов показана на рис. 1, а и рис. 2, а, а условное обозначение на электрических схемах — на рис. 1, б и рис. 2,б.
Существует классификация МДП - транзисторов по конструктивно-технологическим признакам (чаще по виду материала затвора) .
Интегральные микросхемы, содержащие одновременно p-канальные и n-канальные МДП - транзисторы, называют комплементарными (сокращенно КМДП - ИМС). КМДП - ИМС отличаются высокой помехоустойчивостью, малой потребляемой мощностью, высоким быстродействием. Эти преимущества, однако, достигаются за счет более сложной технологии с меньшим выходом годных схем.
Устройство биполярного транзистора.
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Это похоже на два диода, соединенных лицом к лицу или наоборот.
У биполярного транзистора три контакта (электрода). Контакт, выходящий из центрального слоя, называется база (base). Крайние электроды носят названия коллектор и эмиттер (collector иemitter). Прослойка базы очень тонкая относительно коллектора и эмиттера. В дополнение к этому, области полупроводников по краям транзистора несимметричны. Слой полупроводника со стороны коллектора немного толще, чем со стороны эмиттера. Это необходимо для правильной работы транзистора.
– Конец работы –
Используемые теги: механизм, работы, Классификация, МДП, транзисторов0.087
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Механизм работы и классификация МДП - транзисторов
Если этот материал оказался полезным для Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов