Оценочные средства для текущего контроля успеваемости и промежуточной аттестации

 

Текущий контроль знаний студентов, контроль самостоятельной работы студентов и промежуточные аттестации проводится с использованием тестовых вопросов.

Образцы вопросов для текущей аттестации приведены ниже.

 

1. Что определяет степень интеграции микросхем?

2. Как классифицируют полупроводниковые ИМС по конструктивно-технологическому признаку?

3. Что является основой конструкции полупроводниковых ИМС?

4. Какие методы изоляции применяют в полупроводниковых ИМС?

5. Какая структура транзистора у используется для построения биполярных транзисторов?

6. Какую роль выполняют скрытые слои в транзисторных структурах?

7. Как распределена объёмная проводимость кремния в структурных областях?

8. Как реализуются диоды в полупроводниковых ИМС?

9. Как реализуются конденсаторы в полупроводниковых ИМС?

10. Что представляют собой гибридные ИМС?

 

Примеры вопросов для проведения промежуточной аттестации приведены ниже.

1. Основные этапы производства полупроводниковых ИС

2. Технологические операции получения кристалла (чипа) будущей ИС

3. Операции сборки и корпусирования ИС

4. Оптимизация стоимости одного активного элемента в составе БИС

5. Стоимостные характеристики операции получения кристалла и сборки ИС

6. Вероятностные характеристики получения годной ИС

7. Минимизация стоимости изготовления одного элемента ИС

8. Конструктивные особенности КМДП ИС

9. Элементы схемотехники КМДП ИС

10. Полевые транзисторы с барьером Шотки

11. Сверхмалогабаритные полевые транзисторы

12. Кремниевый транзистор на изолирующей основе

13. Полевые транзисторы на основе структуры "кремний на сапфире"

14. Полевой транзистор с р -каналом длиной 50 нм

15. Физические ограничения на уменьшение размеров и рост степени интеграции

16. Минимально допустимые напряжения и токи в ИС

17. Статистическая воспроизводимость технологического процесса

18. Теплофизические ограничения на рост интеграции

19. Задержка и искажение импульсов на связях

20. Технологические ограничения на уменьшение размеров элементов ИС

21. Предельная степень интеграции

22. Принцип действия приборов с зарядовой связью

23. Линии задержки на ПЗС

24. Устройства записи информации на ПЗС

25. Устройство гетероперехода.

26. Выбор пары, образующий гетеропереход

27. Технология гетероперехода

28. Энергетическая диаграмма гетероперехода

29. Понятие о двумерном электронном газе

30. Фотодиод на основе р-перехода.

31. Режимы работы фотодиода

32. Гетеролазер. Характеристики излучения гетеролазера

33. Гетероструктурные биполярные транзисторы

34. Полевые транзисторы на основе гетероперехода

35. Нормальная (прямая) структура полевого транзистора на основе гетероперехода

36. Сверхмалогабаритные МДП транзисторы на основе гетероперехода

37. КМДП транзисторы на гетеропереходах с р и n двумерным газом

38. Особенности конструкции и использования маломощных СВЧ полевых транзисторов