Дисциплина оценивается по 100-бальной системе со следующими диапазонами баллов, соответствующими традиционным оценкам:
| Экзамен | ||||
| Академическая оценка (по 4-бальной системе) | Неудовлетворительно | Удовлетворительно | хорошо | отлично |
| Бальная оценка (по 100-бальной системе) | От 0 до 39 включительно | От 40 до 60 включительно | От 61 до 80 включительно | От 81 до 100 включительно |
| Зачет | ||
| Академическая оценка | Не зачтено | Зачтено |
| Бальная оценка (по 100-бальной системе) | От 0 до 39 включительно | От 40 до 100 включительно |
Аттестация студентов при изучении дисциплины складывается из текущей (две аттестации с максимальным числом баллов по 30) и промежуточной.
Текущая аттестация складывается из следующих составляющих:
| № | Наименование составляющей | Максимальные баллы | Примечание |
| Посещаемость лекционных и практических занятий | Две аттестации | ||
| Выполнение заданий по дисциплине (курсовая работа, практические занятия) | Две аттестации | ||
| Контрольные мероприятия к первой аттестации (тестирование) | |||
| Контрольные мероприятия ко второй аттестации (тестирование) | |||
| Итого |
Аттестации проводятся:
1. Первая текущая аттестация – 8Я неделя текущего семестра.
2. Вторая текущая аттестация – 15Я неделя текущего семестра.
3. Промежуточная аттестация – в день экзамена во время экзаменационной сессии.
Контрольные мероприятия в 5 семестре производятся для первой аттестации по 1-3 разделам дисциплины, для второй аттестации – по 4-6; в шестом семестре - для первой аттестации по разделам 7.1 - 7.3 дисциплины, для второй аттестации – по 7.4-7.6.
| № | Тема | Количество заданий | Критерий освоения |
| Основные этапы производства полупроводниковых ИС | |||
| Оптимизация стоимости одного активного элемента в составе БИС | |||
| Интегральные схемы на КМДП | |||
| Сверхмалогабаритные полевые транзисторы | |||
| Тенденции развития полупроводниковых интегральных схем | |||
| Физические ограничения на уменьшение размеров и рост степени интеграции | |||
| Технологические ограничения на уменьшение размеров элементов ИС | |||
| Принцип действия приборов с зарядовой связью | |||
| ПЗС в системах обработки информации | |||
| Преобразователь оптического сигнала на ПЗС | |||
| Основные свойства гетероперехода | |||
| Гетеропереход в устройствах интегральной оптики | |||
| Основные характеристики двумерного электронного газа в гетеропереходе | |||
| Биполярные транзисторы на основе гетероперехода | |||
| Полевые транзисторы на основе гетероперехода | |||
| Сверхмалогабаритные МДП транзисторы на основе гетероперехода | |||
| Область применения микроэлектроники СВЧ |
Допуск к экзамену (простановка оценки, если студент получил на это право по результатам текущего контроля успеваемости) производится после выполнения всех предусмотренных учебным планом и настоящей программой работ.
Получение 40 баллов и выше за текущие аттестации позволяет, при желании студента, не подвергать его второй ступени испытания на промежуточной аттестации и выставить оценку "удовлетворительно".
Студент, не проходивший межсессионного контроля (т.е. первую ступень испытания), или набравший на нем не более 20 баллов, или отказавшийся письменно от результатов текущей аттестации, сдает экзамен по всей программе в назначенный расписанием день промежуточной аттестации во время сессии.