Приоритетное развитие микроэлектроники.

Развитие микроэлектроники должно быть направлено на:

• разработку базовых технологий СБИС:

- КМОП технологии уровня 0,18-0,13 мкм на пластинах диаметром 200 мм с созданием опытного производства;

- опытной технологии КМОП СБИС с проектными нормами до 0,13 мкм и организация пилотной линии по выпуску специализированных СБИС на пластинах диаметром 200 мм;

- разработки технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и коррекцией оптического эффекта близости для производства СБИС и организацию межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации шаблонов технологического уровня до 0,13 мкм;

- ускоренное развитие систем проектирования сложных СБИС, включая СБИС типа «система на кристалле», ориентированных на разработку конкурентоспособных электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций, систем радиолокации, космического мониторинга, цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания, систем управления технологическими процессами и транспортом, систем безналичного расчета, научного приборостроения и обучения, систем идентификации, сжатия и кодирования информации, медицинской техники и экологического контроля с использованием:

- унифицированных библиотек стандартных элементов (отечественных и зарубежных производств);

- библиотек макроблоков и СФ-блоков, ориентированных по классам ЭКБ;

- платформ и стандартных интерфейсов;

- программно-аппаратных средств архитектурного проектирования и программирования, включая генерацию тестов.

• разработку новых поколений электронной компонентной базы:

- функционально полной номенклатуры аналоговых и логических БИС для комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи импортозамещения;

- СФ-блоков для обработки, сжатия и передачи информации в том числе:

q сигнальные и цифровые процессоры (в том числе программируемые) и микроконтроллеры;

q цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи;

q шины и интерфейсы (драйверы, приемопередатчики и т.д.);

q специализированные блоки для телекоммуникации, связи и АТМ технологии.

- комплектов специализированных СБИС типа «система на кристалле» сложностью до 10-50 млн. транзисторов для систем цифровой обработки сигналов (цифровое телевидение, радиовещание, сотовая и радиотелефонная связь, космический мониторинг, системы управления и контроля и т.д.);

- разработку приборов силовой электроники, включая:

- базовую технологию и конструкцию производства тиристоров и мощных транзисторов со структурой IGBT, силовых ключей прижимной конструкции на токи до 1500 А и напряжение до 6500 В;

- базовую технологию производства и конструкцию силовых микросхем, гибридных силовых приборов тиристорного типа, высоковольтных драйверов управления и интеллектуальных силовых модулей.

«Системы на кристалле»  новый класс перспективной электронной элементной базы, одно из наиболее динамично развивающихся направлений микроэлектронной техники, востребованной на рынке.

Развитие технологий СБИС «система на кристалле» неразрывно связано с развитием рынка СФ-блоков.

Динамика мирового рынка объема продаж СФ-блоков

Таблица 6

Анализ динамики мирового рынка СФ-блоков в период 2000-2004гг. показал, что среднегодовые темпы роста составили в среднем 36,5%, а в целом за десятилетний период объем продаж СФ-блоков в мире вырос более чем в 26 раз.

Темпы развития сектора многократно используемых СФ-блоков, повышающих надежность, ускоряющих и удешевляющих разработку СБИС «система на кристалле», имеют еще большую динамику: число конструкций таких СФ-блоков в период с 2000 по 2004 гг. увеличилось более чем в три раза, а за десятилетний период – в 41,7 раза.