Список сокращений и условных обозначений

 

ГП – гексагональная плотноупакованная кристаллическая решетка

ГЦК – гранецентрированная кубическая кристаллическая решетка

КМ – композиционные материалы

МММ – магнитомягкие материалы

МТМ – магнитотвердые материалы

ОЦК – объемно-центрированная кубическая кристаллическая решетка

ТКЛР, ТК_a – температурный коэффициент линейного расширения

ТО – термообработка

ТЭДС – термоэдс

ХТО – химико-термическая обработка

ЭРЭ – электрорадиоэлементы

s_в – временное сопротивление при растяжении

s_0,2 – предел текучести условный

s_Т – предел текучести физический

s_пц – предел пропорциональности

s_0,005 – условный предел упругости с допуском на остаточную деформацию 0,005%

s_в/r_q – удельная прочность

s – удельная электрическая проводимость

r_q – плотность материала

r_s – удельное поверхностное электрическое сопротивление

d – относительное удлинение при растяжении

Y – относительное сужение при разрыве

e – относительная диэлектрическая проницаемость

Е_сж, Е – модуль упругости при сжатии и продольной упругости соответственно

R_z – высота микронеровностей профиля по десяти точкам

R_а – среднее арифметическое отклонение профиля

НRC – твердость по Роквеллу (шкала С)

НВ – твердость по Бринеллю

HV – твердость по Виккерсу

l – коэффициент теплопроводности

R_V – электрическое объемное сопротивление

R_S – электрическое поверхностное сопротивление

r_V – удельное электрическое сопротивление объемное

m – относительная магнитная проницаемость

В – магнитная индукция

В_r – остаточная магнитная индукция

Н_С – коэрцитивная сила

tgd – тангенс угла диэлектрических потерь

ТК_r, α_ρ – температурный коэффициент удельного электрического сопротивления

W – удельная магнитная энергия

Е_пр – электрическая прочность

t – температура

МС – микросхема

ТК_ε – температурный коэффициент диэлектрической проницаемости