Подвижность носителей заряда в полупроводниках зависит от температуры, так как тепловое хаотическое колебание частиц мешает упорядоченному движению. Основные причины, влияющие на температурную зависимость подвижности это рассеяние на:
· тепловых колебаниях атомов или ионов кристаллической решетки;
· на атомах или ионах примесей;
· на дефектах решетки (пустых узлах, искажениях, связанных с внедрением иновалентных ионов, дислокациями, трещинами и т.д.).
Рис. 18. Энергетические диаграммы полупроводника
При низких температурах преобладает рассеяние на примесях и подвижность изменяется согласно выражению
, (16)
где - параметр полупроводника.