Зависимость подвижности носителей заряда от температуры в полупроводниках

Подвижность носителей заряда в полупроводниках зависит от температуры, так как тепловое хаотическое колебание частиц мешает упорядоченному движению. Основные причины, влияющие на температурную зависимость подвижности это рассеяние на:

· тепловых колебаниях атомов или ионов кристаллической решетки;

· на атомах или ионах примесей;

· на дефектах решетки (пустых узлах, искажениях, связанных с внедрением иновалентных ионов, дислокациями, трещинами и т.д.).

 

Рис. 18. Энергетические диаграммы полупроводника

 

При низких температурах преобладает рассеяние на примесях и подвижность изменяется согласно выражению

, (16)

где - параметр полупроводника.