Для собственного полупроводника концентрация свободных носителей заряда в зависимости от температуры определяется выражением:
, (17)
где - концентрация носителей заряда; - ширина запрещенной зоны; - постоянная Больцмана; - константа, зависящая от температуры.
Для примесных полупроводников:
, (18)
где - энергия ионизации примеси; - константа, не зависящая от температуры.