В каждом полупроводнике носители имеют некоторое среднее время жизни , так как генерируемые носители заряда могут рекомбинировать, встречаясь между собой и с различными дефектами решетки. характеризует время жизни неосновных (и неравновесных) носителей заряда, появляющихся, например, при воздействии на образец светом (условие равновесия ) характеризует равновесные носители заряда при данной температуре. Время жизни определяется по формуле:
, (21)
где тепловая скорость носителей заряда, сечение захвата, концентрация ловушек.
Значения и могут находиться в зависимости от типа полупроводника, носителей, температуры и других факторов в диапазоне от 10 -16 до 10 -2 с.