ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ , в-ва с четко выраженными св-вами полупроводников в широком интервале т-р, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов. Уд. электрич. проводимость а при 300 К составляет 104-10~10 Ом-1·см-1 и увеличивается с ростом т-ры. Для П. м. характерна высокая чувствительность электрофиз. св-в к внеш. воздействиям (нагрев, облучение, деформации и т.п.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей.
П. м. по структуре делятся на кристаллич., твердые аморфные и жидкие. Наиб. практич. применение находят неорг. кристаллические П. м., к-рые по хим. составу разделяются на след. осн. группы. Элементарные полупроводники: Ge, Si, углерод (алмаз и графит), В, a-Sn (серое олово), Те, Se. Важнейшие представители этой группы-Ge и Si имеют кристаллич. решетку типа алмаза (ал-мазоподобны). Являются непрямозонными полупроводниками; образуют между собой непрерывный ряд твердых р-ров, также обладающих полупроводниковыми св-вами.