1. Энергетическая зонная диаграмма полупроводника.
Между зоной проводимости Еп и валентной зоной Ев расположена зона запрещённых значений энергии электронов Ез. Разность Еп−Ев равна ширине запрещенной зоны Ез. С ростом ширины Ез число электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление возрастает.
Ширина запрещенной зоны равна и определяется энергией ковалентной связи.
С повышением температуры ширина запрещенной зоны уменьшается.
2. Рассеяние носителей заряда в полупроводниках.
Рассеяние – изменение направления и абсолютной величины скорости электрона в результате его взаимодействия с несовершенством периодического потенциала кристаллической решетки. Для количественной характеристики рассеяния служит l величина длина свободного пробега τ – среднее время между актами рассеяния.