Измерительная схема для снятия статических характеристик транзистора типа р-n-р в схеме с общим эмиттером представлена на рис.4. Потенциометры R1 (слева) и R2(справа) служат для плавного изменения напряжения UБ и UК соответственно от нуля до некоторого максимального значения.
Упражнение 1. Снятие входной характеристики транзистора – зависимости IБ от UБ при постоянном напряжении на коллекторе (UК = const).
1. Зарисовать в тетрадь таблицу 1 для записи результатов измерений.
2. Включить макет в сеть и установить потенциометром R2 напряжение между коллектором и эмиттером UК, равное нулю: UК = 0 В.
3. Изменяя с помощью потенциометра R1 напряжение между эмиттером и базой UБ от 0 до 200 мВ через 20 мВ, измерять каждый раз соответствующую силу тока базы IБ. Значение UК при измерениях поддерживать постоянным потенциометром R2. Результаты измерений заносить в таблицу 1:
Таблица 1
Результаты измерений и вычислений
| UБ, мВ | IБ, мкА | |
| при UК = 0 В | при UК = 6 В | |
| 0 | ||
| 20 | ||
| и так далее через 20 мВ до 200 мВ | ||
| 200 |
4. Установить потенциометром R2 напряжение UК= 6 В и повторить все измерения, указанные в п.3.
5. Отключить макет от сети.
6. Построить графики зависимости IБ = f(UБ) при двух постоянных значениях напряжения UК (0 и 6 В) в одних координатных осях.
Упражнение 2. Снятие выходной характеристики транзистора - зависимости IК от UК при постоянном токе базы (IБ =const).
1. Зарисовать в тетрадь таблицу 2 для записи результатов измерений.
2. Включить макет в сеть и установить потенциометром R2 напряжение UК= 9В и потенциометром R1 силу току базы IБ = 200 мкА.
Таблица 2
Результаты измерений и вычислений
| UК, В | IК, мА | |
| IБ = 200 мкА. | IБ = … мкА. | |
| 9 | ||
| 6 | ||
| 3 | ||
| 1 | ||
| 0 |
3. Уменьшая напряжение UК от 9 В до 0 (согласно таблице 2), измерять каждый раз соответствующую силу тока коллектора. Силу тока базы IБ поддерживать при измерениях постоянной потенциометром R1. Результаты измерений заносить в таблицу 2.
4. Установить другое значение силы тока базы IБ (по указанию преподавателя) и повторить все измерения, указанные в пункте 3.
5. Отключить макет от сети.
6. Построить графики зависимости IК = f(UК) при двух постоянных значениях силы тока базы IБ (в одних координатных осях).
Упражнение 3. Расчет статических параметров транзистора
1. По одной из входных характеристик вычислить входное сопротивление RВХ транзистора по формуле:
Rвх = DUБ /DIБ при Uк = .... В.
2. По одной из выходных характеристик вычислить выходное сопротивление Rвых транзистора по формуле:
Rвых =DUК /DIК при IБ = .... мкА.
3. Используя две выходные характеристики для некоторого значения Uк = .... В вычислить коэффициент усиления по току b в схеме с общим эмиттером по формуле:
b = DIК /DIБ при UК = .... В.