Используется в дискретных резисторах в виде тонких плёнок на керамическом основании. Получают путём термического разложения тяжёлого углеводорода (гептан С7Н16). При температуре около 1400К происходит разложение с выделением пиралитического углерода, который близок к графиту: ρ=1 мОм·см, ТКρ=(-2…-4)10-4 1/К. Обладает высокой стабильностью, низким ТКρ и низкой стоимостью. Но номинал таких резисторов не превышает 100 кОм.
Стабильность ТКρ повысить путём легирования бором (2-5%). Боруглеродистые резисторы являются прецизионными с отклонением номинала 0,5%.
Ограничение применения: углерод никогда не используют в качестве материала интегральных резисторов, так как он обладает низкой адгезией: даже при очень высоких температурах давление собственных паров в вакууме мало.
Только с появлением углеродистых паст он вернулся в толстоплёночную технологию (чип-резисторы).