Реферат Курсовая Конспект
Анализ подключения внешней памяти - Лекция, раздел Образование, Организация шин. Принципы построения МПС. Архитектура МП. Организация внешней памяти МК Внешняя Память Данных Представляет Собой Одну Или Несколько Самостоятельных М...
|
Внешняя память данных представляет собой одну или несколько самостоятельных микросхем памяти. Чаще всего используют статическую память с байтовой организацией объемом 2К*8 или 8К*8 бит (1К = 1024). Такие микросхемы; имеют 8 выводов данных (D0-D7), по которым осуществляется одно-временная запись в микросхему всех 8 бит в выбранную ячейку памяти или чтение 8 бит из этой ячейки. Далее, в таких микросхемах есть 11 или. 13 адресных входов (А0-А10 или А0-А12), комбинация сигналов на которых задает адрес ячейки, к которой мы обращаемся. Вход (Write Enable – Разрешение Записи) определяет характер обращения: если на нем установлена 1, то осуществляется чтение из выбранной ячейки; при WE = 0 в ячейку будет записана информация. Вход (Chip Enable - Разрешение Кристала) активизирует микросхему памяти — когда на ее входе СЕ установлена 1, она выключена, при СЕ = 0 она допускает запись в нее информации и чтение из нее записанных данных. Нулевой сигнал на входе (Output Enable – Разрешение Вывода) включает выходные буферы микросхемы памяти на пропускание информации по линиям данных D0-D7, единичный сигнал переводит эти линии в третье состояние, т. е. отключает находящиеся внутри микросхемы ячейки памяти от ее ножек. Описываемые микросхемы изображены на рисунке 7.
Рисунок 7 – Обозначение микросхем памяти
Работа с подобными микросхемами должна осуществляться следующим образом. Положим, мы хотим записать число 145D = 10010001В в ячейку с адресом 84D = 54Н = 1010100В. Для этого МК должен установить записываемое число на линиях данных D0-D7 микросхемы (D0=D4=D7=1, D1=D2-D3=D5=D6=0), а адрес ячейки — на адресных линиях (А2=А4=А6=1, А0=А1=АЗ=А5=0; А7, А8 и последующие старшие адреса вплоть до А10 для микросхем объемом 2К* 8 или до А12 для микросхем 8К*8 также должны быть установлены в 0). Установив адресную информацию и данные, МК одновременно с этим или чуть позже должен установить 0 на входе WE микросхемы (будет запись) и 0 на СЕ (знак того, что мы обращаемся именно к этой микросхеме). Как только после этого на входе ОЕ микросхемы памяти МК установит 0, осуществится запись числа 145 в ее 84-ю ячейку.
Соответственно, если мы хотим прочитать данные из все той же, к примеру, 84-й ячейки, мы должны, как и в предыдущем случае, установить адрес ячейки на адресных линиях, и одновременно с этим или чуть позже установить 1 на входе WE микросхемы (будет чтение) и 0 на СЕ (знак того, что мы обращаемся именно к этой микросхеме). Как только после этого на входе ОЕ микросхемы памяти МК установит 0, осуществится чтение числа из выбранной ячейки, и оно появится на линиях данных D0-D7 микросхемы памяти. Сказанное поясняется временными диаграммами, приведенными на рисунке 8.
Рисунок 8 – Диаграммы чтения и замиси микросхем памяти
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
План лекции Организация шин Принципы построения микропроцессорных систем Обобщенная структурная схема МПС Архитектура МП Анализ подключения... Организация шин Конструктивно шина... Обобщенная структурная схема МПС...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Анализ подключения внешней памяти
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов