Оптимальная частота генерации импульсов накачки ОКГ

где Uc_б.— напряжение на буферной емкости, В; U_вых — напряжение на выходе накопителя, В. Максимальное значение энергии, потребляемой от сети,

где R = r + R1; r—внутреннее сопротивление источника, Ом; R1 —сопротивление зарядного контура, Ом.

 

 

 

 

 

 

Рис.4 Характеристики экспериментального блока питания (Ртр-мощность трансформатора)

 

Напряжение на буферной емкости

КПД системы накачки

 

Для накопления энергии в батарее конденсаторов можно ис­пользовать бестрансформаторные схемы питания (рис. 5) с удвое­нием или утроением напряжения.

 

Наиболее целесообразно, с точки зрения получения наименьших габаритов, приме­нить схему двухполупериодного удвоения напряжения при питании от сети переменного тока с напряжением 380 В. При однополупериодной схеме удвоения увеличи­вается время заряда батареи конденсаторов. Кроме того, конденсаторы приходится рассчитывать на удвоенное амплитудное значение сети, что приводит к увеличению габаритов блока питания.

В показанной на рис. 5 схеме применено удвоение на­пряжения по двухполупериодной схеме на конденсаторах типа МБГВ 1000х100. Напряжение на блоке конденса­торов равно удвоенному амплитудному значению напря­жения сети (380 В), т. е. Uс= 2U 2= 1070 В. Схемы с удвоением и утроением напряжения, в которых исполь­зуются конденсаторы типа ЭФ или МБГВ, можно приме­нять при частоте вспышек ОКГ до 2 Гц. КПД схемы с удво­ением напряжения составляет около 40%.

Схемы, содержащие индуктивно-емкостные пре­образователи (ИЕП) источника напряжения в источник неизменного зарядного тока, просты, надежны и обеспечи­вают оптимальный закон изменения зарядного тока и на­пряжения накопителя.

 

Рис. 5 Схема бестрансформаторной системы накачки.

 

Основное свойство ИЕП — стабилизировать ток нагрузки при ее

изменении. При питании схемы с ИЕП синусоидальным

на­пряжением с амплитудой U1 ток нагрузки

 

Если индуктивность L и емкость С выбраны из условия резонанса при частоте приложенного напряжения w, т. е. wLC =1, ток нагрузки не зависит от величины сопротивления нагрузки: Iн=U1/(jwL). Таким образом, ИЕП имеет вольт-амперную характеристику источника тока.

В устройствах заряда накопителей могут быть использо­ваны Т-образные схемы ИЕП. Их основные положитель­ные качества — простота осуществления тиристорного управления (управляемые диоды УД1, УД2 на рис. 6) уровнем предразрядного напряжения, малый ток короткого замыкания, хорошее согласование с преобразователями постоянного напряжения в переменное, возможность сни­жения установленной мощности реактивных элементов.

 

Рис. 6 Схема системы накачки с управляемыми диодами

 

В заключение отметим, что все рассмотренные системы накачки твердотельных ОКГ рассчитывались, макетирова­лись и испытывались с импульсными ксеноновыми лампами типов ИФП-600, ИФП-800.

 

 

Все элементы схем выбирались из условий работы прибора в диапазоне температур ±50° С и относи­тельной влажности 98%.