ЗУ ТИПА 3D

Для построения ЗУ больших объемов используют другую схему и другие типы ЗЭ, которые имеют не один, а два конъюнктивно связанных входа выборки. В этом случае адресная выборка осуществляется только при одновременном появлении двух сигналов. Использование таких ЗЭ позволяет строить ЗУ с трехкоординатным выделением ЗЭ. Итак, ЗУ типа 3D отличается от 2D тем, что к каждому ЗЭ подходят три линии выборки: две координатные и одна разрядная.

Запоминающий массив ЗУ типа 3D представляет собой пространственную матрицу, составленную из n плоских матриц. Каждая плоская матрица представляет собой ЗМ для запоминания j-х разрядов всех слов, т.е. запоминающие элементы для одноименных разрядов всех хранимых в ЗУ чисел сгруппированы в квадратную матрицу из рядов по ЗЭ в каждом. Это означает, что к записи или считыванию готов только тот элемент, для которого сигналы адресной выборки по координатам X и Y совпали. Для адресной выборки ЗЭ в плоской матрице необходимо задать две его координаты в ЗМ.

Структура матрицы j-го разряда в ЗУ типа 3D представлена на рис. 4.7. Код адреса i-й ячейки памяти разделяется на старшую и младшую части, каждая из которых поступает на свой адресный формирователь. Адресный формирователь БАВ1 выдает сигнал выборки на линию i', а БАВ2 – на линию i''. В результате в ЗМ оказывается выбранным ЗЭ, находящийся на пересечении этих линий (двух координат), т.е. адресуемый кодом i=i' / i'' (ЗЭ серого цвета). Адресные формирователи управляются сигналами Чт и Зап и в зависимости от них выдают сигналы выборки для считывания или для записи. При считывании сигнал о состоянии выбранного ЗЭ поступает по j-линии считывания к БУС (третья координата ЗЭ при считывании). При записи в выбранный ЗЭ будет занесен 0 или 1 в зависимости от сигнала записи в j-й разряд, поступающего по j-й линии от БУЗ (третья координата ЗЭ при записи). Для полупроводниковых ЗУ характерно объединение в одну линию разрядных линий записи и считывания.

Для построения n-разрядной памяти используется n матриц рассмотренного вида. Адресные формирователи здесь могут быть общими для всех разрядных ЗМ.

Запоминающие устройства типа 3D более экономичны по оборудованию, чем ЗУ типа 2D. Действительно, сложность адресного формирователя с m входами пропорциональна 2^m, отсюда сложность двух адресных формирователей ЗУ типа 3D, пропорциональная , значительно меньше сложности адресного формирователя ЗУ типа 2D, пропорциональной 2^k. Поэтому структура типа 3D позволяет строить ЗУ большего объема, чем структура 2D.

Структура типа 3D является наиболее удобной для построения статических ЗУ на многоэмиттерных биполярных транзисторах.