Випрямляючі діоди - раздел История, Пасивні компоненти. Резистори. Конденсатори. Індуктивні компоненти
Випрямляючі Діоди Призначені Для Перетворення Змінного Струму...
Випрямляючі діоди призначені для перетворення змінного струму пониженої частоти в постійний і вони розподіляються на випрямляючі діоди Iвипр < 10 А та силові вентилі (Iсер > 10 А). Гранична робоча частота випрямляючих діодів не перевищує 5…20 кГц. Останнім часом в нашій країні розроблені та серійно випускаються силові вентилі типу ВЧ, що працюють на частотах 200 кГц.
Основою випрямляючого діода є напівпровідникова прямокутна або круглої форми пластина з p-n переходом. На пластину з двох сторін наносять металеві контакти, до яких під’єднуються зовнішні електроди. Отриманий випрямляючий елемент розміщзують в корпус, що забезпечує необхідну механічну міцність та захист від дії навколишнього середовища.
Мінімальна товщина напівпровідникової пластини залежить від її механічної міцності. Завдяки цьому ширина базової області p-n переходу набагато більше ширини емітерної області. Для виготовлення діодів як вихідний матеріал використовують напівпровідники n -типу, і тому базова область діода має електронну провідність і концентрація домішок в базі набагато менша, ніж в емітері, тому опір бази набагато більший за опір емітера і приблизно рівний по величині опору p-n переходу. Площа p-n переходу залежить від допустимої величини струму, але максимальна величина площі визначається механічною міцністю напівпровідникової пластини, яка в свою чергу залежить від якості контактів металевих електродів та напівпровідників, які мають різні коефіцієнти лінійного розширення. Тому в процесі експлуатації при багаторазових циклах нагріву (за рахунок протікання прямого струму) та охолодження можливе розтріскування напівпровідниковіх пластинок великої площі через явище стомлювання.
ВАХ та параметри випрямлюючого діоду відрізняються від аналогічних для ідеального p-n переходу завдяки впливу ширини базової області, якості контактів та поверхні напівпровідника.
Ця різниця показана на рис. 2.8 де приведена ВАХ ідеального переходу (крива 1) і реального діода (крива 2). Прямі гілки ВАХ відрізняються на величину ∆U, що являє собою суму падінь напруги на контактах UК в областях емітера UЕ і бази UБ: ∆U = UК +UЕ + UБ.
Для наближених розрахунків можна знехтувати падінням напруги в області емітера та на контактах, опір яких набагато менший опору бази.
Рисунок 2.8 – Вольт-амперна характеристика випрямляючого діода
З урахуванням цього припущення ВАХ діода можливо описати рівнянням
,
яке справедливе для невеликих ділянок ВАХ, що характеризуються низькими значеннями прикладеноїнапруги (прямої і зворотної).
При підвищенні прямої напруги потенціальний бар’єр p-n переходу дещо знижується і практично перестає впливати на прямий струм діода, значення якого в основному залежить від опору базової області. Внаслідок цього струм діоду лінійно залежить від напруги.
Цей відрізок прямої гілки ВАХ, що називається омічним, описується наближеним рівнянням
І = (U – U0)/Rд ,
де U0 – напруга відсікання, рівна відрізку, що відсікається на осі напруг лінійною частиною характеристики;
Rд – динамічний опір, що характеризує нахил лінійної частини характеристики (рис. 2.9).
Опір Rд збільшується при підвищенні температури. Про це свідчить зменшення кута нахилу з підвищенням температури. Параметри U0 і Rд знаходяться з ВАХ (рис. 2.9) або приймаються рівними U0 =(0,4...0,7)φ0 , Rд = rб .
На кривій зворотного струму Ізв діода відсутня дільниця насичення, характерна для ідеального діода з p-n переходом. Ріст струму зумовлений ефектами генерації і лавинного розмноження носіїв заряду в об’ємі p-n переходу, а також впливом поверхневих струмів втечі.
Рисунок 2.9 – Вольт-амперна характеристика випрямляючого діода
Рівняння для зворотного струму має вигляд
IЗВ = М(I0 + ІT)+Iвт ,
де М – коефіцієнт лавинного розмноження носіїв заряду, який залежить від властивостей напівпровідникових областей, що створюють p-n перехід , а також від величини зворотної напруги;
I0 – струм насичення, зумовлений генерацією носіїв заряду за межами області p-n переходу;
IT – струм термогенерації, зумовлений генерацією носіїв заряду в області p-n переходу;
Iвт – струм втечі, зумовлений поверхневою електропровідністю поверхні напівпровідника у p-n переході.
Вітчизняною промисловістю випускається широка номенклатура германієвих і кремнієвих випрямляючих діодів на струми до 500 А і на зворотні напруги до 1000 В.
Найпростіша схема випрямляча на напівпровідниковому діоді має вигляд, наведений на рис. 2.10.
Рисунок 2.10 – Схема випрямляча на напівпровідниковому діоді
В селеновому випрямлячі p-n структуру складає дірковий полікристалічний селен, який знаходиться в стальній або алюмінієвій підкладці і покриваючий з зовнішньої сторони тонким шаром селеніда кадмія, який має електронну провідність.
2.6 Тунельні діоди
Тунельними діодами називаються напівпровідникові діоди, p-n перехід яких утворюється з двох вироджених напівпровідників. Виродженими називають напівпровідники з високою концентрацією носіїв заряду порядка 1019 См-3 і більше
В 1958 році було встановлено, що такі напівпровідники мають аномальну ВАХ (рис. 2.11). На відміну від інших діодів вони добре проводять струм не тільки в прямому, але й в зворотньому напрямках, а на прямій гілці ВАХ має місце ділянка струму. Аномальний хід характеристики сильно легованих p-n структур зумовлений, як було встановлено, тунельним ефектом. Як відомо, частинка, що має енергію, недостатню для проходження через потенціальний бар’єр, може все ж таки пройти крізь нього, якщо з другої сторони цього бар’єру є такий же вільний енергетичний рівень, який займала частинка перед бар’єром. Це явище називається тунельним ефектом. В квантовій механіці показується, що ймовірність тунельного переходу тим вища, чим вужчий потенціальний бар’єр і чим менша його висота. Тунельний перехід здійснюється електронами без витрат енергії.
Рисунок 2.11 – Вольт-амперна характеристика тунельного діода
В звичайних діодах, які мають концентрацію домішок в менш легованій області 1017 1/см3, товщина p-n переходу порівняно велика і ймовірність тунельного переходу мала.
В тунельних діодах завдяки високій концентрації товщина p-n переходу становить 0,01 мкм, тобто бар’єр є дуже вузьким. В цих умовах ймовірність тунельного переходу електронів через бар’єр виявляється значною, що і призводить до зміни вигляду його характеристики.
Розглянемо енергетичну діаграму сильно легованої p-n структури при різних значеннях прикладеної до неї напруги. Внаслідок високої концентрації домішок локальні рівні в такій структурі перетворюються в суцільну зону, а рівень Фермі зміщується в зону провідності в n–області і в валентну зону p-області. Напівпровідники такого типу називаються виродженими. Енергетична діаграма тунельного діоду при нульовому зміщенні приведено на рис. 2.12. Штриховкою показані енергетичні рівні, які заповнені електронами. В цьому випадку електрони можуть здійснювати тунельні переходи в обох напрямках; в стані рівноваги сумарний струм дорівнює нулю.
Рисунок 2.12 – Енергетична діаграма тунельного діода
Якщо на тунельний діод подано зворотню напругу, то енергетичні зони зміщуються таким чином, що напроти заповнених рівнів валентної зони p-області розміщуються вільні рівні зони провідності n-області (рис. 2.13). При цьому домінуючим буде потік електронів, які здійснюють тунельний перехід із валентної зони p-області в зону провідності n-області, що приведе до зростання зворотнього струму діода. Нагадаємо, що в звичайних діодах зворотній струм невеликий, оскільки він створюється за рахунок екстракції неосновних носіїв, які мають малу концентрацію.
Якщо на тунельний діод подано пряме зміщення, то заповнені рівні зони провідності n-області розміщуються напроти пустих рівнів валентної зони p- області і починає домінувати тунельний перехід електронів із зони провідності n-області в валентну зону p-області (рис. 2.14).
Рисунок 2.13 – Енергетична діаграма тунельного діода при подачі зворотної напруги
Рисунок 2.14 – Енергетична діаграма тунельного діода при прямому зміщенні
Тунельний струм, який створюється за рахунок цих переходів, має значно більшу величину ніж звичайний дифузійний струм, який показаний на характеристиці пунктиром (рис. 2.15). Він досягає максимального значення коли рівень Фермі p-області співпадає з верхнім рівнем валентної зони p-області, що відповідає напрузі на діоді порядка 40…50 мВ для германієвих діодів і 100…150 мВ для діодів із арсенід галію. При подальшому збільшенні прямого зміщення перекриття заповнених і пустих рівнів зменшується і тунельний струм падає. Коли зона провідності n-області повністю встане навпроти забороненої зони p-області, тунельний струм повинен впасти до нуля і в діоді повинна залишитись лише дифузійна складова струму. Однак в цьому режимі через діод тече надлишковий струм, який визначається локальними рівнями в забороненій зоні.
Все темы данного раздела:
ПЕРЕЛІК СКОРОЧЕНЬ
АЕ
активний елемент
АФ
активний фільтр
АЧХ
амплітудо-частотна характеристика
Класифікація й основні параметри резисторів
Згідно найбільш поширеній класифікації розрізняють такі типи резисторів (resistors):
1. Постійні резистори з фіксованим значенням опору, залежно від призначення бувають: загального
Маркування резисторів
На кожному недротяному резисторі вказуються номінальний опір, допустимі відхилення опору від номінального та тип резистора. Якщо рівень шумів резистора менше 1 мкВ/В, на ньому ставиться буква А.
Спеціальні резистори
Спеціальні або нелінійні резистори – це елементи із заздалегідь передбаченими та спрямованими змінами опору при наявності тих або інших впливів.
Варистори (varistors) – це елементи,
Застосування резисторів у схемотехніці
Резистори у схемотехніці виконують одну з основних функцій – забезпечення зміщення робочої точки транзисторних каскадів за допомогою подільника напруги (рис. 1.3, а) або подільника струму (рис. 1.3
Конденсатори
Електричний конденсатор (capacitor) – це елемент, що являє собою систему з двох провідників (обкладинок), розділених діелектриком, і володіє властивістю накопичувати електричну енергію (ємні
Загальна класифікація конденсаторів
За характером зміни ємності конденсатори ділять на декілька груп (рис. 1.4, 1.5).
Конденсатори постійної ємності – це конденсатори з фіксованою ємністю, що у процесі експлуатації не регулю
Основні параметри конденсаторів
Питома ємність конденсатора – відношення ємності до об’єму або маси конденсатора. Цей параметр використовується при масогабаритній оптимізації конструкції.
Номінальна ємність конденсатора
Маркування конденсаторів
Повне маркування конденсаторів містить: позначення типу конденсатора, номінальні ємність і напругу, допустиме відхилення ємності від номінальної (у процентах), групу ТКЄ, місяць і рік випуску. Марк
Конденсатори змінної ємності
Конденсатори змінної ємності (КЗЄ) – елементи радіоапаратури, призначені для зміни параметрів резонансних контурів.
Конструкція будь-якого конденсатора змінної ємності містить: систему нер
Нелінійні конденсатори
Варикондами (varicond) називаються конденсатори з діелектриком зі спеціального сегнетокерамічного матеріалу, що володіє властивістю різко змінювати діелектричну проникність при зміні напруже
Високочастотні котушки індуктивності та дроселі
Залежно від призначення розрізняють:
– контурні котушки (coils), які утворюють разом з конденсаторами коливальний контур (oscillatory circuit);
– котушки зв'язку, як
Трансформатори
Трансформатором (transformer) називається елемент, призначений для одержання різних за амплітудою, потужністю і фазою змінних напруг, а також здійснення гальванічної розв'язки в електричному
Запитання та завдання для самоконтролю
1. За якими групами класифікують резистори?
2. Що таке номінальний опір резистора?
3. Перелічте основні функції резисторів.
4. Від чого залежить електричний опір тензорез
Класифікація і маркування діодів
Діодами називають двоелектродний прилад, основою якого є електронно-дірковий перехід. Виготовляються діоди з кремнію, германію або арсенід галію.
Конструктивно діод являє с
Маркування малопотужних діодів та діодів середньої потужності
Як правило, використовують маркування, яке складається із 5 або 6 елементів. Перший елемент маркування – (буква або цифра), яка визначає матеріал, з якого виготовляється напівпровідниковий діод:
Маркування надвисокочастотних діодів
Змішувальні – 1; детекторні – 2; параметричні – 4; регулюючі – 5; перемножувальні – 6; генераторні – 6.
Варикапи: підстроюючі – 1; помножувальні – 2.
Тунельні діоди: підсилюючі –
Вольт-амперна характеристика діода
Властивостями p-n переходу визначаються всі найважливіші параметри і характеристики напівпровідникового діода. Реальна характеристика діода приведена на рис. 2.2.
Пробій діода
При великій зворотній напрузі струм діода починає різко зростати. Це явище називається пробоєм. Відмітимо, що пробій супроводжується виходом з ладу діода лише в тому випадку, коли виникає надмірний
Тепловий пробій
Він виникає внаслідок нагрівання переходу струмом, що проходить через нього, при недостатньому тепловідводі, який забезпечує стійкість теплового режиму переходу.
В режимі постійного струму
Вплив температури на характеристики діода
При збільшенні температури різко зростає концентрація неосновних носіїв в напівпровідниках і, як наслідок, зворотній струм переходу I0, згідно з співвідношенням
Напівпровідникові стабілітрони
Напівпровідникові стабілітрони – це діоди на зворотній гілці вольт-амперної характеристики яких є дільниця зі слабою залежністю напруги від струму, тобто стабілітрон працює в режимі
Варикапи
Варикапи – це напівпровідниковий діод, в якому використовується залежність ємності p-n переходу від зворотної напруги, тобто це елемент з електрично керуваною величиною електроємнос
Високочастотні діоди
Ge i Si ВЧ діоди з точковим контактом використовуються на частотах близьких до декілька сот МГц для випрямлення, детектування коливань та інших нелінійних перетворень.
Електронно-дірковий
Обернені діоди
Обернений діод – різновидність тунельного діоду, в якого струм піку Іп = 0. Вольт-амперна характеристика та умовне позначення обернених діодів на електричних
Мпульсні діоди
Імпульсні діоди використовуються для роботи в ключових схемах. Крім основних параметрів Iпр, Uпр, Iзвор, Uзвор для діодів цього типу приладів вказ
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Назвіть основні матеріали для виготовлення діодів.
2. Що характеризує температурний коефіцієнт напруги?
3. Для чого призначені випрямляючі діоди?
4. Чим відрізняються
Структура транзисторів
Транзистором називають електроперетворювальний напівпровідни-ковий прилад, який складається, яке правило, із двох p-n переходів. Структура площинного транзистора схемати
Класифікація біполярних та уніполярних транзисторів
Класифікація транзисторів по їх призначенню, фізичним властивостям, основним електричним параметрам, конструктивно-технологічним ознакам, роду початкового напівпровідникового матері
Принцип дії біполярного транзистора
Енергетична діаграма для площинного транзистора p-n-p типу приведена на рис. 3.3.
Статичні параметри біполярних транзисторів
Як елемент електричної схеми транзистор завжди використовується таким чином, що один із його електродів є вхідним, другий вихідним, а третій – спільним. В залежності від того, який
Режими роботи і статичні характеристики біполярних транзисторів
Поряд з описаним активним режимом транзистор в ряді імпульсних, ключових та інших схем транзистор може працювати в режимі відсікання або в режимі насичення.
В режимі відсіч
Параметри транзистора як чотириполюсника
При роботі транзистора з малим сигналом можна вважати, що робочі ділянки ВАХ біполярного транзистора є лінійними, а сам транзистор є лінійним підсилювачем (елементом). При цьому його зручно предста
Частотні властивості біполярного транзистора
Параметри транзистора в діапазоні частот до 800-1000 Гц практично не залежать від частоти. З підвищенням частоти починає проявлятися комплексний характер параметрів транзистора і в
Принципи підсилення в транзисторі при активному режимі роботи
В схемі зі спільною базою в вихідному колі (колекторному) протікає майже той же струм, що і у вихідному колі (емітері), тому підсилення струму в цьому випадку відсутнє. Проте ця схе
Робота транзистора в імпульсному режимі
Транзистор часто використовують в імпульсних пристроях та в якості транзисторного ключа. При роботі транзистора в імпульсних пристроях від нього, як правило, вимагається неспотворен
Будова та характеристики уніполярних транзисторів
Канальним транзистором називається трьохелектродний напівпровідниковий прилад, в якому керування струмом здійснюється шляхом зміни товщини напівпровідникового шару, що проводить стр
МДН-транзистори
Будова МДН-транзисторів подана на рис. 3.15.
Вони розподіляються на дві групи: з вбудованим і з індуктивним каналами.
Параметри уніполярних транзисторів
Основним параметром уніполярних транзисторів є крутизна прохідної ВАХ, яка визначається рівнянням
Частотні властивості уніполярних транзисторів
Принцип дії польових транзисторів не зв’язаний з інжекцією неосновних носіїв заряду в базі та їх відносно повільним рухом до КП. Це прилад без інжекції, тому інерційність та частотн
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Як можна збільшити швидкодію транзистора, що працює в режимі ключа?
2. Чи залежать параметри транзистора в діапазоні частот до 800-1000 Гц від частоти?
3. Що є основою транзист
Коефіцієнти підсилення
Коефіцієнт підсилення – один з найважливіших показників аналогових електронних пристроїв, який показує у скільки разів корисний ефект, при заданому навантаженні на виході пристрою,
Амплітудно-частотна характеристика. Коефіцієнти частотних спотворень
Сигнал, проходячи крізь пристрій аналогової обробки, перетворюється. Форма складного сигналу на виході лінійного перетворювача може відрізнятися від форми, сигналу на його вході у
Фазочастотна характеристика
Фазочастотна характеристика підсилювача показує залежність від частоти фазово
Перехідні характеристики. Спотворення імпульсних сигналів
Перехідною характеристикою (ПХ) підсилювача називається залежність миттєвого значення вихідної напруги (або струму) від часу при стрибкоподібній зміні вхідної напруги (струму) (рис
Нелінійні спотворення. Коефіцієнт нелінійних спотворень
Нелінійні спотворення – це спотворення форми вихідного сигналу, спричинені наявністю в схемі підсилювача нелінійних елементів. Активні елементи підсилювальних схем в процесі роботи
Амплітудна характеристика. Динамічний діапазон
Амплітудною характеристикою (АХ) підсилювального пристрою зветься залежність сталого значення вихідної напруги бід вхідної
Коефіцієнт корисної дії. Номінальна вихідна потужність
Коефіцієнт корисної дії (ККД) підсилювача або його окремого каскаду визначається відношенням
Внутрішні завади аналогових пристроїв
Для оцінки якості та умов роботи пристроїв необхідно використовувати такі допоміжні поняття: наводка, фон, мікрофонний ефект, тепловий шум.
Наводкою зветься напруга, утво
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Сформулюйте означення АЧХ каскаду. По якому рівню визначають ширину смуги пропускання при підсиленні а) напруги; б) потужності.
2. Нарисуйте ідеальну і реальну ФЧХ каска
Основні засоби забезпечення зворотного зв’язку
Зворотний зв’язок це передача сигналу з виходу підсилювача чи окремого його каскаду на вхід (рис. 5.1).
Вплив зворотних зв’язків на коефіцієнти підсилення струму та напруги
Якщо коефіцієнт підсилення підсилювача без зворотного зв’язку позначити , коеф
Вплив зворотних зв’язків на вхідний та вихідний опір
Характер зміни вхідного опору визначається способом введення зворотного зв’язку у вхідне коло, а вихідного опору — у вихідне коло.
Для визначення зміни вхідного опору у вип
Вплив зворотного зв’язку на інші показники пристрою
Якщо позначити напругу гармонік, фону чи завади на вході пристрою з ВЗЗ як
Стійкість пристрою зі зворотним зв’язком
Питання стійкості та використання різних критеріїв щодо її оцінки є основним у схемотехнічних дисциплінах при розгляді питань проектування аналогових і цифрових пристроїв. Нагадаємо
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Нарисуйте структурні схеми каскаду охопленого зворотним зв’язком: а) паралельним по напрузі; б) паралельним по струму; в) послідовним по напрузі; г) послідовним по струму. Поясні
Кола живлення каскадів на уніполярних транзисторах
Кола живлення, що забезпечують функціонування каскадів на польових транзисторах Зазначимо, що уніполярні транзистори бувають трьох типів: польові (ПТ) з керованим p–n–переход
Кола живлення каскадів на біполярних транзисторах
Властивості біполярних транзисторів (БТ) як активних елементів визначаються його вхідними, вихідними та прохідними характеристиками. Типовий вигляд деяких характеристик БТ зображено
Динамічні характеристики каскадів
У розрахунках електричних характеристик підсилювальних каскадів використовуються такі динамічні характеристики:
- вихідна — залежність вихідного струму бід вихідної напруг
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Яким чином впливає на режим роботи підсилювального каскаду резистор навантаження та його зміна?
2. Визначте, які схеми підсилювальних каскадів забезпечують найбільшу сті
Використання еквівалентних схем для аналізу каскадів попереднього підсилення
Попередні підсилювальні каскади призначені для підсилення малої напруги вхідного сигналу до значення, достатнього для функціонування кінцевих (звичайно потужних) каскадів (рис. 7.1). Однією а осно
Аналіз резисторного підсилювального каскаду зі спільним емітером у різних частотних областях
Під час аналізу підсилювального каскаду на БТ (рис. 7.8) слід пам’ятати, що параметри БТ мають яскраво виражену залежність від частоти, наприклад
Перехідні характеристики резисторного підсилювального каскаду
У процесі роботи підсилювального каскаду з імпульсним сигналом ємності та
Повторювачі напруги
Витоковий повторювач (каскад спільній стік) становить собою каскад, охоплений 100% ВЗЗ послідовного виду за напругою (рис. 7.14, а, б). Зворотний зв’язок забезпечується так само, як
Повторювачі струму
Каскад із спільною базою (рис. 7.18, а) можна розглядати як каскад спільний емітер (СЕ), охоплений 100%–вим паралельним від’ємним зв’язком за струмом (рис. 7.18, б).
Каскади з динамічним навантаженням
За побудови каскадів попереднього підсилення знаходить застосування принцип динамічного навантаження, який дозволяє дістати великий коефіцієнт підсилення. Очевидно, що підвищення
Диференціальні каскади
Ефективним засобом зменшення впливу зовнішніх факторів (зміни температури, напруги живлення, розкиду параметрів на роботу підсилювача) є використання диференціальних каскадів (ДК),
Каскади на складених транзисторах
Складений транзистор використовується у каскадах, де необхідно забезпечити великий коефіцієнт підсилення струму. Найбільш поширений складений транзистор за схемою Дарлінгтона (рис
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Як зміниться коефіцієнт підсилання каскаду на середніх частотах, якщо замість одного резистора навантаження ввімкнути два однакових у паралель? а)
Необхідність корекції та її принципи
На практиці виникає необхідність забезпечити широку смугу пропускання пристрою (1, 10, 100 МГц). Прості схеми підсилювачів не можуть забезпечити рівномірне підсилення сигналу у широ
Методи визначення параметрів, що забезпечують рівномірність АЧХ та лінійність ФЧХ у найбільшій області частот
Метод визначення параметрів схеми корекції, що забезпечує рівномірність АЧХ у найбільшій області частот, запропонований Г.В. Брауде. Згідно з цим методом, частотна характеристика мо
Введемо для спрощення нові змінні
Тоді
Каскади з індуктивною ВЧ корекцією
Каскад з індуктивною корекцією показано на рис. 8.6, а.
Корекція здійснюється за допомогою L, що включається послідовно з навантаженням. Така корекція зветься двопол
Каскади з індуктивною ВЧ корекцією
Каскад з індуктивною корекцією показано на рис. 8.6, а.
Корекція здійснюється за допомогою L, що включається послідовно з навантаженням. Така корекція зветься двопол
Каскади з НЧ корекцією
Принцип дії НЧ корекції, рис. 8.13, базується на тому, що навантаження каскаду змінюється з частотою, при цьому для елементів схеми виконуються такі умови
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Що викликає зменшення підсилення в області НЧ (ВЧ)?
2. Як проводиться корекція частотної характеристики в області НЧ (ВЧ)?
3. Що таке корекція за Бат
Класифікація, параметри та характеристики вибірних каскадів
Вибірні підсилювачі розрізнюються за способом під’єднання частотно-вибірної системи (найпоширеніше резонансного контуру) до підсилювального елемента (ПЕ), а також за схемою включенн
Резонансні каскади з автотрансформаторним зв’язком
Резонансний підсилювач з автотрансформаторним під’єднанням контуру до ПЕ (рис. 9.3) використовується для вирівнювання загального коефіцієнта підсилення при перемиканні піддіапазонів.
Резонансні каскади з трансформаторним зв’язком
Значна можливість впливу на характер зміни резонансного підсилення в діапазоні робочих частот властива резонансному підсилювачу з трансформаторним під’єднанням контуру до ПЕ (рис. 9.4).
Ек
Резонансні каскади з комбінованим зв’язком
Резонансний підсилювач з комбінованим індуктивно-ємнісним зв’язком (див. рис. 9.4, додаткові елементи показані пунктиром) забезпечує практично лінійний характер зміни
Смугові каскади
Основними параметрами смугового підсилювача (СП) є
- резонансний коефіцієнт підсилення K0;
- смуга пропускання ΔF, вибірність за сусі
Смугові каскади для трактів з рівномірним розподілом функції підсилення і вибірності
Особливістю СП, на відміну від підсилювача радіочастоти, є робота на фіксованій частоті. Резонансний коефіцієнт підсилення одноконтурного СП може бути визначений з виразу
Вибірні підсилювачі з ФЗС на LC-контурах
У підсилювачах з зосередженою вибірністю необхідна селективність створюється в ФЗC. В якості останніх крім розглянутих п'єзоелектричних фільтри і фільтрів на поверхневих акустичних хвилях також зас
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Чому як нвавантаження резонансного підсилювача використовую паралельний коливальний, а не послідовний?
2. Виходячи з чого обирається максимальна і мінімальна ємності рез
Вимоги до каскадів кінцевого підсилення
Особливості кінцевих підсилювальних каскадів полягають у тому, що в роботі підсилювального елемента використовується більша частина його навантажувальної характеристики, яка вміщує
Основні режими роботи підсилювальних каскадів
Розрізнюють декілька режимів роботи підсилювальних кінцевих елементів у підсилювальних каскадах.
Режимом класу А називається режим, в якому вихідний струм транзистора тече
Однотактні каскади кінцевого підсилення
Розрізнюють два типи схем підсилювачів потужності: однотактні і та двотактні У свою чергу, ці схеми поділяються на схеми з безпосереднім увімкненням навантаження та з проміжними при
Двотактні каскади кінцевого підсилння
На рис. 10.5 а, б зображено трансформаторну та безтрансформаторну схеми двотактних підсилювачів.
Визначення нелінійних спотворень
Оскільки основним режимом роботи каскаду кінцевого підсилення є режим великих сигналів з використанням практично всієї навантажувальної характеристики до нелінійних областей, то з
Вибір транзисторів для каскаду кінцевога підсилення
Транзистори для роботи в каскаді кінцевого підсилення вибирають з урахуванням енергетичних співвідношень. Якщо вважати, що струм транзистора одного плеча має вигляд напівсинусоїди (
Кінцеві каскади підсилення потужності, що працюють у режимі з ШІМ
В останній час значне поширення знаходять підсилювальні пристрої з широтно–імпульсною модуляцією сигналу, що використовують режим D. Структурна схема підсилювача з широтно–імпульсно
Запитання та завдання для самоконтролю
1. В чому полягає відмінність каскадів кінцевого підсилення в порівнянні з каскадами попереднього підсилення?
2. Чим викликане обмеження вихідної потужності підсилювача в р
Розрахунок каскадів на ОП
Нехай необхідно побудувати підсилювач на основі неінвертувального включення ОП, з вхідним опором
Фільтри Саллена і Кі
На рис. 13.6 наведено приклад простого фільтра, відомого також як фільтр Саллена і Кі, по прізвищах його винахідників. У якості підсилювача застосовується ОП, що включений в режимі повторювача.
Елементів фільтрів
n
Фільтр Баттерворта
Фільтр Бесселя
Фільтр Чебишева (0,5 дБ)
Фільтр Чебишева (2 дБ)
Запитання та завдання для самоконтролю
1. На який параметр АЧХ впливає порядок активного фільтра?
2. Які шляхи наближення АЧХ активного фільтра до ідеальної?
3. Які властивості має активний фільтр Баттерворта (Чебишева
ЛІТЕРАТУРА
1. Рудик В. Д. Конспект лекцій до курсу "Аналогові електронні пристрої" / В. Д. Рудик. – Вінниця: ВПІ, 1991. – 93 с.
2. Рудик В. Д. Методичні вказівки до лаборато
ГЛОСАРІЙ
автономний
–
self-contained
активний опір
–
active resistance
биття
–
Новости и инфо для студентов