Ge i Si ВЧ діоди з точковим контактом використовуються на частотах близьких до декілька сот МГц для випрямлення, детектування коливань та інших нелінійних перетворень.
Електронно-дірковий перехід в таких діодах створюється на місці контакту металевої (або бронзової) голки з пластиною Ge або Si. В результаті формовки, пропускання через діод коротких, але достатньо потужніх імпульсів, металева голка зварюється з напівпровідником і біля її вістря створюється p-n перехід. Друга площина пластини Ge припаюється до металевого кристалотримача і в місці спаю утворюється омічний контакт.
Оскільки площа переходу у точкових діодів порівняно мала, то допустима потужність розсіювання не перевищує 20…30 мВт, Прямий струм зазвичай не перевищує 50 мА, а пряма напруга – 1…2 В. Ge та Si точкові діоди допускають зворотню напругу до 200…300 В. Ємність переходу не перевищує одиниць пікофарад, а частотний діапазон поширюється до 150…200 МГц.
Для розширення частотного діапазону діода необхідно зменшувати ємність переходу С, опір діода Z та прямий опір p-n переходу Rпр.