Мпульсні діоди

Імпульсні діоди використовуються для роботи в ключових схемах. Крім основних параметрів I_пр, U_пр, I_звор, U_звор для діодів цього типу приладів вказуються спеціальні параметри, які характеризують перехідні процеси в приладі при швидких зміна зовнішньої напруги. Ці параметри пролюстровані на рис. 2.17, 2.18. Параметр τ_вст характеризує час встановлення прямої напруги на діоді (зменшення піку до величини 1,2 U_пр.ст.). Величина τ_вст характеризує час розсмоктування інжектованих носіїв та зниження в наслідок чого опір бази.

 

 

Рисунок 2.17 – Характеристики імпульсних діодів

При перемиканні напруги з прямої на зворотню розсмоктування надлишкової концентрації інжектованих носіїв в базі за рахунок дифузії та рекомбінації відбувається не миттєво. Цей процес характеризується параметром τ_відн – час відтновлення зворотного опору.