Робота транзистора в імпульсному режимі - раздел История, Пасивні компоненти. Резистори. Конденсатори. Індуктивні компоненти
Транзистор Часто Використовують В Імпульсних Пристроях Та В Я...
Транзистор часто використовують в імпульсних пристроях та в якості транзисторного ключа. При роботі транзистора в імпульсних пристроях від нього, як правило, вимагається неспотворене відтворення підсиленого імпульсу на виході. Робота транзистора при підсиленні малих імпульсних сигналів в принципі нічим не відрізняється від роботи транзистора при підсиленні слабких синусоїдальних сигналів. Імпульс можна представити у вигляді суми ряду гармонічних складових і знаючи частотні властивості транзистора, визначити спотворення форми імпульсу, які можуть мати місце при підсиленні. Робота транзистора при підсиленні великих імпульсних сигналів відрізняється тим, що транзистор в цьому випадку може виявитись не тільки в активному режимі, але і в режимі відсікання та насичення.
При роботі транзистора в якості транзисторного ключа необхідно щоб опір транзистора на виході, тобто в колі навантаження, різко змінювався під впливом вхідного керуючого імпульсу. Для цього амплітуда вхідних імпульсів повинна бути достатньою для переведення транзистора з режиму відсікання в активний режим роботи та далі в режим насичення, а також в зворотному напрямку.
Розглянемо процеси, що відбуваються в транзисторі, який ввімкнено по схемі зі спільною базою, при проходженні через емітер імпульсу струму тривалістю 
в прямому напрямку с наступною зміною на зворотній.
В початковому стані транзистор знаходиться в режимі відсікання, тобто емітерний і колекторний переходи зміщені в зворотному напрямку.
Після подачі через емітер імпульсу струму в прямому напрямку
(рис. 3.10,а) струм колектора з’являється не відразу, оскільки необхідний деякий час на перезаряд бар’єрних ємностей емітерного та колекторного переходів, а також на переміщення інжектованих неосновних носіїв заряду до колекторного переходу (рис. 3.10,б). Інтервал часу між моментом подачі на вхід транзистора імпульсу струму і моментом досягнення вихідним струмом значення, яке відповідає 10 % його амплітуди називають часом затримки для біполярного транзистора tзатр.
В подальшому продовжується процес перезарядки бар’єрної ємності емітерного переходу, що приводить до збільшення напруги на емітерному переході та збільшення граничної концентрації неосновних носіїв в базовій області біля емітерного переходу (рис. 3.10). Збільшення градієнта концентрації неосновних носіїв заряду біля емітерного переходу відповідає збільшенню інжекційної складової струму емітера. Ємнісна складова струму емітера по мірі заряду бар’єрної ємності емітерного переходу зменшується, тому повний струм емітера ІЕ1 залишається незмінним. Його значення визначається параметрами генератора струму в вхідному колі транзистора.
В зв’язку зі збільшенням інжекційної складової струму емітера відбувається процес накопичення неосновних носіїв заряду в базі транзистора (рис. 3.10 криві 2-5). Цей процес також відбувається не миттєво, оскільки швидкість руху неосновних носіїв заряду в базі скінчена.
В процесі накопичення неосновних носіїв заряду збільшується градієнт їх концентрації біля колекторного переходу, що відповідає збільшенню колекторного струму. При великих значеннях струму емітера ІЕ1, струм колектора обмежений не струмом емітера, а параметрами вихідного колекторного кола. Емітер інжектує в базу таку кількість неосновних носіїв заряду, яку колекторний перехід не може екстрагувати при заданому значенні опору навантаження та ЕРС джерела живлення в колі колектора. Тому в базі транзистора біля колекторного переходу починає збільшуватись гранична концентрація неосновних носіїв заряду. Коли ця гранична концентрація неосновних носіїв перевищить значення рівноважної концентрації неосновних носіїв заряду, транзистор перейде з активного режиму в режим насичення. В цей момент (рис. 3.10, а, крива 4) струм колектора визначається за виразом
Ікнас 
. (3.6)
Рисунок 3.10 – Перерозподіл струму в транзисторі, який ввімкнено по схемі зі спільною базою, при проходженні через емітер імпульсу струиму
В дійсності значення встановленого струму колектора транзистора, що знаходиться в режимі насичення, дещо перевищує значення струму насичення, обчисленого по формулі (3.6), оскільки крім ЕРС джерела живлення потрібно враховувати ще падіння напруги на об’ємному опорі бази. При проходженні через емітер струму в прямому напрямку падіння напруги на обємному опорі бази додається з ЕРС джерела живлення в колекторному колі Ік = Ікнас = (Екб + U1) / Rн.
а) б)
Рисунок 3.11 – Зміна концентрації носіїв заряду в базовій області: при подачі прямого імпульсу – а; зворотного – б.
Інтервал часу, на протязі якого струм колектора наростає від 10% до 90% його амплітуди, називають часом наростання для біпрлярного транзистора tпр. Інтервал часу, який є сумою часу затримки і часу наростання називається часом включення біполярного транзистора tвмк. Час вмикання залежить від амплітуди імпульсу прямого струму емітера і від частотних властивостей транзистора, а також від Екб і Rн.
В момент зміни напрямку струму емітера відбувається зміна полярності падіння напруги на об’ємному опорі бази. При цьому стрибкоподібно зменшується значення струму колектора до величини
= (Екб – 
2)/Rн .
Одночасно починається процес розсмоктування неосновних носіїв, накоплених в базі транзистора. В перший момент після зміни напрямку струму емітера граничні концентрації неосновних носіїв в базі біля р-n переходів великі, вони перевищують значення рівноважної концентрації неосновних носіїв. Тому опори цих переходів для зворотних струмів виявляються дуже малими. Значення зворотних струмів емітера і колектора визначаються в основному опорами в зовнішніх колах та ЕРС джерел живлення. Граничні концентрації неосновних носіїв в базі біля р-n переходів не можуть миттєво після перемикання входу транзистора зменшитись до нуля. Це відповідало би нескінчено великим градієнтам концентрації неосновних носіїв заряду в базі біля р-n переходів та нескінченно великим струмам, що практично нереально через кінцеві опори в зовнішніх колах транзистора. До тих пір поки в процесі розсмоктування граничні концентрації неосновних носіїв заряду в базі біля р-n переходів не зменшаться до нуля, зворотні струми через відповідні переходи будуть залишатися постійними, тобто струми емітера і колектора будуть незмінними поки транзистор буде знаходиться в режимі насичення.
Після зменшення граничних концентрацій неосновних носіях в базі біля переходів до нуля будуть зменшуватись з часом струми емітера і колектора, оскільки процес розсмоктування неосновних носіїв заряду з бази продовжується та зменшується абсолютне значення градієнтів концентрації неосновних носіїв заряду біля відповідних переходів. Зміни в розподілі неосновних носіїв в різні моменти часу процесу розсмоктування приведені на рис. 3.10.
Інтервал часу між моментом подачі на вхід від’ємного імпульсу і моментом коли струм колектора досягає 0,9Ікнас називають часом розсмоктування для біполярного транзистора tроз. Інтервал часу між моментом спаду вихідного струму від значення, що відповідає 90 % його амплітуди до значення, що відповідає 10 % його амплітуди, називають часом спаду для біполярного транзистора tсп. Інтервал часу між моментом подачі від’ємного імпульсу на вхід и моментом коли струм досягне значення, що відповідає 10 % його амплітуди, називають часом вимкнення біполярного транзистора tвимк. Всі ці часи залежать від амплітуди імпульсу прямого вмикаючого струму емітера, від ЕРС джерела живлення и опору навантаження в колекторному колі, а також від частотних властивостей транзистора.
Збільшити швидкодію транзистора, що працює в режимі ключа, тобто зменшити час розсмоктування, можна шляхом введення в кристал напівпровідника домішок рекомбінаційних пасток (золото для кремнію). При цьому зменшується час життя неосновних носіїв заряду. Однак в таких транзисторах буде зменшуватись коефіцієнт передачі струму через більш інтенсивну рекомбінацію неосновних носіїв в базі транзистора. По-перше, у них буде більший зворотній струм колектора і емітера через більш інтенсивну теплову генерацію носіїв заряду в колекторному та емітерному переходах, а також суміжних до них областях.
Більш вдалим методом підвищення швидкодії транзистора, що працює в якості електронного ключа, є шунтування колекторного переходу діодом Шоткі, в якому при прямому зміщенні відсутні інжекція неосновних носіїв заряду та їх накопичення.
Все темы данного раздела:
ПЕРЕЛІК СКОРОЧЕНЬ
АЕ
активний елемент
АФ
активний фільтр
АЧХ
амплітудо-частотна характеристика
Класифікація й основні параметри резисторів
Згідно найбільш поширеній класифікації розрізняють такі типи резисторів (resistors):
1. Постійні резистори з фіксованим значенням опору, залежно від призначення бувають: загального
Маркування резисторів
На кожному недротяному резисторі вказуються номінальний опір, допустимі відхилення опору від номінального та тип резистора. Якщо рівень шумів резистора менше 1 мкВ/В, на ньому ставиться буква А.
Спеціальні резистори
Спеціальні або нелінійні резистори – це елементи із заздалегідь передбаченими та спрямованими змінами опору при наявності тих або інших впливів.
Варистори (varistors) – це елементи,
Застосування резисторів у схемотехніці
Резистори у схемотехніці виконують одну з основних функцій – забезпечення зміщення робочої точки транзисторних каскадів за допомогою подільника напруги (рис. 1.3, а) або подільника струму (рис. 1.3
Конденсатори
Електричний конденсатор (capacitor) – це елемент, що являє собою систему з двох провідників (обкладинок), розділених діелектриком, і володіє властивістю накопичувати електричну енергію (ємні
Загальна класифікація конденсаторів
За характером зміни ємності конденсатори ділять на декілька груп (рис. 1.4, 1.5).
Конденсатори постійної ємності – це конденсатори з фіксованою ємністю, що у процесі експлуатації не регулю
Основні параметри конденсаторів
Питома ємність конденсатора – відношення ємності до об’єму або маси конденсатора. Цей параметр використовується при масогабаритній оптимізації конструкції.
Номінальна ємність конденсатора
Маркування конденсаторів
Повне маркування конденсаторів містить: позначення типу конденсатора, номінальні ємність і напругу, допустиме відхилення ємності від номінальної (у процентах), групу ТКЄ, місяць і рік випуску. Марк
Конденсатори змінної ємності
Конденсатори змінної ємності (КЗЄ) – елементи радіоапаратури, призначені для зміни параметрів резонансних контурів.
Конструкція будь-якого конденсатора змінної ємності містить: систему нер
Нелінійні конденсатори
Варикондами (varicond) називаються конденсатори з діелектриком зі спеціального сегнетокерамічного матеріалу, що володіє властивістю різко змінювати діелектричну проникність при зміні напруже
Високочастотні котушки індуктивності та дроселі
Залежно від призначення розрізняють:
– контурні котушки (coils), які утворюють разом з конденсаторами коливальний контур (oscillatory circuit);
– котушки зв'язку, як
Трансформатори
Трансформатором (transformer) називається елемент, призначений для одержання різних за амплітудою, потужністю і фазою змінних напруг, а також здійснення гальванічної розв'язки в електричному
Запитання та завдання для самоконтролю
1. За якими групами класифікують резистори?
2. Що таке номінальний опір резистора?
3. Перелічте основні функції резисторів.
4. Від чого залежить електричний опір тензорез
Класифікація і маркування діодів
Діодами називають двоелектродний прилад, основою якого є електронно-дірковий перехід. Виготовляються діоди з кремнію, германію або арсенід галію.
Конструктивно діод являє с
Маркування малопотужних діодів та діодів середньої потужності
Як правило, використовують маркування, яке складається із 5 або 6 елементів. Перший елемент маркування – (буква або цифра), яка визначає матеріал, з якого виготовляється напівпровідниковий діод:
Маркування надвисокочастотних діодів
Змішувальні – 1; детекторні – 2; параметричні – 4; регулюючі – 5; перемножувальні – 6; генераторні – 6.
Варикапи: підстроюючі – 1; помножувальні – 2.
Тунельні діоди: підсилюючі –
Вольт-амперна характеристика діода
Властивостями p-n переходу визначаються всі найважливіші параметри і характеристики напівпровідникового діода. Реальна характеристика діода приведена на рис. 2.2.
Пробій діода
При великій зворотній напрузі струм діода починає різко зростати. Це явище називається пробоєм. Відмітимо, що пробій супроводжується виходом з ладу діода лише в тому випадку, коли виникає надмірний
Тепловий пробій
Він виникає внаслідок нагрівання переходу струмом, що проходить через нього, при недостатньому тепловідводі, який забезпечує стійкість теплового режиму переходу.
В режимі постійного струму
Вплив температури на характеристики діода
При збільшенні температури різко зростає концентрація неосновних носіїв в напівпровідниках і, як наслідок, зворотній струм переходу I0, згідно з співвідношенням
Напівпровідникові стабілітрони
Напівпровідникові стабілітрони – це діоди на зворотній гілці вольт-амперної характеристики яких є дільниця зі слабою залежністю напруги від струму, тобто стабілітрон працює в режимі
Варикапи
Варикапи – це напівпровідниковий діод, в якому використовується залежність ємності p-n переходу від зворотної напруги, тобто це елемент з електрично керуваною величиною електроємнос
Випрямляючі діоди
Випрямляючі діоди призначені для перетворення змінного струму пониженої частоти в постійний і вони розподіляються на випрямляючі діоди Iвипр < 10 А та силові вентилі (
Високочастотні діоди
Ge i Si ВЧ діоди з точковим контактом використовуються на частотах близьких до декілька сот МГц для випрямлення, детектування коливань та інших нелінійних перетворень.
Електронно-дірковий
Обернені діоди
Обернений діод – різновидність тунельного діоду, в якого струм піку Іп = 0. Вольт-амперна характеристика та умовне позначення обернених діодів на електричних
Мпульсні діоди
Імпульсні діоди використовуються для роботи в ключових схемах. Крім основних параметрів Iпр, Uпр, Iзвор, Uзвор для діодів цього типу приладів вказ
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Назвіть основні матеріали для виготовлення діодів.
2. Що характеризує температурний коефіцієнт напруги?
3. Для чого призначені випрямляючі діоди?
4. Чим відрізняються
Структура транзисторів
Транзистором називають електроперетворювальний напівпровідни-ковий прилад, який складається, яке правило, із двох p-n переходів. Структура площинного транзистора схемати
Класифікація біполярних та уніполярних транзисторів
Класифікація транзисторів по їх призначенню, фізичним властивостям, основним електричним параметрам, конструктивно-технологічним ознакам, роду початкового напівпровідникового матері
Принцип дії біполярного транзистора
Енергетична діаграма для площинного транзистора p-n-p типу приведена на рис. 3.3.
Статичні параметри біполярних транзисторів
Як елемент електричної схеми транзистор завжди використовується таким чином, що один із його електродів є вхідним, другий вихідним, а третій – спільним. В залежності від того, який
Режими роботи і статичні характеристики біполярних транзисторів
Поряд з описаним активним режимом транзистор в ряді імпульсних, ключових та інших схем транзистор може працювати в режимі відсікання або в режимі насичення.
В режимі відсіч
Параметри транзистора як чотириполюсника
При роботі транзистора з малим сигналом можна вважати, що робочі ділянки ВАХ біполярного транзистора є лінійними, а сам транзистор є лінійним підсилювачем (елементом). При цьому його зручно предста
Частотні властивості біполярного транзистора
Параметри транзистора в діапазоні частот до 800-1000 Гц практично не залежать від частоти. З підвищенням частоти починає проявлятися комплексний характер параметрів транзистора і в
Принципи підсилення в транзисторі при активному режимі роботи
В схемі зі спільною базою в вихідному колі (колекторному) протікає майже той же струм, що і у вихідному колі (емітері), тому підсилення струму в цьому випадку відсутнє. Проте ця схе
Будова та характеристики уніполярних транзисторів
Канальним транзистором називається трьохелектродний напівпровідниковий прилад, в якому керування струмом здійснюється шляхом зміни товщини напівпровідникового шару, що проводить стр
МДН-транзистори
Будова МДН-транзисторів подана на рис. 3.15.
Вони розподіляються на дві групи: з вбудованим і з індуктивним каналами.
Параметри уніполярних транзисторів
Основним параметром уніполярних транзисторів є крутизна прохідної ВАХ, яка визначається рівнянням
Частотні властивості уніполярних транзисторів
Принцип дії польових транзисторів не зв’язаний з інжекцією неосновних носіїв заряду в базі та їх відносно повільним рухом до КП. Це прилад без інжекції, тому інерційність та частотн
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Як можна збільшити швидкодію транзистора, що працює в режимі ключа?
2. Чи залежать параметри транзистора в діапазоні частот до 800-1000 Гц від частоти?
3. Що є основою транзист
Коефіцієнти підсилення
Коефіцієнт підсилення – один з найважливіших показників аналогових електронних пристроїв, який показує у скільки разів корисний ефект, при заданому навантаженні на виході пристрою,
Амплітудно-частотна характеристика. Коефіцієнти частотних спотворень
Сигнал, проходячи крізь пристрій аналогової обробки, перетворюється. Форма складного сигналу на виході лінійного перетворювача може відрізнятися від форми, сигналу на його вході у
Фазочастотна характеристика
Фазочастотна характеристика підсилювача показує залежність від частоти фазово
Перехідні характеристики. Спотворення імпульсних сигналів
Перехідною характеристикою (ПХ) підсилювача називається залежність миттєвого значення вихідної напруги (або струму) від часу при стрибкоподібній зміні вхідної напруги (струму) (рис
Нелінійні спотворення. Коефіцієнт нелінійних спотворень
Нелінійні спотворення – це спотворення форми вихідного сигналу, спричинені наявністю в схемі підсилювача нелінійних елементів. Активні елементи підсилювальних схем в процесі роботи
Амплітудна характеристика. Динамічний діапазон
Амплітудною характеристикою (АХ) підсилювального пристрою зветься залежність сталого значення вихідної напруги бід вхідної
Коефіцієнт корисної дії. Номінальна вихідна потужність
Коефіцієнт корисної дії (ККД) підсилювача або його окремого каскаду визначається відношенням
Внутрішні завади аналогових пристроїв
Для оцінки якості та умов роботи пристроїв необхідно використовувати такі допоміжні поняття: наводка, фон, мікрофонний ефект, тепловий шум.
Наводкою зветься напруга, утво
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Сформулюйте означення АЧХ каскаду. По якому рівню визначають ширину смуги пропускання при підсиленні а) напруги; б) потужності.
2. Нарисуйте ідеальну і реальну ФЧХ каска
Основні засоби забезпечення зворотного зв’язку
Зворотний зв’язок це передача сигналу з виходу підсилювача чи окремого його каскаду на вхід (рис. 5.1).
Вплив зворотних зв’язків на коефіцієнти підсилення струму та напруги
Якщо коефіцієнт підсилення підсилювача без зворотного зв’язку позначити , коеф
Вплив зворотних зв’язків на вхідний та вихідний опір
Характер зміни вхідного опору визначається способом введення зворотного зв’язку у вхідне коло, а вихідного опору — у вихідне коло.
Для визначення зміни вхідного опору у вип
Вплив зворотного зв’язку на інші показники пристрою
Якщо позначити напругу гармонік, фону чи завади на вході пристрою з ВЗЗ як
Стійкість пристрою зі зворотним зв’язком
Питання стійкості та використання різних критеріїв щодо її оцінки є основним у схемотехнічних дисциплінах при розгляді питань проектування аналогових і цифрових пристроїв. Нагадаємо
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Нарисуйте структурні схеми каскаду охопленого зворотним зв’язком: а) паралельним по напрузі; б) паралельним по струму; в) послідовним по напрузі; г) послідовним по струму. Поясні
Кола живлення каскадів на уніполярних транзисторах
Кола живлення, що забезпечують функціонування каскадів на польових транзисторах Зазначимо, що уніполярні транзистори бувають трьох типів: польові (ПТ) з керованим p–n–переход
Кола живлення каскадів на біполярних транзисторах
Властивості біполярних транзисторів (БТ) як активних елементів визначаються його вхідними, вихідними та прохідними характеристиками. Типовий вигляд деяких характеристик БТ зображено
Динамічні характеристики каскадів
У розрахунках електричних характеристик підсилювальних каскадів використовуються такі динамічні характеристики:
- вихідна — залежність вихідного струму бід вихідної напруг
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Яким чином впливає на режим роботи підсилювального каскаду резистор навантаження та його зміна?
2. Визначте, які схеми підсилювальних каскадів забезпечують найбільшу сті
Використання еквівалентних схем для аналізу каскадів попереднього підсилення
Попередні підсилювальні каскади призначені для підсилення малої напруги вхідного сигналу до значення, достатнього для функціонування кінцевих (звичайно потужних) каскадів (рис. 7.1). Однією а осно
Аналіз резисторного підсилювального каскаду зі спільним емітером у різних частотних областях
Під час аналізу підсилювального каскаду на БТ (рис. 7.8) слід пам’ятати, що параметри БТ мають яскраво виражену залежність від частоти, наприклад
Перехідні характеристики резисторного підсилювального каскаду
У процесі роботи підсилювального каскаду з імпульсним сигналом ємності та
Повторювачі напруги
Витоковий повторювач (каскад спільній стік) становить собою каскад, охоплений 100% ВЗЗ послідовного виду за напругою (рис. 7.14, а, б). Зворотний зв’язок забезпечується так само, як
Повторювачі струму
Каскад із спільною базою (рис. 7.18, а) можна розглядати як каскад спільний емітер (СЕ), охоплений 100%–вим паралельним від’ємним зв’язком за струмом (рис. 7.18, б).
Каскади з динамічним навантаженням
За побудови каскадів попереднього підсилення знаходить застосування принцип динамічного навантаження, який дозволяє дістати великий коефіцієнт підсилення. Очевидно, що підвищення
Диференціальні каскади
Ефективним засобом зменшення впливу зовнішніх факторів (зміни температури, напруги живлення, розкиду параметрів на роботу підсилювача) є використання диференціальних каскадів (ДК),
Каскади на складених транзисторах
Складений транзистор використовується у каскадах, де необхідно забезпечити великий коефіцієнт підсилення струму. Найбільш поширений складений транзистор за схемою Дарлінгтона (рис
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Як зміниться коефіцієнт підсилання каскаду на середніх частотах, якщо замість одного резистора навантаження ввімкнути два однакових у паралель? а)
Необхідність корекції та її принципи
На практиці виникає необхідність забезпечити широку смугу пропускання пристрою (1, 10, 100 МГц). Прості схеми підсилювачів не можуть забезпечити рівномірне підсилення сигналу у широ
Методи визначення параметрів, що забезпечують рівномірність АЧХ та лінійність ФЧХ у найбільшій області частот
Метод визначення параметрів схеми корекції, що забезпечує рівномірність АЧХ у найбільшій області частот, запропонований Г.В. Брауде. Згідно з цим методом, частотна характеристика мо
Введемо для спрощення нові змінні
Тоді
Каскади з індуктивною ВЧ корекцією
Каскад з індуктивною корекцією показано на рис. 8.6, а.
Корекція здійснюється за допомогою L, що включається послідовно з навантаженням. Така корекція зветься двопол
Каскади з індуктивною ВЧ корекцією
Каскад з індуктивною корекцією показано на рис. 8.6, а.
Корекція здійснюється за допомогою L, що включається послідовно з навантаженням. Така корекція зветься двопол
Каскади з НЧ корекцією
Принцип дії НЧ корекції, рис. 8.13, базується на тому, що навантаження каскаду змінюється з частотою, при цьому для елементів схеми виконуються такі умови
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Що викликає зменшення підсилення в області НЧ (ВЧ)?
2. Як проводиться корекція частотної характеристики в області НЧ (ВЧ)?
3. Що таке корекція за Бат
Класифікація, параметри та характеристики вибірних каскадів
Вибірні підсилювачі розрізнюються за способом під’єднання частотно-вибірної системи (найпоширеніше резонансного контуру) до підсилювального елемента (ПЕ), а також за схемою включенн
Резонансні каскади з автотрансформаторним зв’язком
Резонансний підсилювач з автотрансформаторним під’єднанням контуру до ПЕ (рис. 9.3) використовується для вирівнювання загального коефіцієнта підсилення при перемиканні піддіапазонів.
Резонансні каскади з трансформаторним зв’язком
Значна можливість впливу на характер зміни резонансного підсилення в діапазоні робочих частот властива резонансному підсилювачу з трансформаторним під’єднанням контуру до ПЕ (рис. 9.4).
Ек
Резонансні каскади з комбінованим зв’язком
Резонансний підсилювач з комбінованим індуктивно-ємнісним зв’язком (див. рис. 9.4, додаткові елементи показані пунктиром) забезпечує практично лінійний характер зміни
Смугові каскади
Основними параметрами смугового підсилювача (СП) є
- резонансний коефіцієнт підсилення K0;
- смуга пропускання ΔF, вибірність за сусі
Смугові каскади для трактів з рівномірним розподілом функції підсилення і вибірності
Особливістю СП, на відміну від підсилювача радіочастоти, є робота на фіксованій частоті. Резонансний коефіцієнт підсилення одноконтурного СП може бути визначений з виразу
Вибірні підсилювачі з ФЗС на LC-контурах
У підсилювачах з зосередженою вибірністю необхідна селективність створюється в ФЗC. В якості останніх крім розглянутих п'єзоелектричних фільтри і фільтрів на поверхневих акустичних хвилях також зас
Запитання та завдання для самоконтролю
1. Чому як нвавантаження резонансного підсилювача використовую паралельний коливальний, а не послідовний?
2. Виходячи з чого обирається максимальна і мінімальна ємності рез
Вимоги до каскадів кінцевого підсилення
Особливості кінцевих підсилювальних каскадів полягають у тому, що в роботі підсилювального елемента використовується більша частина його навантажувальної характеристики, яка вміщує
Основні режими роботи підсилювальних каскадів
Розрізнюють декілька режимів роботи підсилювальних кінцевих елементів у підсилювальних каскадах.
Режимом класу А називається режим, в якому вихідний струм транзистора тече
Однотактні каскади кінцевого підсилення
Розрізнюють два типи схем підсилювачів потужності: однотактні і та двотактні У свою чергу, ці схеми поділяються на схеми з безпосереднім увімкненням навантаження та з проміжними при
Двотактні каскади кінцевого підсилння
На рис. 10.5 а, б зображено трансформаторну та безтрансформаторну схеми двотактних підсилювачів.
Визначення нелінійних спотворень
Оскільки основним режимом роботи каскаду кінцевого підсилення є режим великих сигналів з використанням практично всієї навантажувальної характеристики до нелінійних областей, то з
Вибір транзисторів для каскаду кінцевога підсилення
Транзистори для роботи в каскаді кінцевого підсилення вибирають з урахуванням енергетичних співвідношень. Якщо вважати, що струм транзистора одного плеча має вигляд напівсинусоїди (
Кінцеві каскади підсилення потужності, що працюють у режимі з ШІМ
В останній час значне поширення знаходять підсилювальні пристрої з широтно–імпульсною модуляцією сигналу, що використовують режим D. Структурна схема підсилювача з широтно–імпульсно
Запитання та завдання для самоконтролю
1. В чому полягає відмінність каскадів кінцевого підсилення в порівнянні з каскадами попереднього підсилення?
2. Чим викликане обмеження вихідної потужності підсилювача в р
Розрахунок каскадів на ОП
Нехай необхідно побудувати підсилювач на основі неінвертувального включення ОП, з вхідним опором
Фільтри Саллена і Кі
На рис. 13.6 наведено приклад простого фільтра, відомого також як фільтр Саллена і Кі, по прізвищах його винахідників. У якості підсилювача застосовується ОП, що включений в режимі повторювача.
Елементів фільтрів
n
Фільтр Баттерворта
Фільтр Бесселя
Фільтр Чебишева (0,5 дБ)
Фільтр Чебишева (2 дБ)
Запитання та завдання для самоконтролю
1. На який параметр АЧХ впливає порядок активного фільтра?
2. Які шляхи наближення АЧХ активного фільтра до ідеальної?
3. Які властивості має активний фільтр Баттерворта (Чебишева
ЛІТЕРАТУРА
1. Рудик В. Д. Конспект лекцій до курсу "Аналогові електронні пристрої" / В. Д. Рудик. – Вінниця: ВПІ, 1991. – 93 с.
2. Рудик В. Д. Методичні вказівки до лаборато
ГЛОСАРІЙ
автономний
–
self-contained
активний опір
–
active resistance
биття
–
Новости и инфо для студентов