Складений транзистор використовується у каскадах, де необхідно забезпечити великий коефіцієнт підсилення струму. Найбільш поширений складений транзистор за схемою Дарлінгтона (рис. 7.25, а). У цій схемі
, |
де
,
,
.
Рисунок 7.25 – Електричні схеми складених транзисторів: Дарлінгтона (а), зі струмовідним , колом (б), на комплементарній парі БТ (в)
Враховуючи, що , дістаємо
та відповідно
. |
Слід зазначити, що транзистори та за таких умов працюють у суттєво різних режимах: якщо другий транзистор працює за нормального струму колектора , то в першому буде струм у разів менший за нормальний, що знижує коефіцієнт підсилення всього каскаду. Для узгодження режимів за постійним струмом потрібно використовувати або різні транзистори або однотипні транзистори за різних зміщень на емітерних переходах.
Другий спосіб узгодження режимів застосовується у схемі, зображеній на рис. 7.25, б. Для зменшення постійної складової струму бази транзистора ввімкнено струмовідне , коло. Транзистор виключає шунтування змінних струмів вхідного сигналу через і одночасно виконує функції діоду термостабілізації.
В ІМС використовуються також складені транзистори на комплементарній парі (рис. 7.25, в). Таке ввімкнення дозволяє збільшити коефіцієнт підсилення каскадів, у яких застосовуються торцеві транзистори p–n–p структури з малим значенням .
Складений транзистор дає зростання ефекту підсилення струму тільки в схемах СЕ та СК; в решті схем
. |
У схемі СБ підсилення мало відрізняється від підсилення окремого транзистора. Складений транзистор не покращує частотні властивості, але застосовується для підвищення вхідного опору каскадів.