Каскади на складених транзисторах

 

Складений транзистор використовується у каскадах, де необхід­но забезпечити великий коефіцієнт підсилення струму. Найбільш по­ширений складений транзистор за схемою Дарлінгтона (рис. 7.25, а). У цій схемі

 

,

де

,

,

.

Рисунок 7.25 – Електричні схеми складених транзисторів: Дарлінгтона (а), зі струмовідним , колом (б), на комплементарній парі БТ (в)

 

Враховуючи, що , дістаємо

та відповідно

.

Слід зазначити, що транзистори та за таких умов працю­ють у суттєво різних режимах: якщо другий транзистор працює за нор­мального струму колектора , то в першому буде струм у разів менший за нормальний, що знижує коефіцієнт підсилен­ня всього каскаду. Для узгодження режимів за постійним струмом по­трібно використовувати або різні транзистори або однотипні транзис­тори за різних зміщень на емітерних переходах.

Другий спосіб узгодження режимів застосовується у схемі, зоб­раженій на рис. 7.25, б. Для зменшення постійної складової струму бази транзистора ввімкнено струмовідне , коло. Транзистор виключає шунтування змінних струмів вхідного сигналу через і одночасно виконує функції діоду термостабілізації.

В ІМС використовуються також складені транзистори на комплемен­тарній парі (рис. 7.25, в). Таке ввімкнення дозволяє збільшити кое­фіцієнт підсилення каскадів, у яких застосовуються торцеві транзистори p–n–p структури з малим значенням .

Складений транзистор дає зростання ефекту підсилення струму тільки в схемах СЕ та СК; в решті схем

 

.

 

У схемі СБ підсилення мало відрізняється від підсилення окре­мого транзистора. Складений транзистор не покращує частотні власти­вості, але застосовується для підвищення вхідного опору каскадів.