Металлы и полупроводник

Френкель Я.И. разработал:

- квантовую теорию п/п;

- ввел понятие о подвижных свободных местах кристаллической решетки п/п (дырок);

- создал теорию генерации пар “электрон-дырка”

30е-годы: Френкель, Ландау Л.Д., Давыдов Б.И. – создали теорию возникновения ЭДС при освещении п/п и была изготовлена первая п/п термоэлектрическая батарея.

40е-годы: освоено производство : германиевых и кремниевых диодов, п/п терморезисторов, фоторезисторов.

1949г.- производство транзисторов (изобретен в 48г. в США учеными Д.Бардиным, У. Шокли)

1954г.- в Москве открывается институт п/п.

1958-60г.г. – под руководством Тучкевича А.М. создали мощные п/п диоды и тиристоры.

1959г.- Вальд-Перлов В.М. создает п/п прибор с гетеропереходом ( т.е. с контактами различных по структуре п/п).

 

Преимущества:

- Малая масса и габариты.

- Отсутствие затрат энергии на накал.

- Более высокая надежность и срок службы.

- Большая механическая прочность (стойкость к вибрации ударам и другим механическим нагрузкам).

- Более высокий КПД (потери энергии в приборах незначительны).

- Возможность работы при низких питающих напряжений (для электронной лампы – 0.1 Вт, для транзистора – 1мкВт)

- Возможность использования в микроэлектронной аппаратуре.

- Более низкая стоимость.

 

Недостатки: