рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Cтабилитроны

Cтабилитроны - раздел История, Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники Стабилитроны (Ст) - П/п Диоды, Принцип Действия Которых Основан На Использова...

Стабилитроны (СТ) - п/п диоды, принцип действия которых основан на использовании пробоя p-n-перехода (электрического пробоя). Существует полевой и лавинный пробой, поэтому используют полевые и лавинные стабилитроны.

При напряжении до 5В – туннельный, более 7В- лавинный. Если 5<Uпр<7- смешанный.

Выпускают стабилитроны на напряжения от единиц до сотен вольт и на токи от единиц миллиампер до сотен ампер. Пробивное напряжение зависит от концентрации, то, изменяя концентрацию, можно в широких пределах менять напряжение стабилизации в стабилитроне. Изготавливают из Si, т.к. лучше тепловые характеристики, более резкая зависимость характеристики в области пробоя. Стабилитрон работает на обратном включении.

ВАХ стабилитрона:

 
 

 

 


Параметры стабилитрона:

1 Напряжение стабилизации определяется конструкцией.

2 Минимальный ток стабилизации величина, ограниченная значением ВАХ, где наблюдается нестабильность.

3 Максимальный ток стабилизации-величина этого тока ограничена значением тока через стабилитрон, при котором стабилитрон еще может отводить выделяемое тепло. Превышение значения максимально допустимого тока ведет к перегреву прибора. Между этими токами находится диапазон токов стабилизации (допустимых токов)- номинальный ток стабилизации (середина диапазона)

4 Динамическое сопротивление стабилитрона . Чем меньше тем лучше, чтобы было меньшее падение напряжения на нем. или 300 Ом.

 

 

5 Статическое сопротивление

6 Температурный коэффициент напряжения стабилитрона- относительное изменение при изменении температуры на . Имеет разную величину для стабилитронов с разными . График пересекает от 5 до 7 В. С увеличением температуры увеличивается напряжение стабилизации. Чем больше , тем больше .

 

У сильно легированных характеристика ближе к 7 В. Это свойство используется в эталонных источниках (стараются сделать эту зависимость меньше, последовательно соединяя два стабилитрона полевого и лавинного пробоя или включают последовательно со стабилитроном лавинного пробоя (их больше) один или несколько прямосмещенных p-n-переходов (диодов)).

Стабилитроны допускают последовательное включение при этом суммарное равно сумме каждого стабилитрона.

Для увеличения тока стабилизации можно включать и параллельно, но в этом случае необходим тщательный подбор стабилитронов, т.к. при параллельном соединении работают не очень хорошо (лучше не пользоваться).

 

Существуют сплавной, диффузионный и эпитаксиальный методы получения p-n-переходов.


Схема осуществления стабилизации

Задача стабилитрона стабилизировать ток через нагрузку.

При увеличении растет , а ток нагрузки не изменяется, при уменьшении уменьшается , а ток нагрузки не изменяется. Задача стабилитрона- сбрасывать через себя большие обратные токи, оставляя при этом Iн постоянным. В результате получаем неизменный ток нагрузки. Стабилизацию напряжения осуществляет сопротивление нагрузки.

 

Туннельный диод (ТД)

 

ТД - полупроводниковый прибор, в котором используют туннельный эффект перехода.

Туннельный эффект наблюдается в переходе с высокой концентрацией областей, составляющих переход, полупроводники являются вырожденными (по свойствам близки к металлам), в этом случае для р-полупроводника уровень Ферми находится в валентной зоне, для полупроводника n–типа - в зоне проводимости. Зонные диаграммы такого перехода:

 


И в валентной зоне и в зоне проводимости могут находится свободные электроны и свободные уровни (обычно, все валентные зоны заняты).

Переход этого типа имеет очень маленькую величину до 10-8 м (0,01 мкм)

Если приложить напряжение, то происходит искривление, при нулевом напряжении- динамическое равновесие.

(1-2)-участок отрицательного дифференциального сопротивления (туннельные эффект). Это и отличает ТД от обычного.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники

Краткие сведения по истории электроники... Начало развития электроники конец начало в... В г Лосев О В открыл возможность генерации и усиления электрических колебаний с помощью кристаллического...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Cтабилитроны

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Металлы и полупроводник
Френкель Я.И. разработал: - квантовую теорию п/п; - ввел понятие о подвижных свободных местах кристаллической решетки п/п (дырок); - создал теорию генера

Требования к электронным элементам радиоэлектронной аппаратуры
  Главные параметры:   1 Номинальные значения и их допуски. 2 Надёжность – свойство сохранять во времени и установленных пределах значения всех парамет

Электроны в твёрдых телах
  Энергия электрона принимает лишь определённые значения, называемые энергетическими уровнями. При переходе электрона с более высокого уровня на более низкий выделяется квант энергии

Примесная проводимость
Германий, кремний и арсенид галлия – четырёхвалентны, а сурьма, фосфор, мышьяк – пятивалентны. Если к одному атому германия или кремния присоединить элемент пятой подгруппы, то пятый электрон отдаё

Биполярные приборы
  р-n переход (симметричный) это соединение двух областей с разными типами проводимости, концентрация основных и неосновных носителей равны между собой. Носители заряда концентрации к

Обратное включение
    За счет приложенного напряжения увеличивается потенциальный барьер. Обратный ток очень ма

Емкости p-n-перехода.
Инжекция – впрыскивание или обогащение. Экстракция – обеднение.    

Понятие плавного и резкого p-n-перехода.
    Резкий p-n-переход – если концентрация носителей в областях отличается на несколько порядков.

Пробои p-n-перехода.
  Различают 3 механизма пробоя p-n-перехода: 1) полевой; 2) лавинный; 3) тепловой (необратимый). Полевой пробой происходит в p-n-переходе, который

Полевой Лавинный
    Если напряжение пробоя больше 7В то

Отличия реального диода от идеального
  1. Площадь p-n-перехода в диоде ограничена и поэтому сказываются процессы на границе p-n-перехода. Наличие кривизны

Импульсные диоды
  Используются в устройствах автоматики, вычислительной техники; являются высокочастотными, имеют малую барьерную емкость и сопротивление. В импульсном режиме могут работать также и в

Режим большого сигнала.
  Импульс может быть одно или двухполярный.     В режиме большого сигнала входн

Параметры ТД
1) ток пика - ток через ТД в области малых напряжений, при котором производная по току равна нулю (происходит перегиб) 2) напряжение, при котором течет ток пика называют напряжением пика

Обращенные диоды
  Это диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном включении вследствие туннельного эффекта больше, чем при прямом напряжении

Варикапы
  Это полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости от величины обратного напряжения, и которые предназначены в качестве применения как элемента с электрически у

Принцип усиления БПТ
  Упрощенная схема усилительного каскада на БПТ   КИ=Ивых/Ивх

Статические ВАХ БПТ с ОБ
  Для токов через переходы БПТ можно записать Iк=αNIЭП-IКП IЭ=IЭП-αIIКП

Параметры БПТ
ВАХ БПТ дают наиболее полную информацию о транзисторе, однако в усилителях малых сигналов его можно представить как активный четырехполюсник, поэтому достаточным является знание h-параметров транзи

Определение h-параметров по вольт-амперной характеристике БПТ
Для схемы с ОБ            

Модели БПТ
Наиболее распространенной является модель Эберса-Молла:    

Малосигнальные модели БПТ
  В простейшем виде биполярный транзистор может быть представлен следующим образом:    

Влияние режима работы и температуры на параметры транзистора
Влияние температуры выражается в том, что с изменением температуры возрастает концентрация собственных носителей в областях полупроводника, составляющих р-n переход, что приводит к возрастанию тока

Ключевой режим работы БПТ
   

Основные параметры ПТУП
1) крутизна статической стоко-затворной характеристики – представляет собой производную функции тока по напряжению затвора при

Входная характеристика для индуцированного канала
      Чем больше напряже

Структура тиристора
Чем ниже концентрация примеси (тут донорной), тем больше рабочие напряжения. Пластина помещается в печь, где происходит диффузия п

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги