Обращенные диоды

 

Это диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном включении вследствие туннельного эффекта больше, чем при прямом напряжении. При концентрации примесей в p- n- областях меньших, чем в туннельных диодах, но больших, чем в обычных можно получить обращенный диод.

ВАХ обращенного диода

 

 

Уровень Ферми в ОД расположен на потолке валентной зоны p-полупроводника и на дне запрещенной зоны n-полупроводника.

При обратном напряжении в десятки мВ происходит резкое увеличение тока из-за туннелирования электронов из валентной зоны области p в запрещенную зону области n. При прямом напряжении прямой ток образован только в результате инжекции носителей заряда через потенциальный барьер p-n-перехода. Заметная инжекция наблюдается при прямом напряжении в несколько десятых вольта.

Обращенные диоды обладают выпрямительными свойствами, но пропускное напряжение соответствует обратному включению, а запирающее – прямому включению.

Из принципа работы обращенных диодов ясно:

1 Способны работать на очень малых сигналах.

2 Должны обладать хорошими частотными характеристиками ( т.к. туннелирование – процесс малоинерционный, а эффекта накопления неосновных носителей практически нет, поэтому обращенные диоды используются на СВЧ)

3 Малочувствительны к воздействиям проникающей радиации (из-за относительно большой концентрации примесей, прилегающих к p-n-переходу областей).