Это полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости от величины обратного напряжения, и которые предназначены в качестве применения как элемента с электрически управляемой емкостью.
Варикапы работают при обратном постоянном смещении, когда проявляется только барьерная емкость. Зависимость емкости от обратного напряжения (или напряжения смещения) различна. p-n-переходы для варикапов изготовлены методом диффузии или методом вплавления.
В сплавных варикапах с резким p-n-переходом зависимость барьерной емкости от напряжения получается более резкой. Связано это с тем, что глубина проникновения электрического поля зависит от удельного сопротивления материала. В сплавном варикапе слои базы, прилегающей к переходу легированы равномерно, а в диффузионном при удалении от перехода концентрация нескомпенсированных носителей увеличивается, т.е. уменьшается удельное сопротивление.
Распределение концентраций нескомпенсированных носителей в структуре варикапа с резкой зависимостью емкости от напряжения:
Для получения еще более резкой зависимости емкости варикапа от напряжения смещения необходимо создавать в базе аномальное распределение нескомпенсированных примесей с градиентом концентраций в базе диффузионного диода.
Лекция №9