Влияние режима работы и температуры на параметры транзистора

Влияние температуры выражается в том, что с изменением температуры возрастает концентрация собственных носителей в областях полупроводника, составляющих р-n переход, что приводит к возрастанию тока насыщения.

;

;

;

, если

,- удельные сопротивления полупроводников и типа;

- коэффициент пропорциональности;

- ширина запрещённой зоны.

Отсюда видна резкая зависимость концентрации собственных носителей от температуры и, ток насыщения зависит от концентрации собственных носителей по квадратичной зависимости, поэтому с увеличением температуры характеристики биполярного транзистора изменяются.

Изменение температуры приводит к изменению таких параметров, как сопротивление эмиттера и коллектора, коэффициент усиления по току и других параметров.

 

 

 

Лекция №13

Влияние величины тока эмиттера на характеристики транзистора и коэффициенты и

 

 

1 – область малых токов эмиттера (существенную роль играют процессы рекомбинации, уменьшающие коэффициенты и ,чем<I_э тем < значение коэффициента );

2 - область средних токов (процессы рекомбинации не влияют на коэффициенты и );

3 – область больших токов (рекомбинация носителей и уменьшение коэффициентов и ).