рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел История
/
Ключевой режим работы БПТ

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Ключевой режим работы БПТ

Ключевой режим работы БПТ - раздел История, Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники ...

Сигнал на выходе находится в противофазе с входным сигналом.

При поступлении импульса входного напряжения в эмиттерной цепи, эмиттерный переход (ЭП) начинает инжектировать носители в базу, т.е. появляется эмиттерный ток определённой величины. Коллекторный ток появляется не сразу, а с течением некоторого промежутка времени, когда инжектированные дырки достигают коллекторного перехода (КП). Время, когда этот ток достигает одну десятую от амплитудного значения коллекторного тока, называется временем задержки переднего фронта . Затем, за счёт влияния барьерной ёмкости коллекторного перехода, времени пролёта носителей через базу и коллекторный переход, ток нарастает не мгновенно, а с какой-то конечной скоростью, а время , за которое он нарастает до девяти десятых от амплитудного значения коллекторного тока, называется временем нарастания коллекторного тока (время нарастания переднего фронта) . Т.о. время включения БПТ.

Амплитудное значение коллекторного тока определяется сопротивлением .

По мере нарастания тока коллектора, падение напряжения на сопротивлении нагрузки растёт, а на переходе коллектор-база – уменьшается, а при некотором значении напряжения на оказывается, что и коллекторный переход смещается в прямом направлении, т.е. он (коллектор) тоже начинает инжектировать носители в базу. В результате оказывается, что напряжение на транзисторе становится близким нулю, т.е. . Далее ток коллектора остаётся неизменным, если не меняется напряжение на входе.

В момент входное напряжение меняет значение и полярность на обратное. Эмиттерный переход должен сместиться в обратном направлении, однако этого не происходит, поскольку в базе накопилось большое количество неравновесных носителей инжектированных эмиттерным и коллекторным переходами. Поэтому через эмиттерный переход течёт обратный ток большой величины. Это происходит до тех пор, пока не произойдёт рассасывание избыточных носителей в базе и концентрация носителей в КП не приблизится к равновесной, т.е. первоначальной. При этом наблюдается небольшой скачок коллекторного тока в сторону уменьшения, связанный с падением напряжения от протекания эмиттерного тока на сопротивлении базы транзистора.

Момент времени - спад коллекторного тока и уменьшение тока эмиттера.

- время рассасывания (самое большое время, которое определяет быстродействие БПТ).

время спада коллекторного тока.

время выключения БПТ.

Для уменьшения времени рассасывания в базу вводят различные добавки и примеси (например, золото, которое в запрещённой зоне создаёт дополнительные уровни, способствующие переходу электронов в валентную зону), способствующие увеличению скорости рекомбинации.

Переходные процессы в схеме с общим эмиттером имеют туже природу.

Полевые транзисторы

Полевой транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, содержащий три или более электродов, управление носителями тока в котором осуществляется электрическим полем.

Различают полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (ПТУП) и полевые транзисторы типа МОП (металл – окисел - полупроводник).

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники

Краткие сведения по истории электроники... Начало развития электроники конец начало в... В г Лосев О В открыл возможность генерации и усиления электрических колебаний с помощью кристаллического...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Ключевой режим работы БПТ

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Металлы и полупроводник
Френкель Я.И. разработал: - квантовую теорию п/п; - ввел понятие о подвижных свободных местах кристаллической решетки п/п (дырок); - создал теорию генера

Требования к электронным элементам радиоэлектронной аппаратуры
Главные параметры: 1 Номинальные значения и их допуски. 2 Надёжность – свойство сохранять во времени и установленных пределах значения всех парамет

Электроны в твёрдых телах
Энергия электрона принимает лишь определённые значения, называемые энергетическими уровнями. При переходе электрона с более высокого уровня на более низкий выделяется квант энергии

Примесная проводимость
Германий, кремний и арсенид галлия – четырёхвалентны, а сурьма, фосфор, мышьяк – пятивалентны. Если к одному атому германия или кремния присоединить элемент пятой подгруппы, то пятый электрон отдаё

Биполярные приборы
р-n переход (симметричный) это соединение двух областей с разными типами проводимости, концентрация основных и неосновных носителей равны между собой. Носители заряда концентрации к

Обратное включение
За счет приложенного напряжения увеличивается потенциальный барьер. Обратный ток очень ма

Емкости p-n-перехода.
Инжекция – впрыскивание или обогащение. Экстракция – обеднение.

Понятие плавного и резкого p-n-перехода.
Резкий p-n-переход – если концентрация носителей в областях отличается на несколько порядков.

Пробои p-n-перехода.
Различают 3 механизма пробоя p-n-перехода: 1) полевой; 2) лавинный; 3) тепловой (необратимый). Полевой пробой происходит в p-n-переходе, который

Полевой Лавинный
Если напряжение пробоя больше 7В то

Отличия реального диода от идеального
1. Площадь p-n-перехода в диоде ограничена и поэтому сказываются процессы на границе p-n-перехода. Наличие кривизны

Импульсные диоды
Используются в устройствах автоматики, вычислительной техники; являются высокочастотными, имеют малую барьерную емкость и сопротивление. В импульсном режиме могут работать также и в

Режим большого сигнала.
Импульс может быть одно или двухполярный. В режиме большого сигнала входн

Cтабилитроны
Стабилитроны (СТ) - п/п диоды, принцип действия которых основан на использовании пробоя p-n-перехода (электрического пробоя). Существует полевой и лавинный пробой, поэтому используют полевые и лави

Параметры ТД
1) ток пика - ток через ТД в области малых напряжений, при котором производная по току равна нулю (происходит перегиб) 2) напряжение, при котором течет ток пика называют напряжением пика

Обращенные диоды
Это диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном включении вследствие туннельного эффекта больше, чем при прямом напряжении

Варикапы
Это полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости от величины обратного напряжения, и которые предназначены в качестве применения как элемента с электрически у

Принцип усиления БПТ
Упрощенная схема усилительного каскада на БПТ КИ=Ивых/Ивх

Статические ВАХ БПТ с ОБ
Для токов через переходы БПТ можно записать Iк=αNIЭП-IКП IЭ=IЭП-αIIКП

Параметры БПТ
ВАХ БПТ дают наиболее полную информацию о транзисторе, однако в усилителях малых сигналов его можно представить как активный четырехполюсник, поэтому достаточным является знание h-параметров транзи

Определение h-параметров по вольт-амперной характеристике БПТ
Для схемы с ОБ

Модели БПТ
Наиболее распространенной является модель Эберса-Молла:

Малосигнальные модели БПТ
В простейшем виде биполярный транзистор может быть представлен следующим образом:

Влияние режима работы и температуры на параметры транзистора
Влияние температуры выражается в том, что с изменением температуры возрастает концентрация собственных носителей в областях полупроводника, составляющих р-n переход, что приводит к возрастанию тока

Основные параметры ПТУП
1) крутизна статической стоко-затворной характеристики – представляет собой производную функции тока по напряжению затвора при

Входная характеристика для индуцированного канала
Чем больше напряже

Структура тиристора
Чем ниже концентрация примеси (тут донорной), тем больше рабочие напряжения. Пластина помещается в печь, где происходит диффузия п