рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Основные параметры ПТУП

Основные параметры ПТУП - раздел История, Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники 1) Крутизна Статичес...

1) крутизна статической стоко-затворной характеристики – представляет собой производную функции тока по напряжению затвора при :, .

 


стоко-затворная характеристика.

 

2) внутреннее сопротивление – определяется по выходным характеристикам:

;

.

 

стоковая характеристика.

 

 

3) статический коэффициент усиления по напряжению – показывает, во сколько раз изменение напряжения на затворе эффективнее воздействует на ток , чем изменение напряжения на стоке:

,

.

 

Неосновные параметры: входной ток, межэлектродные емкости и т.д.

 

 

Лекция №15

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники

Краткие сведения по истории электроники... Начало развития электроники конец начало в... В г Лосев О В открыл возможность генерации и усиления электрических колебаний с помощью кристаллического...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Основные параметры ПТУП

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Металлы и полупроводник
Френкель Я.И. разработал: - квантовую теорию п/п; - ввел понятие о подвижных свободных местах кристаллической решетки п/п (дырок); - создал теорию генера

Требования к электронным элементам радиоэлектронной аппаратуры
  Главные параметры:   1 Номинальные значения и их допуски. 2 Надёжность – свойство сохранять во времени и установленных пределах значения всех парамет

Электроны в твёрдых телах
  Энергия электрона принимает лишь определённые значения, называемые энергетическими уровнями. При переходе электрона с более высокого уровня на более низкий выделяется квант энергии

Примесная проводимость
Германий, кремний и арсенид галлия – четырёхвалентны, а сурьма, фосфор, мышьяк – пятивалентны. Если к одному атому германия или кремния присоединить элемент пятой подгруппы, то пятый электрон отдаё

Биполярные приборы
  р-n переход (симметричный) это соединение двух областей с разными типами проводимости, концентрация основных и неосновных носителей равны между собой. Носители заряда концентрации к

Обратное включение
    За счет приложенного напряжения увеличивается потенциальный барьер. Обратный ток очень ма

Емкости p-n-перехода.
Инжекция – впрыскивание или обогащение. Экстракция – обеднение.    

Понятие плавного и резкого p-n-перехода.
    Резкий p-n-переход – если концентрация носителей в областях отличается на несколько порядков.

Пробои p-n-перехода.
  Различают 3 механизма пробоя p-n-перехода: 1) полевой; 2) лавинный; 3) тепловой (необратимый). Полевой пробой происходит в p-n-переходе, который

Полевой Лавинный
    Если напряжение пробоя больше 7В то

Отличия реального диода от идеального
  1. Площадь p-n-перехода в диоде ограничена и поэтому сказываются процессы на границе p-n-перехода. Наличие кривизны

Импульсные диоды
  Используются в устройствах автоматики, вычислительной техники; являются высокочастотными, имеют малую барьерную емкость и сопротивление. В импульсном режиме могут работать также и в

Режим большого сигнала.
  Импульс может быть одно или двухполярный.     В режиме большого сигнала входн

Cтабилитроны
Стабилитроны (СТ) - п/п диоды, принцип действия которых основан на использовании пробоя p-n-перехода (электрического пробоя). Существует полевой и лавинный пробой, поэтому используют полевые и лави

Параметры ТД
1) ток пика - ток через ТД в области малых напряжений, при котором производная по току равна нулю (происходит перегиб) 2) напряжение, при котором течет ток пика называют напряжением пика

Обращенные диоды
  Это диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном включении вследствие туннельного эффекта больше, чем при прямом напряжении

Варикапы
  Это полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости от величины обратного напряжения, и которые предназначены в качестве применения как элемента с электрически у

Принцип усиления БПТ
  Упрощенная схема усилительного каскада на БПТ   КИ=Ивых/Ивх

Статические ВАХ БПТ с ОБ
  Для токов через переходы БПТ можно записать Iк=αNIЭП-IКП IЭ=IЭП-αIIКП

Параметры БПТ
ВАХ БПТ дают наиболее полную информацию о транзисторе, однако в усилителях малых сигналов его можно представить как активный четырехполюсник, поэтому достаточным является знание h-параметров транзи

Определение h-параметров по вольт-амперной характеристике БПТ
Для схемы с ОБ            

Модели БПТ
Наиболее распространенной является модель Эберса-Молла:    

Малосигнальные модели БПТ
  В простейшем виде биполярный транзистор может быть представлен следующим образом:    

Влияние режима работы и температуры на параметры транзистора
Влияние температуры выражается в том, что с изменением температуры возрастает концентрация собственных носителей в областях полупроводника, составляющих р-n переход, что приводит к возрастанию тока

Ключевой режим работы БПТ
   

Входная характеристика для индуцированного канала
      Чем больше напряже

Структура тиристора
Чем ниже концентрация примеси (тут донорной), тем больше рабочие напряжения. Пластина помещается в печь, где происходит диффузия п

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги