Структура тиристора

Чем ниже концентрация примеси (тут донорной), тем больше рабочие напряжения. Пластина помещается в печь, где происходит диффузия примеси p-типа и n– типа.

 

Тиристор можно рассматривать как два транзистора p - n^- -p и n^- -p –n⁺

 

Схематически эта схема выглядит так:

В результате двойной диффузии получается четырехобластная структура, где области p₁ и p₂ имеет одинаковую концентрацию (более высокую, чем n₁), а n₂ имеет еще более высокую концентрацию, и тем более большую, чем n₁, причем глубина переходов П1 и П2 одинакова, а переход П3 имеет меньшую глубину, чем П1 и П2. Переходы П1 и П2 имеют высокое пробивное напряжение, которое определяется концентрацией примеси в области n₁. Переход П3 имеет малое пробивное напряжение (несколько десятков). Если напряжение по полярности + на аноде, а – на катоде, то переходы П1 и П3 оказываются смещены в прямом направлении и все напряжение анод-катод прикладывается к П2, поэтому этот переход определяет рабочее напряжение тиристора. Если продолжать увеличивать

(см. ВАХ), то ток между электродами начнет медленно возрастать, как ток любого обратносмещенного p-n-перехода. Дальнейшее поведение ВАХ тиристора можно проследить на эквивалентной схеме .тиристора, представленной в виде д