Биполярные приборы - раздел История, Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники
Р-N Переход (Симметричный) Это Соединение Двух Областей С Раз...
р-n переход (симметричный) это соединение двух областей с разными типами проводимости, концентрация основных и неосновных носителей равны между собой. Носители заряда концентрации которых преобладают в данном п/п называются основными. Ими являются: в п/п n-типа – электроны, р-типа – дырки. Неосновные носители это те, концентрация которых меньше чем концентрация основных носителей.
Пример: для германия ni=pi=1013 Тогда концентрация n-донорная и n-акцепторная должна быть ( Nд и Na)=1015 ÷1018
Рро- концентрация основных носителей р-области
nn0- концентрация основных носителей n-области
np0- концентрация неосновных носителей n-области
pn0- концентрация неосновных носителей n-области
Зонные собственного полупроводника:
Эi- середина запрещенной зоны.
Если соединить область с разными типами проводимости, то начнется перемещение электронов в область дырок под действием градиента концентрации.
l=lp+ln
l- общая толщина p-n-перехода
Т.к это заряженные частицы, то после их ухода остаются некомпенсированные заряды по всей границе соприкосновения, с течением времени уменьшается количество электронов способных преодолеть Эл. поле. Положительные заряды которые перемещаются в Эл. поле сразу перемещаются в область n, тогда в промежутке существует область диэлектрическая, где нет носителей вблизи границы, это обедненный относительный слой .
Уровень Ферми – вероятность нахождения электронов в материале.
С течением времени всегда найдется электрон , который перейдет в область р, дырки так же переходят в область n, в результате возникает ток из двух составляющих разного заряда.
jnдиффуз. jр диффуз.
jn диффуз. jр диффуз. составляющие токи
В равновесном состоянии ток равен 0, т.к. происходит уравновешивание составляющих тока.
Если приложить внешнее напряжение которое будет создавать дополнительное поле то равновесие нарушается.
Краткие сведения по истории электроники... Начало развития электроники конец начало в... В г Лосев О В открыл возможность генерации и усиления электрических колебаний с помощью кристаллического...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Биполярные приборы
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Металлы и полупроводник
Френкель Я.И. разработал:
- квантовую теорию п/п;
- ввел понятие о подвижных свободных местах кристаллической решетки п/п (дырок);
- создал теорию генера
Электроны в твёрдых телах
Энергия электрона принимает лишь определённые значения, называемые энергетическими уровнями. При переходе электрона с более высокого уровня на более низкий выделяется квант энергии
Примесная проводимость
Германий, кремний и арсенид галлия – четырёхвалентны, а сурьма, фосфор, мышьяк – пятивалентны. Если к одному атому германия или кремния присоединить элемент пятой подгруппы, то пятый электрон отдаё
Обратное включение
За счет приложенного напряжения увеличивается потенциальный барьер.
Обратный ток очень ма
Емкости p-n-перехода.
Инжекция – впрыскивание или обогащение. Экстракция – обеднение.
Отличия реального диода от идеального
1. Площадь p-n-перехода в диоде ограничена и поэтому сказываются процессы на границе p-n-перехода.
Наличие кривизны
Импульсные диоды
Используются в устройствах автоматики, вычислительной техники; являются высокочастотными, имеют малую барьерную емкость и сопротивление. В импульсном режиме могут работать также и в
Режим большого сигнала.
Импульс может быть одно или двухполярный.
В режиме большого сигнала входн
Cтабилитроны
Стабилитроны (СТ) - п/п диоды, принцип действия которых основан на использовании пробоя p-n-перехода (электрического пробоя). Существует полевой и лавинный пробой, поэтому используют полевые и лави
Параметры ТД
1) ток пика - ток через ТД в области малых напряжений, при котором производная по току равна нулю (происходит перегиб)
2) напряжение, при котором течет ток пика называют напряжением пика
Обращенные диоды
Это диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном включении вследствие туннельного эффекта больше, чем при прямом напряжении
Варикапы
Это полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости от величины обратного напряжения, и которые предназначены в качестве применения как элемента с электрически у
Параметры БПТ
ВАХ БПТ дают наиболее полную информацию о транзисторе, однако в усилителях малых сигналов его можно представить как активный четырехполюсник, поэтому достаточным является знание h-параметров транзи
Модели БПТ
Наиболее распространенной является модель Эберса-Молла:
Малосигнальные модели БПТ
В простейшем виде биполярный транзистор может быть представлен следующим образом:
Влияние режима работы и температуры на параметры транзистора
Влияние температуры выражается в том, что с изменением температуры возрастает концентрация собственных носителей в областях полупроводника, составляющих р-n переход, что приводит к возрастанию тока
jn диффуз. jр диффуз.
Новости и инфо для студентов