р-n переход (симметричный) это соединение двух областей с разными типами проводимости, концентрация основных и неосновных носителей равны между собой. Носители заряда концентрации которых преобладают в данном п/п называются основными. Ими являются: в п/п n-типа – электроны, р-типа – дырки. Неосновные носители это те, концентрация которых меньше чем концентрация основных носителей.
Пример: для германия ni=pi=1013 Тогда концентрация n-донорная и n-акцепторная должна быть ( Nд и Na)=1015 ÷1018
Рро- концентрация основных носителей р-области
nn0- концентрация основных носителей n-области
np0- концентрация неосновных носителей n-области
pn0- концентрация неосновных носителей n-области
Зонные собственного полупроводника:
Эi- середина запрещенной зоны.
Если соединить область с разными типами проводимости, то начнется перемещение электронов в область дырок под действием градиента концентрации.
l=lp+ln
Т.к это заряженные частицы, то после их ухода остаются некомпенсированные заряды по всей границе соприкосновения, с течением времени уменьшается количество электронов способных преодолеть Эл. поле. Положительные заряды которые перемещаются в Эл. поле сразу перемещаются в область n, тогда в промежутке существует область диэлектрическая, где нет носителей вблизи границы, это обедненный относительный слой .
Уровень Ферми – вероятность нахождения электронов в материале.
С течением времени всегда найдется электрон , который перейдет в область р, дырки так же переходят в область n, в результате возникает ток из двух составляющих разного заряда.
jn диффуз. jр диффуз.
jn диффуз. jр диффуз. составляющие токи
В равновесном состоянии ток равен 0, т.к. происходит уравновешивание составляющих тока.
Если приложить внешнее напряжение которое будет создавать дополнительное поле то равновесие нарушается.