рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu

Работа сделанна в 2000 году

Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu - Дипломная Работа, раздел Программирование, - 2000 год - Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения Механизмы Выброса Захваченного Заряда В Опз Гетероперехода Cds-Cu. S. Гетероп...

Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu. S. Гетеропереход CdS-Cu2S может находиться в двух различных состояниях. Одно из них - равновесное - обладает низкой чувствительностью к инфракрасному свету и позволяет получить невысокое значение тока Iкз. Другое состояние - неравновесное - высокочувствительно к ИК - свету и дает значительно большую величину тока короткого замыкания.

Переход из равновесного состояния в неравновесное осуществляется при действии коротковолнового света за счет описанного выше эффекта захвата и накопления неравновесных дырок на ловушках в ОПЗ CdS Время сохранения структурой неравновесного состояния определяется величиной рекомбинационного барьера и процессом выброса дырок из ловушек, идущего наряду с накоплением.

Но после прекращения действия коротковолновой подсветки выброс начинает играть решающую роль в токопереносе, так как освобождение захваченного заряда обусловливает обратные изменения параметров барьера и переход структуры из неравновесного состояния в равновесное. Интенсивность выброса определяет величину и скорость этого изменения параметров барьера, а значит и Iкз. Поэтому представляется важным звать, как именно выброс влияет на параметре барьера после прекращения фотовозбуждения коротковолновым светом, как быстро они изменяются со временем.

Удаление дырок, захваченных на ловушки в ОПЗ CdS, возможно по следующим четырем механизмам Рис.7 1.термический выброс в валентную зону CdS переход 1 2.непосредственное туннелирование дырок с ловушечных центров валентную зону Cu2S переход 2 3.двухступенчатое туннелирование электрона из квазинейтральной области CdS в ОПЗ переход 3 и последующей рекомбинации с неравновесной дыркой 4.туннельно-прыжковая рекомбинация переход 4 Рис.7. Механизмы удаления захваченных на ловушки дырок из ОПЗ гетероперехода CdS-Cu2SНаличие последнего механизма связано с тем, что дефекты трансляционной симметрии в ОПЗ приводят к размыванию краев разрешенных зов и образованию в запрещенной зоне отличной от нуля плотности состояний NE. По этим локальным состояниям возможен токоперенос, описываемый с позиций модели прыжковой проводимости Мотта. Часть электронов, находящихся на локализованных состояниях, может рекомбинировать с дырками, захваченными на ловушки, очевидно, что рекомбинировать могут лишь носители, находящиеся вблизи уровня Ферми, т.к. выше носителей нет. а ниже все состояния заполнены и прыжок совершить некуда.

Таким образом, рекомбинировать могут только относительно подвижные носители, расположенные на энергетическом расстоянии порядка kT от уровня Ферми EF. Вероятности осуществления указанных механизмов находятся в сильной зависимости от глубины залегания дырочных ловушек, ET, температуры образца и пространственной координаты локальных центров в ОПЗ. Внешнее смещение оказывает на механизмы выброса разное влияние, так, термический выброс 1 от напряжения не зависит вообще, непосредственное туннелирование 2 зависит слабо, а двухступенчатая рекомбинация я туннельно-прыжковый механизм проявляют сильную зависимость от внешнего смещения.

Кинетика выброса дырок по перечисленным механизмам при фотовозбуждении описывается уравнением 12где f -функция генерации, имеющая постоянное значение -тепловая скорость носителей Spt и Snt-поперечное сечение захвата дырок я электронов Pv-эффективная плотность состояний в валентной зоне CdS n0-концентрация свободных электронов в квазинейтральной области CdS Snr-поперечное сечение захвата электронов центром рекомбинации на границе раздела - NEF -плотность состояний в окрестности уровня Ферми -D1х,D2х-коэффициенты прозрачности барьеров, соответствующих туннелированию я двухступенчатой рекомбинации -эффективная тепловая скорость носителей при прыжковой проводимости. Второе слагаемое в правой части описывает термический выброс 1, третье - туннельный 2, четвертое - двухступенчатое туннелирование 3, а пятое туннельно-прыжковую рекомбинацию 4. Рассмотрим кинетику выброса дырок в отсутствии фотовозбуждения, то есть случай спадающей релаксации.

Пусть при t0 в момент выключения коротковолнового света концентрация на ловушках такова, что условие 13выполняется.

В этом случае рекомбинационными потерями на границе можно пренебречь и ток, генерированный длинноволновым светом в Cu2S, будет максимален.

После выключения света при t0 в уравнении 12 функция генерации f оказывается равной нулю. В то же время начальное условие записывается в виде 14Безусловно, при всех значениях x ptxNt. Таким образом, уравнение 12 перепишется в виде 15Данное уравнение определяет зависимость концентрации носителей захваченных на дырочные ловушки в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu2S от времени, прошедшего после выключения возбуждающего света. Решение кинетического уравнения для неравновесных дырок с концентрацией pt, захваченных не ловушки в ОПЗ CdS, учитывающего все пути ликвидации накопленного заряда, определяет процесс спада тока короткого замыкания, т.к. кинетика находится в прямой зависимости от кинетики захваченного заряда. 5.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения

Барьеры на диаграмме энергетических зон, связанные с различием в ширине запрещенной зоны двух полупроводников открывают новые возможности для… Гетеропереходы используются в лазерах, вычислительной технике, интегральных… Электрооптические свойства гетеропереходов нашли практическое применение в фототранзисторах и в солнечных элементах.

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Общие свойства гетеропереходов
Общие свойства гетеропереходов. Гетеропереходом называется контакт двух различных по химическому составу полупроводников. Если полупроводники имеют одинаковый тип проводимости, то они образу

Модели токопереноса в гетеропереходе CdS Cu
Модели токопереноса в гетеропереходе CdS Cu. S. Система CdS-Сu2S представляет собой неидеальный анизотипный гетеропереход у которого различие постоянных кристаллических решеток контактирующих полуп

Технология изготовления гетеропары CdS-Cu
Технология изготовления гетеропары CdS-Cu. S. Получение тонкопленочного CdS. Основные методы изготовления гетероперехода в были разработаны при конструировании фотоэлементов. Впервые фотоэлемент с

Общие понятия о сенситометрии
Общие понятия о сенситометрии. Разнообразные фотографические методы, используемые для регистрации многих видов информации, характеризуются типичным физико-химическим единством. Все фо

Описание экспериментальной установки
Описание экспериментальной установки. В настоящей работе рассматривается попытка охарактеризовать ФСИ на основе ГП CdS-Cu2S обладающего, как и фотоматериалы, способностью накопления, с помощ

Исследование сенситометрических характеристик преобразователя изображения на основе гетероперехода CdS-Cu
Исследование сенситометрических характеристик преобразователя изображения на основе гетероперехода CdS-Cu. S. Структура преобразователя оптического изображения в электрический сигнал была показана

Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых
Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых. Для определения числа фотонов, поглощенных в пределах ОПЗ и давших вклад в ток короткого замыкания, воспользуемся законом Бугера-Ламбе

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги