рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Общие понятия о сенситометрии

Работа сделанна в 2000 году

Общие понятия о сенситометрии - Дипломная Работа, раздел Программирование, - 2000 год - Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения Общие Понятия О Сенситометрии. Разнообразные Фотографические Методы, И...

Общие понятия о сенситометрии.

Разнообразные фотографические методы, используемые для регистрации многих видов информации, характеризуются типичным физико-химическим единством.

Все фотографические процессы основаны на применении веществ или приборов, прежде всего, обладающих светочувствительностью.

Сенситометрия - это раздел фотографической науки, связанный с измерением фотографических свойств фотоматериалов, обладающих чувствительностью к излучениям видимой и прилегающих к ней областей спектра, а также свойств получаемых на них фотографических изображений 11. Для количественного определения характеристик фотоматериалов широко используется метод построения характеристических кривых, предложенный более ста лет назад Хертером и Дриффилдом.

Фотографическое почернение сильно реагирует на изменение условий освещения, и в первую очередь на количество освещения НEt16где Е - освещенность в плоскости эмульсионного слоя. Если облучить слой светом любого спектрального состава серией возрастающих экспозиций и по данным измерения проявленных почернений построить зависимость оптической плотности D от логарифма количества освещения lgH , то полученная кривая, называемая характеристической, будет иметь S - образную форму, где различают следующие области Рис. 9 I- область недодержек II- область пропорциональной передачи или область нормальных экспозиций III- область передержек IV- область соляризации или область обращения.

Рис.9. Характеристическая кривая. В случаях исследования разных слоев при различных условиях экспонирования и проявления характеристические кривые, как правило, имеют подобную форму.

Если в области пропорциональной передачи взять две точки D1 и D2, то будет существовать зависимость 17где г - коэффициент контрастности. Отсюда следует 18где g - градиент плотности и gmaxг. На характеристической кривой выделяют следующие точки и параметры, которые могут быть использованы в роли критериев фотоматериалов см. рис.9 т.1 - порог почернения т.2 - точек инерции D0- плотность вуали L - фотографическая широта интервал экспозиций в пределах области пропорциональной передачи.

Величина фоточувствительности зависит от сенситометрической системы, в которой она определяется. Существует несколько систем ГОСТ, немецкая система ДИН, американская ASA. В системе ГОСТ фотографическая чувствительность обратно пропорциональна величине экспозиции соответствующей уровню оптической плотности, превышающему плотность вуали в 100.2 раза 19 7.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения

Барьеры на диаграмме энергетических зон, связанные с различием в ширине запрещенной зоны двух полупроводников открывают новые возможности для… Гетеропереходы используются в лазерах, вычислительной технике, интегральных… Электрооптические свойства гетеропереходов нашли практическое применение в фототранзисторах и в солнечных элементах.

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Общие понятия о сенситометрии

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Общие свойства гетеропереходов
Общие свойства гетеропереходов. Гетеропереходом называется контакт двух различных по химическому составу полупроводников. Если полупроводники имеют одинаковый тип проводимости, то они образу

Модели токопереноса в гетеропереходе CdS Cu
Модели токопереноса в гетеропереходе CdS Cu. S. Система CdS-Сu2S представляет собой неидеальный анизотипный гетеропереход у которого различие постоянных кристаллических решеток контактирующих полуп

Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu
Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu. S. Гетеропереход CdS-Cu2S может находиться в двух различных состояниях. Одно из них - равновесное - обладает низкой чувствительнос

Технология изготовления гетеропары CdS-Cu
Технология изготовления гетеропары CdS-Cu. S. Получение тонкопленочного CdS. Основные методы изготовления гетероперехода в были разработаны при конструировании фотоэлементов. Впервые фотоэлемент с

Описание экспериментальной установки
Описание экспериментальной установки. В настоящей работе рассматривается попытка охарактеризовать ФСИ на основе ГП CdS-Cu2S обладающего, как и фотоматериалы, способностью накопления, с помощ

Исследование сенситометрических характеристик преобразователя изображения на основе гетероперехода CdS-Cu
Исследование сенситометрических характеристик преобразователя изображения на основе гетероперехода CdS-Cu. S. Структура преобразователя оптического изображения в электрический сигнал была показана

Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых
Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых. Для определения числа фотонов, поглощенных в пределах ОПЗ и давших вклад в ток короткого замыкания, воспользуемся законом Бугера-Ламбе

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги