рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Описание экспериментальной установки

Работа сделанна в 2000 году

Описание экспериментальной установки - Дипломная Работа, раздел Программирование, - 2000 год - Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения Описание Экспериментальной Установки. В Настоящей Работе Рассматривает...

Описание экспериментальной установки.

В настоящей работе рассматривается попытка охарактеризовать ФСИ на основе ГП CdS-Cu2S обладающего, как и фотоматериалы, способностью накопления, с помощью классических сенситометрических характеристик, разработанных для фотографических слоев и рассмотренных в предыдущей главе. Процессы стирания изображения при облучении ИК-светом изучались на экспериментальной установке, схема которой представлена на рис.10. Образец устанавливался в камере, позволяющей изолировать его от попадания постороннего света. Освещение производилось двумя монохроматорами ИКС-12 и УМ-2. Монохроматор ИКС-12 использовался для возбуждения ФСИ в ИК - области спектра, а также для стирания информации.

Свет через зеркало З поступал на образец. Рис.10. Блок-схема измерительной установки. Монохроматор УМ-2 использовался, в основном, для измерения спектральных зависимостей тока короткого замыкания и сенситометрических характеристик образцов.

Свет от лампы S, яркость которой регулировалась через линзу Л1, направлялся на входную щель монохроматора. С входной щели свет фокусировался линзой Л2 и направлялся на исследуемый образец. Зеркало З установлено таким образом, чтобы свет от ИК - монохроматора попадал на ту же часть образца, что и свет от монохроматора УМ-2. Для формирования коротких импульсов ИК-света использовался светодиод АЛ-107 с длиной волны излучаемого света 930 нм. Светодиод через транзисторный ключ ТК подключен к генератору Г5-60. Питание ключа осуществлялось от регулируемого источника напряжения ТЕС-13. Отклики на импульсы ИК - света от светодиодов регистрировались осциллографом C1-76, работающим в ждущем режиме и синхронизированном генератором импульсов Г5-60. Смещение на образец подавалось от источника питания Б5-48. Измерение освещенности образца производилось с помощью люксметра Ю116. Гетеропереход был включен в вентильном режиме, т.е. напряжение на него не подавалось.

Сигнал тока короткого замыкания усиливался микросхемой К140УД8 и преобразовывался в сигнал напряжения. 8.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения

Барьеры на диаграмме энергетических зон, связанные с различием в ширине запрещенной зоны двух полупроводников открывают новые возможности для… Гетеропереходы используются в лазерах, вычислительной технике, интегральных… Электрооптические свойства гетеропереходов нашли практическое применение в фототранзисторах и в солнечных элементах.

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Описание экспериментальной установки

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Общие свойства гетеропереходов
Общие свойства гетеропереходов. Гетеропереходом называется контакт двух различных по химическому составу полупроводников. Если полупроводники имеют одинаковый тип проводимости, то они образу

Модели токопереноса в гетеропереходе CdS Cu
Модели токопереноса в гетеропереходе CdS Cu. S. Система CdS-Сu2S представляет собой неидеальный анизотипный гетеропереход у которого различие постоянных кристаллических решеток контактирующих полуп

Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu
Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu. S. Гетеропереход CdS-Cu2S может находиться в двух различных состояниях. Одно из них - равновесное - обладает низкой чувствительнос

Технология изготовления гетеропары CdS-Cu
Технология изготовления гетеропары CdS-Cu. S. Получение тонкопленочного CdS. Основные методы изготовления гетероперехода в были разработаны при конструировании фотоэлементов. Впервые фотоэлемент с

Общие понятия о сенситометрии
Общие понятия о сенситометрии. Разнообразные фотографические методы, используемые для регистрации многих видов информации, характеризуются типичным физико-химическим единством. Все фо

Исследование сенситометрических характеристик преобразователя изображения на основе гетероперехода CdS-Cu
Исследование сенситометрических характеристик преобразователя изображения на основе гетероперехода CdS-Cu. S. Структура преобразователя оптического изображения в электрический сигнал была показана

Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых
Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых. Для определения числа фотонов, поглощенных в пределах ОПЗ и давших вклад в ток короткого замыкания, воспользуемся законом Бугера-Ламбе

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги