рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Расчет надёжности

Расчет надёжности - раздел Информатика, Конструирование Расчет Надёжности. На Этапе Проектирования. Для Расчета Задаются Ориен...

Расчет надёжности. на этапе проектирования.

Для расчета задаются ориентировочные данные. В качестве температуры окружающей среды может быть принято среднее значение температуры внутри блока. Для различных элементов при расчетах надёжности служат различные параметры. Для резисторов и транзисторов это допустимая мощность рассеяния, для конденсаторов допустимое напряжение, для диодов прямой ток. Коэффициенты нагрузок для элементов каждого типа по напряжению могут быть определены по величине напряжения источника питания.

Так для конденсаторов номинальное напряжение рекомендуется брать в 1,5-2 раза выше напряжения источника питания. Допустимую мощность рассеяния резисторов следует брать в качестве номинального параметра. Фактическое значение параметра надо брать на половину меньше. Для конденсаторов номинальным параметром в расчете надежности считается допустимые значения напряжения на обкладках конденсатора. В большинстве схем этот параметр не указывается. Его следует выбирать исходя напряжения источника питания.

Для транзисторов номинальный параметр Рк берется и справочников. Для диодов контролируемый параметр - величина прямого тока (из справочников). При увеличении коэффициента нагрузки интенсивность возрастает. Она также возрастает, если элемент эксплуатируется в более жестких условиях: при повышенной температуре, влажности, при ударах и вибрациях. В стационарной аппаратуре, работающей в отапливаемых помещениях, наибольшее влияние на надежность аппаратуры имеет температура. В таблицу 1 заносим данные из принципиальной схемы.

Таблица заполняется по колонкам. В 1-ую колонку заносится наименование элемента, его тип определяется по схеме. Часто в схемах не указывается тип конденсатора, а даётся только его ёмкость. В этом случае следует по ёмкости и выбрать подходящий тип конденсатора в справочнике. Тип элемента заносится во вторую колонку. В колонку 4 заносится температура окружающей среды. Далее следует заполнить колонку 6, пользуясь теми рекомендациями, которые были приведены выше. Студенту, как правило, не известны фактические параметры элемента.

Выбирать их надо, руководствуясь рекомендациями таблицы 2.1. Таблица 2.1 Наименование элемента. Контролируемые параметры  нагрузки Импульсный режим Статический режим Транзисторы 0,5 0,2 Диоды 0,5 0,2 Конденсаторы 0,7 0,5 Резисторы 0,6 0,5 Трансформаторы 0,9 0,7 Соединители 0,8 0,5 Микросхемы   Зная н определяем фактическое значение параметра и заполняем колонки 5 и 8. Если н в таблицу для элемента не указано, то следует ставить прочерк или брать н=0,5. Колонка 7 заполняется по справочнику.

Далее определяется коэффициент влияния (), которое показывает как влияние на интенсивность отказов окружающая элемент температура в связи с коэффициентом нагрузки. Находят () по таблице 2.2. Таблица 2.2. TC Значение  при  равном 0,1 0,3 0,5 0,8 1 Кремниевые полупроводниковые приборы 20 40 70 0,02 0,05 0,15 0,05 0,15 0,35 0,15 0,30 0,75 0,5 1 1 1   Керамические конденсаторы 20 40 70 0,15 0,30 0,30 0,30 0,30 0,50 0,35 0,50 0,75 0,65 1,00 1,5 1 1,4 2,2 Бумажные конденсаторы 20 40 70 0,35 0,50 0,7 0,55 0,60 1,0 0,70 0,80 1,4 0,85 1,00 1,8 1,0 1,2 2,3 Электролитические конденсаторы 20 40 70 0,55 0,65 1,45 0,65 0,80 1,75 0,75 0,90 2,0 0,90 1,1 2,5 1,0 1,2 2,3 Металлодиэлектрические или металлооксидные резисторы 20 40 70 0,40 0,45 0,50 0,50 0,60 0,75 0,65 0,80 1,00 0,85 1,1 1,5 1,00 1,35 2 Силовые трансформаторы 20 40 70 0,40 0,42 1,5 0,43 0,50 2 0,45 0,60 3,1 0,55 0,90 6,0 1 1,5 10,00 Колонка 10 заполняется из соответствующей таблицы 2.3. (интенсивность отказов о для температуры +20С). Наименование Тип Кол-во Температура окруж. среды Фактическое значение параметра Номинальное значение параметра Конструктивная характеристика Κ α λ0•10-6 1/час λi= α• λ0•10-6 λс= λi•n•10-6 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Транзистор КТ315Б 1 40ºС РФ=100мВт РН=300мВт Кремниев 0,3 0,2 0,5 0,1 0,1 КТ361Б 1 РФ=100мВт РН=300мВт 0,3 0,2 0,5 0,1 0,1 КТ3102А 8 РФ=100мВт РН=300мВт 0,3 0,2 0,5 0,1 0,8 КТ3107И 1 РФ=100мВт РН=300мВт 0,3 0,2 0,5 0,1 0,1 МП37А 1 РФ=100мВт РН=300мВт Герман. 0,3 0,2 0,5 0,1 0,1 Резистор МЛТ 0,125 33 РФ=80мВт РН=125мВт Метал-оксидные 0,5 0,8 0,043 0,034 1,12 Конденсатор КМ-5Б 13 UФ=9В UН=50В Керамич. 0,1 0,3 0,15 0,06 0,78 К50-35 8 UФ=9В UН=25В Электрол. 0,3 0,5 0,5 0,25 2,0 Диод КД522А 3 IПФ=10мA IПТ=30мA Кремниев 0,5 0,3 0,05 0,015 0,045 АЛ147А 2   0,5 0,3 0,1 0,03 0,06 КД213А 4 IПФ=0,5A IПТ=3A 0,2 0,1 0,1 0,01 0,04 КД105Б 4 IПФ=0,2A IПТ=1A 0,2 0,1 0,1 0,01 0,04 АЛС331А 1   0,5 0,5 0,1 0,05 0,05 КУ202Н 1 IПФ=0,5A IПТ=2A 0,4 0,3 0,1 0,03 0,03 ФД263 1   0,5 0,5 0,1 0,05 0,05 Трансформатор ТС-20 1    0,5 0,5 4,2 2,1 2,1 Микросхема  3    0,5 0,5 0,013 0,006 0,018 Пайка        0,03 0,015 0,3 Таблица 2.3. Наименование элемента о•10-61/час Микросхемы средней степени интеграции Большие интегральные схемы 0,013 0,01 Транзисторы германиевые: Маломощные Средней мощности Мощностью более 200мВт 0,7 0,6 1,91 Кремниевые транзисторы: Мощностью до 150мВт Мощностью до 1Вт Мощностью до 4Вт 0,84 0,5 0,74 Высокочастотные транзисторы: Малой мощности Средней мощности 0,2 0,5 Транзисторы полевые 0,1 Конденсаторы Бумажные Керамические Слюдяные Стеклянные Пленочные Электролитические(алюминиевые) Электролитические(танталовые) Воздушные переменные 0,05 0,15 0,075 0,06 0,05 0,5 0,035 0,034 Резисторы: Композиционные Плёночные Угольные Проволочные 0,043 0,03 0,047 0,087 Диоды: Кремниевые Выпрямительные Универсальные Импульсные 0,2 0,1 0,05 0,1 Стабилитроны Германиевые 0,0157 Трансформаторы: Силовые Звуковой частоты Высокочастотные Автотрансформаторные 0,25 0,02 0,045 0,06 Дроссели: Катушки индуктивности Реле 0,34 0,02 0,08 Антенны Микрофоны Громкоговорители Оптические датчики 0,36 20 4 4,7 Переключатели, тумблеры, кнопки Соединители Гнёзда 0,07n 0.06n 0.01n Пайка навесного монтажа Пайка печатного монтажа Пайка объёмного монтажа 0,01 0,03 0,02 Предохранители 0,5 Волноводы гибкие Волноводы жёсткие 1,1 9,6 Электродвигатели Асинхронные Асинхронные вентиляторы 0,359 2,25 Определим произведение коэффициентов влияний: i =  х о, (2.1) где: i - произведение коэффициентов влияний;  - коэффициент влияния температуры; о - интенсивность отказов. i =0,5 0,2=0,1 В двенадцатой колонке определяем: с = i х n, (2.2) где: i - произведение коэффициентов влияний; n - количество элементов. с=0,1 1=0,1 Определим среднее время наработки на отказ: , (2.3) где: Тср – среднее время наработки на отказ с – суммарное значение двенадцатой колонки с = 7,83 Тср = 1/7,83 10-6 = 1,3 105 часов 3.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Конструирование

Развитие автоматизации в народном хозяйстве и во всех областях человеческой деятельности идёт по пути постепенного увеличения комплекса машин и… Примером может служить переход от автоматизации станка к созданию… Протяжённость коммуникаций возрастает.В основе любой технической, биологической и социальной системы управления и…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Расчет надёжности

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Анализ технического задания
Анализ технического задания. Частота управляющих импульсов (Гц)… 30…35 Напряжение питания пульта управления (В)… 4,5…6 Напряжение питания приёмника (В)… 220 Частота питающей сети (Гц)… 50 Максималь

Расчетная часть
Расчетная часть. Расчет надежности Расчет надежности производят на этапе разработки объекта для определения времени наработки на отказ устройства. В результате расчета должны быть определены

Обоснование выбора транзисторов
Обоснование выбора транзисторов. В ключевом режиме работает транзистор VT2 ПДУ. Произведём выбор наиболее подходящего полупроводникового прибора из ниже приведённого списка. Таблица 3.1 Тип

Обоснование выбора диодов
Обоснование выбора диодов. Диоды VD2 – VD4 приёмника универсальные. Проходящий через них ток не превышает 10мА. Таблица 3.3 Тип диода Допустимый прямой ток Максимальный обратный ток КД522А 3

Обоснование выбора резисторов
Обоснование выбора резисторов. Все резисторы выбираются по требуемому номинальному значению и мощности. Иногда в особо точных схемах учитывается допустимое отклонение от номинальной величины

Обоснование выбора конденсаторов
Обоснование выбора конденсаторов. При выборе конденсаторов для радиоэлектронных устройств, приходиться решать одну из противоположных по своему характеру задач. Прямая задача – по известному

Обоснование выбора микросхем
Обоснование выбора микросхем. Основу устройства составляют интегральные микросхемы серии 561 (КМОП), построенные на полевых транзисторах. Она отличается малым потреблением электроэнергии, в

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги