рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Арсенид галлия

Работа сделанна в 2001 году

Арсенид галлия - Реферат, раздел Физика, - 2001 год - Светоизлучающие диоды Арсенид Галлия. Полупроводниковые Светоизлучающие Диоды Изготавливают В Насто...

Арсенид галлия. Полупроводниковые светоизлучающие диоды изготавливают в настоящее время на основе бинарных и нтерметаллических соединений типа AIIIBV и многокомпонентных твердых растворов этих соединений. В данной главе будут кратко рассмотрены основные электрофизические свойства наиболее широко применяемых в производстве ветоизлучающих диодов полупроводниковых соединений - GaAs и GaP. Большое внимание к GaAs в начальный период исследования соединений типа АIIIВV было связано с представлением о том, что На основе GaAs возможно создание высокочастотных и высокотемпературных транзисторов, так как подвижность электронов в нем значительно выше, а их эффективная масса почти на порядок меньшие, чем в Ge. Однако эти ожидания не оправдались, так как время жизни носителей в GaAs оказалось весьма малым.

Первые важные области применения GaAs были связаны с использованием его для производства туннельных диодов.

Значительную и все возрастающую роль GaAs играет в производстве фотопреобразователей солнечной энергии в электрическую.

Наиболее массовое применение GaAs нашел в производстве диодных источников спонтанного и когерентного излучений. На основе GaAs созданы высокоэффективные излучающие диоды инфракрасного диапазона, находящие разнообразные применения в оптоэлектронике. Широкое применение в производстве светоизлучающих диодов, знаковых индикаторов, лазеров и ИК диодов находят твердые растворы GaAs с GaP и AlAs. Основной промышленный метод получения GaAs - метод Чохральского.

Значительное распространение находит также горизонтальная направленная кристаллизация по методу Бриджмена. Монокристаллы GaAs по параметрам распределяются на несколько марок. Монокристаллы n-типа легируются Те, Sn или ничем не легируются, монокристаллы р-типа легируются Zn. Содержание посторонних примесей в GaAs n- и р-типов не превышает по массе 1 10-5 Cu 6 10-5 Со 1 10-4 Fe 5 10-6 Mn 5 10-5 Cr 2 10-5 Ni.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Светоизлучающие диоды

В основе действия-инжекционная электролюминесценция, эффективная в соединениях типа АIIIВV. Огромный интерес, проявляемый к светоизлучающим диодам… Цель реферата узнать о современных достижениях в области создания излучающих… Поэтому постоянно актуальна проблема создания высокоэффективных и надежных источников света.

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Арсенид галлия

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Инжекция неосновных носителей тока
Инжекция неосновных носителей тока. В основе работы полупроводниковых светоизлучаю-щих диодов лежит ряд физических явлений, важнейшие из них инжекция неосновных носителей в активную область структу

Вывод света из полупроводника
Вывод света из полупроводника. Из светоизлучающего кристалла может быть выведена только часть генерируемого р - n-переходом излучения в связи со следующими основными видами потерь 1 потери на внутр

Фосфид галлия
Фосфид галлия. GaP, так же как и GaAs, кристаллизуется в структуре цинковой обманки с ребром элементарной кубической ячейки 5,4506 А. Кратчайшее расстояние между центрами ядер элементов решетки GaP

Области применения и требования к приборам
Области применения и требования к приборам. Светоизлучающий диод состоит из кристалла полупроводника с электронно-дырочным переходом и омическими контактами и элементов конструкции, предназначенных

Светоизлучающий кристалл
Светоизлучающий кристалл. Для изготовления светоизлучающих кристаллов используют эпитаксиальные структуры, рассмотренные в гл. 3. Выбор вида эпитаксиальных структур определяется, с одной стороны, н

Устройство светоизлучающих диодов
Устройство светоизлучающих диодов. Выпускаемые промышленностью светоизлучающие диоды по конструкции могут быть разделены на следующие группы 1 в металло-стеклянном корпусе 2 в конструкции с полимер

Светоизлучающие диоды с управляемым цветом свечения
Светоизлучающие диоды с управляемым цветом свечения. Светоизлучающие диоды - одни из немногих источников света, которые позволяют реализовать управляемое изменение цвета свечения. В настояще

Электролюминесцентные лампы
Электролюминесцентные лампы. Рассмотрим схемы некоторых наиболее широко используемых конструкций ламп на основе светодиодов. В некоторых конструкциях использованы обычные транзисторные и дио

Индикаторы состояния
Индикаторы состояния. Ламповые индикаторы имеют широкую область применения. В некоторых случаях они указывают на наличие рабочих условий, например на включение питания в различных приборах и

Индикаторы на светодиодах
Индикаторы на светодиодах. Наиболее распространенные форматы буквенно-цифровых индикаторов на основе светодиодов показаны на рис. Семиэлемептные индикаторы или матрицы из 3 X 5 точек обычно применя

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги