Реферат Курсовая Конспект
Работа сделанна в 2001 году
Арсенид галлия - Реферат, раздел Физика, - 2001 год - Светоизлучающие диоды Арсенид Галлия. Полупроводниковые Светоизлучающие Диоды Изготавливают В Насто...
|
Арсенид галлия. Полупроводниковые светоизлучающие диоды изготавливают в настоящее время на основе бинарных и нтерметаллических соединений типа AIIIBV и многокомпонентных твердых растворов этих соединений. В данной главе будут кратко рассмотрены основные электрофизические свойства наиболее широко применяемых в производстве ветоизлучающих диодов полупроводниковых соединений - GaAs и GaP. Большое внимание к GaAs в начальный период исследования соединений типа АIIIВV было связано с представлением о том, что На основе GaAs возможно создание высокочастотных и высокотемпературных транзисторов, так как подвижность электронов в нем значительно выше, а их эффективная масса почти на порядок меньшие, чем в Ge. Однако эти ожидания не оправдались, так как время жизни носителей в GaAs оказалось весьма малым.
Первые важные области применения GaAs были связаны с использованием его для производства туннельных диодов.
Значительную и все возрастающую роль GaAs играет в производстве фотопреобразователей солнечной энергии в электрическую.
Наиболее массовое применение GaAs нашел в производстве диодных источников спонтанного и когерентного излучений. На основе GaAs созданы высокоэффективные излучающие диоды инфракрасного диапазона, находящие разнообразные применения в оптоэлектронике. Широкое применение в производстве светоизлучающих диодов, знаковых индикаторов, лазеров и ИК диодов находят твердые растворы GaAs с GaP и AlAs. Основной промышленный метод получения GaAs - метод Чохральского.
Значительное распространение находит также горизонтальная направленная кристаллизация по методу Бриджмена. Монокристаллы GaAs по параметрам распределяются на несколько марок. Монокристаллы n-типа легируются Те, Sn или ничем не легируются, монокристаллы р-типа легируются Zn. Содержание посторонних примесей в GaAs n- и р-типов не превышает по массе 1 10-5 Cu 6 10-5 Со 1 10-4 Fe 5 10-6 Mn 5 10-5 Cr 2 10-5 Ni.
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
В основе действия-инжекционная электролюминесценция, эффективная в соединениях типа АIIIВV. Огромный интерес, проявляемый к светоизлучающим диодам… Цель реферата узнать о современных достижениях в области создания излучающих… Поэтому постоянно актуальна проблема создания высокоэффективных и надежных источников света.
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Арсенид галлия
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов