Фосфид галлия. GaP, так же как и GaAs, кристаллизуется в структуре цинковой обманки с ребром элементарной кубической ячейки 5,4506 А. Кратчайшее расстояние между центрами ядер элементов решетки GaP равно 2,36 А, что составляет сумму атомных радиусов Р 1,1 А и Ga 1,26 А . Промышленное получение монокристаллического GaP осуществляется в две стадии синтез-получение крупных поликристалли-ческих слитков и выращивание монокристаллов по методу Чохральского из расплава, находящегося под слоем флюса.
Монокристаллы GaP по параметрам делятся на несколько марок. Монокристаллы n-типа легируются Те или S или ничем не легируются, монокристаллы р-типа легируются Zn, монокристаллы высокоомного GaP легируются хромом или другими примесями с глубокой энергией залегания. Следует отметить, что в связи с условиями выращивания высокая температура, высокое противодавление Р, наличие флюса, отсутствие стойких контейнерных материалов монокристаллы GaP характеризуются высоким уровнем неконтролируемых фоновых примесей примерно 5 1016-1 1017 см-3 , а также высокой плотностью дислокации более 104 см-2 . Поэтому монокристаллы GaP не обладают пригодной для практики люминесценцией и для получения светоизлучающих р-n-переходов необходимо выращивать эпитаксиальные слои GaP.