рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Экспериментальная установка для наблюдения четырехфотонного рассеяния света на поляритонах

Работа сделанна в 1997 году

Экспериментальная установка для наблюдения четырехфотонного рассеяния света на поляритонах - Реферат, раздел Физика, - 1997 год - Трех- и четырехволновое рассеяние света на поляритонах в кристаллах ниобата лития с примесями Экспериментальная Установка Для Наблюдения Четырехфотонного Рассеяния Света Н...

Экспериментальная установка для наблюдения четырехфотонного рассеяния света на поляритонах. В большинстве выполненных ранее работ использовалась традиционная схема КАРС-спектроскопии, в которой одна из накачек является дважды вырожденной с точки зрения процесса четырехволнового смешения, и регистрация сигнала ведется на антистоксовой частоте.

В данном случае использовался наиболее общий вариант четырехволнового взаимодействия, в котором все волны имеют разные частоты и регистрируется стоксова компонента рассеянного излучения. Схема экспериментальной установки приведена на рис.16. Источниками волн возбуждающего излучения с частотами 1 и 2 служат YAG Nd 3-лазер и перестраиваемый лазер на кристалле, имеющие длины волн генерации 1 1,064 мкм и 2 в интервале 1,08-1,22 мкм соответственно и работающие с частотой повторения 1-33 Гц. Накачкой для перестраиваемого лазера на кристалле с центрами окраски служит излучение основной гармоники YAG Nd 3-лазера, прошедшее через YAG Nd 3-усилитель и поляризационную призму Глана-Томсона ПГ1. В качестве зондирующей волны используется излучение второй гармоники YAG Nd 3-лазера длина волны L 532 нм, генерируемой удвоителем частоты ГВГ, которое отделяется от излучения основной гармоники при помощи зеркала с селективным по частоте коэффициентом отражения.

Благодаря использованию источников ближнего ИК диапазона для возбуждения поляритонной волны, паразитные засветки, вызванные люминесценцией исследуемой среды под действием их излучения, попадают в ИК диапазон, далекий от области регистрации сигнала, лежащей в видимой части спектра.

Необходимая поляризация лучей, падающих на кристалл, определяется поляризационными призмами Глана-Томсона ПГ1 и ПГ2. Углы падания лучей накачки на исследуемый кристалл задаются системой зеркал З2-З4. Кроме того, введение в лучи накачек дополнительных фокусирующих линз Л1-Л3 позволяет варьировать значение плотности мощности накачек в области их взаимодействия и их угловую расходимость.

Рассеянное излучение собирается трехлинзовой системой ЛС в плоскости входной щели спектрографа СП, пройдя предварительно через поляризационную призму Глана-Томсона ПГ3, служащую анализатором рассеянного излучения и отсекающую прошедшее через образец О излучение пробной волны.

На выходе спектрографа формировалась двумерная частотно-угловая картина рассеяния. Отклонение луча по горизонтали соответствовало частоте рассеянной волны, по вертикали - углу рассеяния в плоскости волновых векторов накачек. Устройство кассетной части спектрографа позволяет проводить как фотографическую, так и электронную регистрацию сигнала. В последнем случае приемником сигнала служит ФЭУ2, работающий в аналоговом режиме. Его сигнал через широкополосный усилитель с регулируемым коэффициентом передачи поступает в быстродействующий стробируемый АЦП интегрирующего типа, входящий в состав крейта КАМАК и далее в управляющую ЭВМ типа IBM PC AT. Управляющая ЭВМ посредством блоков, входящих в состав крейта КАМАК, осуществляет синхронизацию и управление работой отдельных узлов установки.

В настоящем варианте установки, при фотоэлектронной регистрации спектра, ФЭУ был неподвижен, и перед ним была помещена щель переменной ширины с микрометрическим винтом.

Сканирование спектра по частоте осуществлялось путем поворота призменной части спектрографа шаговым двигателем ШД1. Другой двигатель ШД2 служит для поворота кристалла в плоскости, содержащей все лучи накачек, что дает возможность изменять расстройку фазового синхронизма в образце. Дополнительный фотоприемник ФЭУ1 служит для контроля мощности накачки. Использование прерывателя пробного луча ПЛ позволяет автоматически вычитать фон, связанный с засветкой фотоприемника излучением суммарной частоты двух инфракрасных лазеров.

Оптическая схема установки ориентирована на регистрацию стоксовой компоненты рассеянного излучения. Это позволяет легко переходить от наблюдения спонтанного трехфотонного рассеяния света на поляритонах к наблюдению рассеяния на когерентно возбужденных состояниях среды простым включением ИК накачек, поскольку в обоих случаях рассеянное излучение лежит в одном частотно-угловом интервале.

Глава 4.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Трех- и четырехволновое рассеяние света на поляритонах в кристаллах ниобата лития с примесями

К таким типам рассеяния относятся спонтанное параметрическое рассеяние СПР и некоторые разновидности четырехфотонного рассеяния. Конечной целью… Образцами для исследования служат кристаллы ниобата лития. В свою очередь, среди них выделяются три группы пространственно-однородные кристаллы, но с различным содержанием…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Экспериментальная установка для наблюдения четырехфотонного рассеяния света на поляритонах

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Рассеяние света в однородных кристаллах
Рассеяние света в однородных кристаллах. Параметрическое рассеяние света представляет собой процесс спонтанного распада фотонов накачки L, kL в кристалле с отличной от нуля квадратичной восприимчив

Дисперсионная кривая кристалла
Дисперсионная кривая кристалла. Основные черты частотно-углового спектра СПР определяются дисперсионной кривой k кристалла. Дисперсионное соотношение кубического неанизотропного кристалла в

Интенсивность СПР и симметрия кристалла LiNbO
Интенсивность СПР и симметрия кристалла LiNbO. Впервые вопрос об интенсивности СПР рассматривался в работе 3 . Когда поляритонная частота p далека от частоты фонона, достаточно рассматривать квадра

Рассеяние света на поляритонах в условиях нелинейной дифракции
Рассеяние света на поляритонах в условиях нелинейной дифракции. Изменение нелинейной восприимчивости в пространстве оказывает воздействие на протекание параметрического процесса в кристалле.

Экспериментальная установка для наблюдения СПР
Экспериментальная установка для наблюдения СПР. Основными элементами экспериментальной установки рис.3 для получения спектров спонтанного параметрического рассеяния на поляритонах ПР-спектрограф яв

Образцы кристаллов LiNbO
Образцы кристаллов LiNbO. Исследовались кристаллы ниобата лития с различной концентрацией примесей Табл.1 . Кристалл ниобата лития - одноосный отрицательный в видимой области спектра, имеющий больш

Дисперсия в видимой и ближней ИК области спектра
Дисперсия в видимой и ближней ИК области спектра. Были измерены дисперсионные характеристики кристаллов Nd Mg LiNbO3 No.2,3 в видимом и ближнем ИК диапазоне методом наименьшего отклонения луча, исп

Дисперсия в поляритонной области спектра
Дисперсия в поляритонной области спектра. Дисперсионные характеристики кристаллов в среднем ИК диапазоне мы получили используя спонтанное параметрическое рассеяние. Этот метод позволя

СПР в моно- и полидоменных кристаллах
СПР в моно- и полидоменных кристаллах. В слоистых кристаллах может наблюдаться линейная дифракция света. Линейная дифракция может происходить на вариациях диэлектрической проницаемости, то е

Толщина слоя в полидоменном LiNbO
Толщина слоя в полидоменном LiNbO. На рис.13. изображена дисперсия обыкновенного показателя преломления полидоменного кристалла ниобата лития No.2 на верхней поляритонной ветви, которая получена по

Обзор эффектов в нецентросимметричных средах
Обзор эффектов в нецентросимметричных средах. Случай нецентросимметричной среды является наиболее общим при рассмотрении процессов активной спектроскопии. В кристаллах без центра симметрии в интенс

Прямое четырёхфотонное взаимодействие
Прямое четырёхфотонное взаимодействие. Рассмотрим стоксову компоненту рассеянного излучения рис.14 . Соотношение между частотами для данного случая выполняется в виде 12 где L-частота пробного излу

Исследование характеристик кристаллов методом активной спектроскопии
Исследование характеристик кристаллов методом активной спектроскопии. Четырехволновое рассеяние света возбуждалось в кристаллах ниобата лития, легированных магнием Mg LiNbO3 c концентрацией примеси

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги