Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии

Введение 1. Обзор литературы 2. Определение времени жизни по стандарту ASTM F28-3. Механизмы рекомбинации 4. Выводы Введение Рассмотрим биполярные приборы. Их работа связана с инжекцией неосновных носителей, особенно для приборов, которые работают в области высоких напряжений, чрезвычайную важность имеет время жизни носителей для таких параметров как: падение напряжения в открытом состоянии , динамические характеристики, поткри при выключении.

Обычно путём облучения электронами, протонами или легированием примесями, дающими глубокие уровни в кремнии достигается компромисс между этими конкурирующими параметрами. Для характеризации высокоомного кремния, его структурного совершенства время жизни также является важным параметром. Поэтому большой практический интерес представляет измерение времени жизни, возможность его регулирования. 1.

Обзор литературы

Для этого использовалась модель подвижности Даркеля и Летурка, учитыва... Максимальная плотность тока в диоде 100 А/см 2 . Тестируемые значения времени жизни от 4 до 100 m сек. Эта технология позволяет уменьшить потери при выключении прибора путем... Для облучения применялись протоны с дозами 5 × 10 11 см -2 и ...

Определение времени жизни по стандарту ASTM F

. Однако при использовании температурного метода необходимо иметь в виду... Нагревание образца до 70 ° С 2. Блок схема установки по измерению времени жизни фотоэлектирическим мет... Другие стандарты измерения времени жизни: 1) DIN 50440/1 “Измерение вр...

Механизмы рекомбинации

1. 2. Если энергия частицы передаётся решетке (фононам) , то рекомбинация на... 3.1. 4.

Выводы В последнее время в связи с бурным развитием силовой электроники проявляется повышенный интерес к высокоомному кремнию. Высокоомный кремний стал материалом для таких приборов как IGBT, GTO, IGCT, MCT. Поэтому большой практический интерес представляет контроль времени жизни в кремнии, возможность его регулирования в заданных пределах.

Литература: 1. W.L. Engl, R. Laur and K. Dirks, IEEE, CAD-1,85, 1982.