Зависимость интегральной яркости электролюминесценции от частоты

Зависимость интегральной яркости электролюминесценции от частоты. Величина квантового выхода рекомбинации Р зависит от времени, в течение которого происходит термическое освобождение и перераспределение дырок, а следовательно, и от частоты f, где и E для данного образца могут быть оценены по опытным зависимостям квантового выхода свечения от частоты при различных температурах.

Из рис. 1.5.1, где представлено увеличение яркости В с ростом f, и графического анализа зависимости квантового выхода от частоты, видно, что увеличение яркости с ростом f определяется характером зависимости квантового выхода.

При низких температурах или высоких f частотная зависимость яркости почти исчезает Р Р0 , чего можно было ожидать, если поглощаемая люминофором мощность слабо зависит от частоты. Последнее показывает, что роль поляризационных явлений в случае синусоидального напряжения невелика. Рис.1.5.1. Опытные зависимости средней яркости свечения от частоты. Кривые совмещены при частоте f 1 кгц 21 . При увеличении частоты синусоидального напряжения сверх нескольких килогерц яркость и выход свечения обычно вновь уменьшаются рис.1.5.2 . Рис.1.5.2. Зависимость яркости от частоты при различных напряжениях.

Максимумы кривых приведены к одной высоте. Образец ЭЛ-510, Т 20 ?С 22 . Это уменьшение вызвано уже падением квантового выхода ионизации N V0 вследствие уменьшения напряжения на зерне V0 внутренний барьер при постоянном внешнем напряжении V на ячейке.

Подобное уменьшение V0 может являться следствием особенностей эквивалентной схемы кристаллов люминофора и электролюминесцентного конденсатора в целом, которая содержит последовательно включенные емкости и сопротивления рис.1.5.3 . Рис.1.5.3. Эквивалентная схема цепи с электролюминесцирующим кристаллом. Сопротивление R0 и емкость С0 относятся к барьеру в кристалле, включенному в запирающем направлении, R1 - к объему кристалла R2 и С1 - сопротивление и емкость электродов ячейки.

Кристалл соприкасается с электродами. При повышении напряжения R0 падает и требуются более высокие частоты, чтобы емкости начали шунтировать R0 и снижать напряжение на зерне и V0. Соответственно, чем выше V, тем при более высоких f начинается уменьшение яркости. Ускорение спада В f при увеличении дополнительно включаемого сопротивления R2 наблюдалось в работе 30 . К тем же результатам приводит использование в ячейках высокоомных прозрачных электродов 31 . Спад яркости при достаточно высоких f т.е. коротких импульсов напряжения может быть связан также с конечным временем образования пространственного заряда.

Если люминофор содержит центры свечения двух типов, например, центры синего и зеленого свечения с более мелкими и глубокими уровнями соответственно считая от валентной зоны, то с увеличением f условия для миграции дырок от синих центров к зеленым ухудшаются сокращается время между импульсами и цвет свечения становится более синим 40 . Если учитывать присутствие центров тушения, то явления окажутся более сложными, так как часть освобожденных из центров голубого свечения дырок попадает к ним. В этом случае в зависимости от концентрации тушащих центров можно ожидать как усиления зеленой полосы, так и ее ослабления при одновременном спаде синего свечения 41 . ГЛАВА 2.