Фото-, електроно- і рентгенорезисти

ФОТО ЕЛЕКТРОНО- І РЕНТГЕНОРЕЗИСТИ Реферат Ужгород ВСТУП Розділ 1.ФОТОРЕЗИСТИ 1.1Вступні зауваження 2.Позитивні фоторезисти 3.Негативні фоторезисти Розділ 2.ЕЛЕКТРОНОРЕЗИСТИ 1.Негативні електронорезисти 2.Позитивні електронорезисти Розділ 3.РЕНТГЕНОРЕЗИСТИ 1. Позитивні рентгенорезисти 2. Негативні рентгенорезисти ВИСНОВОК СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ ВСТУП Розробка і виробництво виробів електронної техніки ґрунтується на застосуванні різноманітного асортименту технологічних прийомів, найважливішим з яких є відтворення зображення інтегральних мікросхем.

Постійне підвищення вимог до точності виготовлення елементів мікросхем викликає необхідність різних модифікацій методу фотолітографії; розробки нових технологічних процесів електроно- і рентгенолітографії. Успіхи сучасної технології, перспективи її розвитку багато в чому визначаються властивостями використовуваних чуттєвих до одержання захисних матеріалів (фото електроно- і ренгенорезистів), технологією їхньої обробки і застосування.

Так, розвиток фотолітографії викликав появу фоторезистів широкого діапазону дії. Два-три десятиліття назад застосовувалися склади, відомі ще в поліграфії (полівініловий спирт, шелак, альбумін) . Однак розвиток технології мікроелектроніки, підвищення ступеня інтеграції виробів визначили розробку нових матеріалів. Для їхнього створення були успішно використані теоретичні представлення органічної фотохімії. У теперішній час відбувається подальше удосконалювання техніки одержання і застосування фоторезистів в області підвищення їх світлочутливості, поліпшення захисних властивостей і реалізації потенційно високої роздільної здатності. Паралельно з розвитком процесів електроно- і рентгенографії відбувається й удосконалювання відповідних захисних матеріалів. Для цієї мети були використані природні властивості полімерів реагувати на вплив випромінювань з високою енергією. У результаті в даний час у практиці електроно- і рентгенолітографії використовується ряд захисних матеріалів з високою електроно- і рентгеночутливістю. Метою даної курсової є огляд основної наукової літератури по фото електроно- і рентгенорезистам. 1.ФОТОРЕЗИСТИ 1.1Вступні зауваження У загальному виді фото електроно- і рентгенорезисти являють собою органічні композиції, що складаються з чутливої до використовуваного випромінювання органічної сполуки - полімеру, розчинників і добавок, що модифікують властивості складів. Терміни фоторезист, електронорезист і рентгенорезист по своєму змісті визначають властивості не композицій, а захисних плівок, сформованих на підкладках з цих композицій, тобто їхня чутливість до випромінювання і стійкість до впливу агресивних середовищ.

Однак у сформованій практиці ця термінологія використовується стосовно до композицій. Таким чином, можна уточнити застосовувану термінологію: Фото електроно- і рентгенорезисти - органічні композиції, з яких можуть бути сформовані плівки, що володіють чутливістю до світла, електронного потоку і рентгенівського випромінюванню відповідно, що змінюють свої властивості і, насамперед, розчинність під дією актинічного випромінювання і при цьому захищають від впливу використовуваних у технології інтегральних мікросхем агресивних середовищ [2]. Актинічним називається випромінювання , яке викликає незворотні зміни властивостей фоторезистивного шару. По формальних ознаках застосування, обумовлених різними реакціями, що протікають у плівках під впливом випромінювань, і характером зміни їхніх властивостей, фото електроно- і рентгенорезисти поділяються на негативні і позитивні. Негативними фото електроно- і рентгенорезистами називаються органічні композиції, плівки яких у місцях впливу актинічного випромінювання втрачають розчинність, у результаті чого при наступній обробці покриття відповідним розчинником з поверхні підкладки видаляються тільки неопромінені ділянки.

Позитивними фото електроно- і рентгенорезистами називаються органічні композиції, плівки яких у місцях впливу актинічного випромінювання змінюють свою розчинність таким чином, що при наступній обробці покриття відповідним розчинником відбувається видалення з поверхні підкладки тільки опромінених ділянок.

Для всіх типів фото електроно- і рентгенорезистів існує ряд основних вимог, яким вони повинні задовольняти.

До цих вимог можна віднести: - високу інтегральну чутливість до енергетичного спектра використовуваного випромінювання; - високу селективність впливу проявників при обробці експонованих плівок з метою видалення опромінених або неопромінених ділянок; - здатність композицій формувати тонкі покриття, що володіють однорідністю, мінімальною дефектністю, стабільністю в часі, визначеною адгезією до застосовуваної підкладки, стійкістю до впливу агресивних середовищ; - здатність реалізувати потенційні можливості використовуваних систем відтворення зображень за роздільною здатності. Ці основні вимоги реалізуються як при виборі і синтезі складових частин композицій, так і при розробці оптимальних режимів застосування фото електроно- і рентгенорезистів. 2.Позитивні фоторезисти Фоторезисти - складні полімерно-мономерні системи, у яких під дією випромінювання визначеного спектрального складу протікають фотохімічні процеси [1]. Фоторезисти, розчинність яких після опромінювання зростає називаються позитивними.

Позитивні фоторезисти під дією випромінювання розкладаються і легко усуваються з підкладки , а захисні властивості має неопромінений фоторезист.

Відрізняючись своєю високою роздільною здатністю і точністю виготовлення елементів інтегральних мікросхем в достатньо широкому технологічному діапазоні, позитивні фоторезисти займають у даний час домінуюче положення в мікроелектронній технології. До складу усіх фоторезистів входять світлочутливі компоненти хінондіазидного типу, полімерні складові, система розчинників і різні добавки, що регулюють властивості матеріалу. Після експонування випромінюванням з довжиною хвилі 150- 800 нм засвічені області позитивних фоторезистів проявляються зі швидкістю R, приблизно на порядок більшою, ніж швидкість проявлення незасвічених ділянок (R0). Профілі резиста, кращі для різних видів літографічного процесу, формуються при різних дозах і співвідношеннях швидкостей проявлення R/R0. Історично позитивні фоторезисти на основі діазохінонів (ДХ) і новолачних (фенол-формальдегідних) смол (Н) використовувалися ще до 1940 р. у якості центрифугуючих діазоніевих компаундів для копіювання і розмноження документів. Завдяки гарному поглинанню випромінювання ртутних ламп на довжинах хвиль 365, 405 і 435 нм і нечутливості до кисню (на відміну від азидкаучукових резистів) ДХН-резисти після 1975 року зайняли чільне місце у фотолітографії [3]. В даний час дуже багато фірм виготовляють ДХН-резисти, що складаються з фотоактивного діазохінонового ефіру і фенольної новолачної смоли.

На рис.1.1 зображені хімічні формули діазохінонового ефіру і фенольної новолачної смоли.

Основою отримання зображень в позитивних резистах являються фотохімічні перетворення невеликих фото активних добавок або полімерних матеріалів: Неполярний → Полярний, Полярний → Неполярний, Полімер → Мономер.