Пассивация CZT поверхностей

В некоторых работах указывается на необходимость пассивации CdTe и CdZnTe [13,18-21]. Увеличение межполосного сопротивления до трех порядков величины было зарегистрировано после пассивации поверхности [22]. CZT пассивация поверхности была достигнута в результате окисления в водном растворе Н₂О₂ [4] или бомбардировкой атомным кислородом [23]. Основываясь на диаграмме равновесной фазы Cd-Те-О системы, высокоомный слой Сd-Tе-О₃ был предложен [24] в качестве вероятной устойчивой фазы, образующейся во время окисления CZT поверхностей. Раствор перекиси водорода (Н₂О₂) формирует оксидную пленку толщиной в диапазоне 21-44 нм, а стадия насыщения достигается после травления в течение 5 минут [22]. Недавние Рамановское микроспектроскопические исследования [25] идентифицировали ТеО^-2₃ как доминирующую поверхностную фазу, сформированную в течение окисления CdTe. Наблюдаемые улучшения вероятно следуют из преобразования электрически проводимой остаточной пленки теллура в разновидность с более высоким сопротивление. Такие пленки, как известно, появляются после травления CZT раствором брома-метанола. После нескольких минут Н₂О₂ обработки уровень насыщения достигнут, после которого появляются признаки, что ток поверхностной утечки начинает скорее увеличиваться чем уменьшаться. Возможность образования нестехиометрических окисей или других окисей существует, хотя мы пока не имеем никаких доказательств, основанных на интерпретации данных Рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии. Уменьшение тока утечки ведет к существенному улучшению качества детекторов для области низких энергий 5-70 кэВ. Например, разрешение по энергии ²⁴¹Аm пика гамма - излучения на линии 59.6 кэВ было уменьшено от FWHM 6.9 % до FWHM 4.7 % после облучения атомным кислородом на протяжении 90 минут [23].

Составление карт фотоэлектрической проводимости - методика, которая была введена Tove и Slapa [26] как полезный инструмент для исследования качества кристаллов и поведения контактов CdTe детекторов. Методика использовалась недавно Тоnеу и другие. [27], чтобы определить параметры CZT, в особенности для зондирование объемных свойств переноса и распределения электрического поля. Вариации в фотоотклике интерпретировались [26] как результат вариаций в морфологии поверхности и µτЕ произведения, и хотя роль поведения контактов была признана, корреляция с методами подготовки поверхности не была определены.

Чтобы лучше понимать роль окисления CZT поверхностей, мы решили использовать

должно привести к улучшениям(усовершенствованиям) этой области(площади). В то время как некоторые из обработок(лечения,решений,очисток) могут приводить к увеличенной поверхностной утечке (благодаря(вследствие₅в результате) изменения(замены) в поверхностной стехиометрии), полный успех тепловой обработки должны быть оценены при комбинированном(сочетаемом,объединенном) выполнении(реализации) процедуры пассивации(декапировки), типа окисления боковых сторон детектора.